论文摘要
近年来,铜铟硒和铜铟硫两种半导体纳米材料,由于其在太阳能电池方面的应用,受到了广泛的关注。本文用价格低廉、更易得到的S元素取代CuInSe2中部分Se元素,既能改善CIS电池的光电性能,也能降低电池组件的成本,该合金CuInSexS2-x将会成为一种非常有前途的太阳能电池材料。本文用热注射法制备了CuInSeS2-x和Cu2-xInxSn1-xSe3-x两种合金,找到了最佳合成工艺,证明了其合金本质,做到了样品形貌和大小的可控,实现了带隙随着合金组成的变化在一定范围内可调。提出了用常温滴片制备CISS(CuInSexS2-x)薄膜的新方法,使用稀有气体保护退火法处理CISS薄膜,研究了薄膜基本性质,证明了该方法的可行性,探索了一种制备CISS薄膜的新方法。文中所用方法操作更加简单、毒性更小、成本更加低廉,更有利于工业化生产。
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摘要ABSTRACT目录第一章 引言1.1 纳米概述1.2 纳米粒子制备方法1.2.1 水热/溶剂热法1.2.2 溶胶-凝胶法(胶体化学法)1.2.3 模板合成法1.2.4 燃烧法1.2.5 沉淀法1.3 半导体器件发展2研究进展'>1.4 CuInSe2研究进展2研究进展'>1.5 CuInS2研究进展1.6 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2半导体薄膜的制备方法1.6.1 真空共蒸发法1.6.2 磁控溅射法1.6.3 电化学沉积法1.6.4 稀有气体保护退火1.6.5 化学浴法1.7 本论文的目的和意义第二章 实验部分2.1 实验药品2.2 实验器材2.3 实验装置图2.4 表征方法2.4.1 紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)吸收光谱2.4.2 能谱仪(EDX)2.4.3 X-射线光电子能谱分析(XPS)2.4.4 透射电子显微镜(TEM)2.4.5 X射线粉末衍射(XRD)2.4.6 红外光谱2.4.7 台阶仪2.4.8 四探针测试仪2.5 工艺流程xS2-x的合成与表征'>第三章 CuInSexS2-x的合成与表征3.1 实验内容3.2 结果与表征3.2.1 XRD结果分析3.2.2 UV-Vis-NIR结果分析3.2.3 能谱结果分析3.2.4 TEM结果分析3.3 本章小结xS2-x配体交换及薄膜高温处理'>第四章 CuInSexS2-x配体交换及薄膜高温处理4.1 实验方法4.2 结果与表征4.2.1 XRD结果分析4.2.2 EDX结果分析4.2.3 NIR结果分析4.2.4 膜厚4.2.5 电阻4.3 本章小结2-xInxSn1-xSe3-x的合成与表征'>第五章 Cu2-xInxSn1-xSe3-x的合成与表征5.1 实验方法5.2 结果与表征5.2.1 XRD结果分析5.2.2 TEM结果分析5.2.3 EDX结果分析5.2.4 XPS结果分析5.3 本章小结第六章 结论与展望参考文献致谢
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标签:铜铟硒硫论文; 半导体纳米材料论文; 合金论文; 热注射法论文;
CuInSexS2-x和Cu2-xInxSn1-xSe3-x合金半导体纳米材料制备及表征
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