论文题目: (Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7与(Bi1.5Zn0.5)(Nb0.5Ti1.5)O7陶瓷的制备及改性
论文类型: 硕士论文
论文专业: 材料学
作者: 周焕福
导师: 黄金亮
关键词: 陶瓷,陶瓷,改性,烧结温度,相结构,介电性能
文献来源: 河南科技大学
发表年度: 2005
论文摘要: 随着现代通信工具的微型化、集成化,微波介质陶瓷作为谐振器、滤波器、振荡器等微波元器件的关键材料而逐渐受到人们的广泛重视。作为上述器件的微波介质陶瓷必须具备以下性能:高介电常数ε;低介电损耗tanδ;谐振频率温度系数τf尽可能地接近于零。(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7、(Bi1.5Zn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7微波介质陶瓷具有高的介电常数和低的烧结温度而受到材料工作者的广泛关注,但其烧结工艺和介电性能还有待进一步改进。本研究以(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7、(Bi1.5Zn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7低温烧结铋基焦绿石为基础,通过离子取代,添加烧结助剂,优化陶瓷的烧结工艺和介电性能;并在此基础上,对焦绿石的结构演变及改性机理作了理论上的分析。Sm,Y离子取代(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷A位上的Bi离子,使得陶瓷的烧结温度升高,从1000℃升为1100℃。Sm,Y离子能取代Bi3+进入焦绿石晶格后,形成固溶体,但其取代量有限（Sm、Y均小于0.6）,随着取代量的增加,相结构由立方焦绿石相逐渐向复相转变;经Sm、Y取代的BZN陶瓷,介电性能得到了优化。文中(Bi1.5-xLnxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7的介电性能分别为:介电常数ε=84～155;介电损耗tanδ=1.06×10-3～0.9×10-3;频率温度系数τf=-457ppm～21.8ppm。BiVO4掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷,烧结温度大幅度降低,由1000℃降为850℃,且其频率温度系数得到改善（从-450ppm/℃升至-337ppm/℃）。Bi4Ti3O12掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷,烧结温度基本不变,但其介电性能得到改善。介电常数由155升
论文目录:
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 介质谐振器
1.3 电介质的基本概述
1.4 微波介质陶瓷的研究现状
1.5 课题背景与研究内容
第2章 试样的制备与表征分析
2.1 试样的制备
2.2 性能检测
第3章 (BI_(1.5)ZN_(0.5))(ZN_(0.5)NB_(1.5))O_7 陶瓷离子取代改性
3.1 Y 取代对 BZN 陶瓷结构与介电性能的影响
3.2 SM 取代对 BZN 陶瓷结构与介电性能的影响
3.3 小结
第4章 BI_(1.5)N_(1.0)NB_(1.5)O_7 陶瓷烧结助剂改性
4.1 BI_4TI_3O_(12) 掺杂对 BZN 陶瓷结构与介电性能的影响
4.2 BIVO_4 掺杂对 BZN 陶瓷结构与介电性能的影响
4.3 小结
第5章 (BI_(1.5)ZN_(0.5))(ZN_(0.5)NB_(1.5))O_7陶瓷离子取代改性
5.1 概述
5.2 Y 取代对 BZNT 陶瓷相结构与介电性能的影响
5.3 小结
第6章 结论
参考文献
致谢
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发布时间: 2006-12-30
参考文献
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