本文主要研究内容
作者孙孪鸿,沈鸿烈,黄护林,李玉芳,商慧荣（2019）在《硒化温度对共溅射法制备的CZTSSe薄膜与电池性能的影响》一文中研究指出：采用共溅射法结合后硒化成功制备出CZTSSe薄膜,主要研究了不同的硒化温度对CZTSSe薄膜与电池性能的影响。分别采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔效应测量仪及数字电源表对不同硒化温度下制备的CZTSSe薄膜的结构、形貌、光电与太阳电池性能进行了表征与分析。结果表明,当硒化温度为580℃时,CZTSSe薄膜的结晶性最好,薄膜表面均匀致密且其电阻率和载流子浓度达到最小值和最大值,分别为1.57Ω·cm和8.2×1017cm-3,该硒化温度下制备得到的CZTSSe太阳电池的短路电流和转换效率最高达到30.68 m A/cm2和5.17%。相对于550℃和600℃硒化温度下的CZTSSe太阳电池,其光电转换效率分别提高了36%和6%。另外,随着硒化温度的升高,CZTSSe薄膜在XRD中的（112）峰位和Raman中的A1模式振动峰位都向小衍射角和短波数方向移动,薄膜的禁带宽度也从1.26 e V减小至1.21 e V。
Abstract
cai yong gong jian she fa jie ge hou xi hua cheng gong zhi bei chu CZTSSebao mo ,zhu yao yan jiu le bu tong de xi hua wen du dui CZTSSebao mo yu dian chi xing neng de ying xiang 。fen bie cai yong Xshe xian yan she yi 、la man guang pu yi 、sao miao dian zi xian wei jing 、zi wai -ke jian -jin gong wai fen guang guang du ji 、huo er xiao ying ce liang yi ji shu zi dian yuan biao dui bu tong xi hua wen du xia zhi bei de CZTSSebao mo de jie gou 、xing mao 、guang dian yu tai yang dian chi xing neng jin hang le biao zheng yu fen xi 。jie guo biao ming ,dang xi hua wen du wei 580℃shi ,CZTSSebao mo de jie jing xing zui hao ,bao mo biao mian jun yun zhi mi ju ji dian zu lv he zai liu zi nong du da dao zui xiao zhi he zui da zhi ,fen bie wei 1.57Ω·cmhe 8.2×1017cm-3,gai xi hua wen du xia zhi bei de dao de CZTSSetai yang dian chi de duan lu dian liu he zhuai huan xiao lv zui gao da dao 30.68 m A/cm2he 5.17%。xiang dui yu 550℃he 600℃xi hua wen du xia de CZTSSetai yang dian chi ,ji guang dian zhuai huan xiao lv fen bie di gao le 36%he 6%。ling wai ,sui zhao xi hua wen du de sheng gao ,CZTSSebao mo zai XRDzhong de （112）feng wei he Ramanzhong de A1mo shi zhen dong feng wei dou xiang xiao yan she jiao he duan bo shu fang xiang yi dong ,bao mo de jin dai kuan du ye cong 1.26 e Vjian xiao zhi 1.21 e V。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自发光学报的孙孪鸿,沈鸿烈,黄护林,李玉芳,商慧荣，发表于刊物发光学报2019年01期论文，是一篇关于铜锌硒硫硒论文,共溅射论文,硒化温度论文,电池性能论文,发光学报2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自发光学报2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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