论文摘要
SiOC多孔陶瓷由于具有一系列优异的性能,使得其应用范围越来越广泛,其制备方法也在不断地发展。本文在全面综述多孔陶瓷制备技术研究现状的基础上,开展了硅树脂交联自发泡法制备高孔隙率SiOC多孔陶瓷的研究。首先,比较分析了两种硅树脂DC217和DC249的发泡性能,择优选择了硅树脂DC217作为交联自发泡的先驱体。经混料、模压成型、交联自发泡和高温裂解,制备出了高孔隙率的SiOC多孔陶瓷,考察了升温速率、中间保温、外部气压、填料种类(SiOC、SiC)、填料含量和粒径等因素对多孔陶瓷结构和性能的影响。当硅树脂含量为90vol.%,SiOC微粉为填料时,控制交联升温速率从0.25℃/min增加到3℃/min,多孔陶瓷的孔隙率先增加后降低,在0.5℃/min时达到最大,总孔隙率和开孔率分别为88.2%和72.5%,抗压强度则一直降低。当交联升温速率低于1℃/min时,多孔陶瓷的孔隙结构呈现三维开孔网状结构。而在不同温度的下保温(160℃、190℃、220℃),对所得多孔陶瓷的孔隙形貌和大小影响较大,但对抗压强度的改善并不明显。当硅树脂含量为70vol.%,SiOC微粉为填料时,控制外部气压从1MPa增加到4MPa,多孔陶瓷的总孔隙率和开孔率分别从69.8%和58.4%下降到58.3%和43.9%,抗压强度则从3.9 MPa增加到14.9MPa。另外,随着外部气压的增加,多孔陶瓷的孔隙结构变得越来越规则,孔径大小也越来越趋于一致。当填料(SiOC微粉)含量从0vol.%增加到30vol.%,多孔陶瓷的总孔隙率和开孔率变化趋势一致,均是先增加后降低,抗压强度则先降低后增加。当填料含量低于30vol.%时,多孔陶瓷的孔隙结构比较规则,大多呈现开孔、球形的特征。选用SiC微粉为填料时,在未加外部气压的情况下,所得多孔陶瓷的孔隙结构较差。在外部气压下交联发泡,所得多孔陶瓷的孔隙结构较好,与相同条件下,SiOC粉为填料所得多孔陶瓷的孔隙结构相似,但抗氧化性能明显高于后者。加压条件下,控制SiC微粉的粒径从5μm增大到10μm,多孔陶瓷的孔隙率(总孔隙率和开孔率)增加,而抗压强度则随之下降。继续增大SiC微粉的粒径,从10μm增大到15μm,得到的多孔陶瓷孔隙率(总孔隙率和开孔率)、平均孔径大小以及抗压强度则均变化不大。通过研究表明,采用硅树脂交联自发泡法可以制备出较高孔隙率的SiOC多孔陶瓷。各工艺参数通过影响聚合物熔体中气泡的形成过程,进而影响多孔陶瓷的孔隙结构。所以,可以通过精确控制各工艺参数,获得所需结构的SiOC多孔陶瓷。
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