SiO2玻璃中半导体纳米晶的制备和辐照效应研究

SiO2玻璃中半导体纳米晶的制备和辐照效应研究

论文摘要

半导体纳米材料具有优异的光电性能,在非线性光学器件、光电功能材料等方面具有极为广阔的应用前景。锗作为一种典型的半导体材料,对它的研究一直有着重要的应用背景。Ge-SiO2这种复合结构的光学性质,尤其是发光性能已经引起了国内外研究者的极大兴趣。本文采用光吸收、光荧光、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、X—Ray光电子能谱(XPS)测试和TRIM96模拟程序,分别研究了石英玻璃中植入型Ge纳米晶的光学和微观结构特征,并对比研究样品在热退火和辐照处理后,光学性能和微观结构上的变化。主要得到以下结果:1.室温下石英玻璃中注入能量为56keV、注量为1×1017cm-2的Ge+离子,直接形成Ge纳米晶。离子注入过程在基体中引入大量缺陷,紫外区吸收显著增强,但没有明显的吸收峰出现。2.注入态样品分别在O2,N2和Ar气氛中等时退火。O2气中退火样品在240nm处出现一个明显的由GeO缺陷引起的吸收峰,N2气中退火样品在418nm处有一个由Si—N化学键引起的吸收峰,Ar气中退火样品没有观察到吸收峰出现。各种气氛下的退火过程中,随温度升高,辐照损伤程度减小,吸收边逐渐蓝移变陡。3.注入态样品在各种气氛中退火后均观察到由GeO缺陷引起的两个较强紫外荧光峰,分别位于294和386nm处,氧气中退火样品紫外荧光峰强度最大。退火过程中,靠近表面的Ge元素逐渐向外扩散,位于基体内部的锗纳米颗粒长大。1000℃退火后大量的Ge元素扩散到基体外部。4.注入态样品中Ge元素以Ge0、GeO和GeO2的形式存在;600℃退火后Ge元素以Ge0,GeO和GeO2的形式存在;1000℃退火后,GeO2分解成GeO,GeO是最稳定的一种结构,但仍然有少量Ge0存在。5.用能量为60 keV的N+离子辐照注入态样品。辐照后样品吸收边蓝移变陡,GeO缺陷引起的荧光峰(294nm)出现。辐照后样品中观测到显著的位错环。Ge仍然以Ge、GeO和GeO2的形式存在,有少量SiN化合物形成。N+离子辐照后样品在氩气中于500℃退火后,出现一个明显的位于418nm的吸收峰,550℃退火后最强,与N气中退火结果相似,是由硅氮化合物(Si3N4或者SiOxNy)引起的。6.用波长为1.064μm、脉宽约3ns、能量阈值100 mJ/cm2的Nd:YAG单纵模调Q激光器辐照注入态和N+离子辐照后的样品。样品表面观测到明显的由激光辐照引起的损伤及熔化波纹。辐照后样品表面更光滑,缺陷减少,吸收边蓝移。注入态样品经激光辐照后,240nm波长光激发下只观察到294nm处荧光峰。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 第一章 绪论
  • 1.1 概述
  • 2基体中植入纳米晶的研究现状和发展'>1.2 SiO2基体中植入纳米晶的研究现状和发展
  • 2基体中植入纳米晶的制备'>1.2.1 SiO2基体中植入纳米晶的制备
  • 2基体中金属、氧化物及磁性纳米晶的研究现状和发展'>1.2.2 SiO2基体中金属、氧化物及磁性纳米晶的研究现状和发展
  • 2基体中半导体纳米晶的研究现状和发展'>1.2.3 SiO2基体中半导体纳米晶的研究现状和发展
  • 1.3 研究内容
  • 1.4 研究结果
  • 第二章 纳米材料基本特性及辐照效应基础介绍
  • 2.1 纳米材料的结构及性质
  • 2.1.1 纳米材料的结构
  • 2.1.2 纳米颗粒的基本性质
  • 2.1.3 纳米材料的物理性质
  • 2.2 辐照效应
  • 2.2.1 辐照引起的缺陷种类
  • 2.2.2 辐射与物质的相互作用
  • 2.3 辐照损伤有关计算的简单理论
  • 2.3.1 辐照损伤深度—射程的计算
  • 2.3.2 辐照损伤程度估算
  • 2玻璃中植入型GE纳米晶制备及热退火效应研究'>第三章 SIO2玻璃中植入型GE纳米晶制备及热退火效应研究
  • 3.1 引言
  • 3.2 实验方法
  • +离子注入'>3.2.1 Ge+离子注入
  • 3.2.2 TRIM模拟
  • 3.2.3 热退火处理
  • 3.2.4 XPS分析
  • 3.2.7 TEM分析
  • 3.2.5 紫外—可见吸收光谱分析
  • 3.2.6 荧光光谱分析
  • 3.3 实验结果
  • 3.3.1 相关计算及结果
  • 3.3.2 XPS分析结果及讨论
  • 3.3.3 TEM分析结果及讨论
  • 3.3.3 光吸收分析结果及讨论
  • 3.3.4 荧光分析结果及讨论
  • 3.5 小结
  • 2玻璃中植入GE纳米晶辐照效应研究'>第四章 SIO2玻璃中植入GE纳米晶辐照效应研究
  • 4.1 激光辐照概述
  • 4.1.1 激光与半导体相互作用基础
  • 4.2 实验方法及结果
  • 4.2.1 辐照处理
  • 4.2.2 XPS分析及结果
  • 4.2.2 紫外—可见吸收光谱分析及结果
  • 4.2.3 荧光光谱分析及结果
  • 4.2.4 光学显微镜分析及结果
  • 4.2.5 AFM分析结果
  • 4.3 小结
  • 第五章 结论
  • 致谢
  • 参考文献
  • 攻硕期间取得的研究成果
  • 相关论文文献

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