李兴达:射频电子源数值仿真及实验研究论文

李兴达:射频电子源数值仿真及实验研究论文

本文主要研究内容

作者李兴达,张兴民,李建鹏,张天平,孙新锋(2019)在《射频电子源数值仿真及实验研究》一文中研究指出:射频电子源以其结构简单、不易受污染、寿命长、瞬时启动等优点,可以作为离子和霍尔电推进的中和器,显著提升其寿命和性能。为了研究射频电子源的优化设计方法,基于放电室等离子体整体模型和非双极流动模型开展了射频电子源性能的仿真评估,并对研制的1A级电子源样机开展了实验测试。研究结果显示:仿真与实验结果一致性较好,引出电子电流与收集电压、小孔直径、工质流率、射频功率相关,各参数相互耦合且存在最优组合,样机额定工作点下,电子源放电损耗为99W/A,工质利用率系数为11。

Abstract

she pin dian zi yuan yi ji jie gou jian chan 、bu yi shou wu ran 、shou ming chang 、shun shi qi dong deng you dian ,ke yi zuo wei li zi he huo er dian tui jin de zhong he qi ,xian zhe di sheng ji shou ming he xing neng 。wei le yan jiu she pin dian zi yuan de you hua she ji fang fa ,ji yu fang dian shi deng li zi ti zheng ti mo xing he fei shuang ji liu dong mo xing kai zhan le she pin dian zi yuan xing neng de fang zhen ping gu ,bing dui yan zhi de 1Aji dian zi yuan yang ji kai zhan le shi yan ce shi 。yan jiu jie guo xian shi :fang zhen yu shi yan jie guo yi zhi xing jiao hao ,yin chu dian zi dian liu yu shou ji dian ya 、xiao kong zhi jing 、gong zhi liu lv 、she pin gong lv xiang guan ,ge can shu xiang hu ou ge ju cun zai zui you zu ge ,yang ji e ding gong zuo dian xia ,dian zi yuan fang dian sun hao wei 99W/A,gong zhi li yong lv ji shu wei 11。

论文参考文献

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自推进技术的李兴达,张兴民,李建鹏,张天平,孙新锋,发表于刊物推进技术2019年10期论文,是一篇关于电推进论文,电子源论文,感性耦合等离子体论文,整体模型论文,引出电流论文,射频论文,推进技术2019年10期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自推进技术2019年10期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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