关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究

论文摘要

本文首先介绍了功率MOS管的UIS(unclamped inductive switching)测试原理及重要性,通过某公司的实际的案例,解释UIS和产品质量之间相互关系,挖掘影响UIS能力的因素,并通过实际案例解释改善功率MOSFET器件的三种方法,即改善contact工艺,减小RB,改变设计。实际案例中的两种MOSFET器件A,B应用了这三种方法的组合,使功率MOSFET的UIS能力和测试合格率有了非常大的提升。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 1 引言
• 2 UIS 工作机理及其在功率MOS 器件中的应用
• 2.1 UIS 的工作机理
• 2.1.1 UIS 的基本原理
• 2.1.2 UIS 电流的模拟示意图
• 2.1.3 单脉冲UIS 测试波形图
• 2.1.4 UIS 失效
• 2.2 MOS 器件中UIS 机理的应用
• 2.2.1 UIS 机理的应用
• 2.2.2 UIS 测试对芯片和组装问题的筛选
• 2.3 UIS 的测试机理
• 3 提升功率MOS 器件UIS 能力的几种方法
• 3.1 改善 contact 工艺
• 3.2 device design 改变
• 3.3 减小RB 的阻值
• 4 改善UIS 能力的实际案例
• 4.1 A 器件的 UIS 能力改进
• 4.2 B 器件的 UIS 能力改进
• 4.3 结论
• 5 总结和期望
• 6 参考文献
• 附录1 功率 MOS 器件的特性参数
• 致谢
• 攻读学位期间发表的学术论文