导读:本文包含了场发射电子能谱论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:透射电镜,STEM,析出物,微观分析
场发射电子能谱论文文献综述
高峰,李智丽,杨维宇[1]（2014）在《场发射透射电子显微镜及能谱功能开发》一文中研究指出文章简述了Tecnai G2 F20场发射透射电子显微镜的组成和基本参数,并详细说明了该透射电镜和能谱的功能开发,主要有:TEM+EDS功能、HTEM功能、STEM+EDX点、线、面扫描功能、STEM高分辨功能,并举例说明此设备在产品开发中的应用。(本文来源于《包钢科技》期刊2014年04期）
高桂超[2]（2010）在《场渗透对n型硅场发射电子能谱的影响》一文中研究指出平板显示技术是当今社会发展的趋势,场发射显示是非平板显示-阴极射线管显示(CRT)的平板化,具有分辨率高、色彩再现性好、对比度高、响应速度快、工作温度范围宽、电磁辐射小、易于实现数字化显示等优点。场发射显示的核心技术是场发射电子源,即阴极技术,研究场发射阴极材料是降低其成本的重要途径之一。硅基的场发射电子源可以实现与微电子器件的兼容,研究半导体硅的场发射是非常有意义的。半导体的场发射理论并不成熟,它的场发射要比金属复杂的多。深入理解半导体场发射的机制是开发高效场发射阴极的基础,场发射电子能谱包含着丰富的场发射信息,它是研究场发射机理的最重要的手段。本论文通过数值模拟,计算了n型硅的电场渗透和硅的电子能带结构,讨论了电场渗透对半导体硅的场发射能谱的影响。在本文中,首先利用数值模拟的方法计算了n型硅微尖的场发射尖端内部的电势分布、电场分布以及电荷密度分布,并系统地研究了掺杂浓度、温度变化、栅极电压对电场渗透的影响,进而讨论电场渗透对微尖表面能带弯曲的影响,发现由于电场渗透引起的表面能带弯曲将导致场发射电子能谱向低能一侧偏移,计算得到的能谱偏移基本符合实验结果。其次利用第一原理计算软件Quantum-Espresso软件包中的PWSCF模式模拟硅的能带结构和态密度,并结合电场渗透的结果讨论了半导体硅的场发射能谱结构,发现场渗透现象将引起其他导带的电子产生场发射,导致场发射能谱出现多峰结构。(本文来源于《中国海洋大学》期刊2010-04-20）
元光,曹崇龙,宋翠华,宋航,屿拹秀隆[3]（2008）在《n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算》一文中研究指出结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。(本文来源于《发光学报》期刊2008年03期）
宋翠华[4]（2007）在《硅微尖的场发射电子能谱》一文中研究指出在信息日益发达的社会里,信息显示器件具有非常重要的地位。阴极射线管(cathode ray tube: CRT)显示是最早的,最成熟的,也是性能价格比最高的信息显示技术,但CRT存在体积庞大,笨重等缺陷。场发射显示技术是能够保留CRT显示质量,并使之平板化的重要的平板显示技术。场发射阴极是场发射平板显示的关键,深入理解场发射的机制是开发高效场发射阴极的基础。但是至今为止,只有金属的场发射理论即Fowler-Nordheim理论是人们普遍接受和公认的。其它材料如半导体材料、纳米材料等的场发射过程有时并不遵循Fowler-Nordheim理论。硅材料是人们最为熟悉的半导体材料,研究硅材料的场发射机理有助于深入了解半导体材料的场发射机制。场发射电子能谱是探索场发射机理的重要的工具。本文利用金属的场发射理论,结合半导体能带理论,计算了n型硅的场发射电子能谱,并与n型硅场发射电子能谱的实验测量结果进行比较分析,探讨了半导体硅的场发射机制。首先采用有限元方法求解了金属尖端的电场分布,在此基础上,求得了硅微尖的近似电场分布。根据硅微尖的电场分布,计算了硅的能带弯曲,并结合金属的场发射电子能谱基础,得到了硅的场发射电子能谱。对温度、掺杂浓度、介电常数等因素对硅场发射电子能谱的影响进行了讨论。计算得到的结果基本与实验结果相符合。同时对实验和计算结果的差异进行了分析讨论。(本文来源于《中国海洋大学》期刊2007-06-30）
吴正龙[5]（2005）在《场发射俄歇电子能谱显微分析》一文中研究指出场发射俄歇电子能谱的显微分析是一项新的分析技术,可对微尺度样品进行点、线、面的元素组分及元素化学态分析。本文简要介绍这项新技术的功能原理和在微电子器件检测等方面的具体应用。(本文来源于《现代仪器》期刊2005年03期）
张连俊,彭荣群,罗恩泽[6]（2002）在《非平衡态对高温超导体场致发射电子能谱的影响》一文中研究指出高温超导体场致发射时伴随体内正常态部分空穴的产生 ,引起高温超导体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态 ,将影响高温超导体场致发射的性质。文中对高温超导体非平衡态场致发射的电子能谱进行了研究(本文来源于《低温与超导》期刊2002年03期）
张连俊,罗恩泽[7]（1998）在《临界温度左右高温超导体场发射电子能谱研究》一文中研究指出本文研究了临界温度以上电场穿透发射体表面对高温超导体的场致发射电子能谱随温度变化的影响和临界温度以下能隙对场发射电子能谱影响的情况．并对理论计算的结果与实验结论做了比较．(本文来源于《低温物理学报》期刊1998年06期）
沈锦德[8]（1986）在《俄歇电子能谱仪中场发射电子枪发射电流的稳定措施》一文中研究指出场发射电子枪具有束斑直径小,能量色散小,亮度大等优点。它已广泛使用在扫描电子显微镜中。法国里昂第一大学材料物理系与里贝尔公司联合试制了一台俄歇电子能谱仪,所采用的电子源为场发射枪。使用场发射枪可使仪器体积缩小,但是获得稳定的场发射电子束流比较困难。发射电流大小与发射体的逸出功,灯丝形状和施(本文来源于《第四次全国电子显微学会议论文摘要集》期刊1986-08-01）
沈锦德[9]（1986）在《俄歇电子能谱仪中场发射电子枪发射电流的稳定措施》一文中研究指出场发射电子枪具有束斑直径小,能量色散小,亮度大等优点。它已广泛使用在扫描电子显微镜中。法国里昂第一大学材料物理系与里贝尔公司联合试制了一台俄歇电子能谱仪,所采用的电子源为场发射枪。使用场发射枪可使仪器体积缩小,但是获得稳定的场发射电子束流比较困难。发射电流大小与发射体的逸出功,灯丝形状和施(本文来源于《电子显微学报》期刊1986年03期）
场发射电子能谱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
平板显示技术是当今社会发展的趋势,场发射显示是非平板显示-阴极射线管显示(CRT)的平板化,具有分辨率高、色彩再现性好、对比度高、响应速度快、工作温度范围宽、电磁辐射小、易于实现数字化显示等优点。场发射显示的核心技术是场发射电子源,即阴极技术,研究场发射阴极材料是降低其成本的重要途径之一。硅基的场发射电子源可以实现与微电子器件的兼容,研究半导体硅的场发射是非常有意义的。半导体的场发射理论并不成熟,它的场发射要比金属复杂的多。深入理解半导体场发射的机制是开发高效场发射阴极的基础,场发射电子能谱包含着丰富的场发射信息,它是研究场发射机理的最重要的手段。本论文通过数值模拟,计算了n型硅的电场渗透和硅的电子能带结构,讨论了电场渗透对半导体硅的场发射能谱的影响。在本文中,首先利用数值模拟的方法计算了n型硅微尖的场发射尖端内部的电势分布、电场分布以及电荷密度分布,并系统地研究了掺杂浓度、温度变化、栅极电压对电场渗透的影响,进而讨论电场渗透对微尖表面能带弯曲的影响,发现由于电场渗透引起的表面能带弯曲将导致场发射电子能谱向低能一侧偏移,计算得到的能谱偏移基本符合实验结果。其次利用第一原理计算软件Quantum-Espresso软件包中的PWSCF模式模拟硅的能带结构和态密度,并结合电场渗透的结果讨论了半导体硅的场发射能谱结构,发现场渗透现象将引起其他导带的电子产生场发射,导致场发射能谱出现多峰结构。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场发射电子能谱论文参考文献
[1].高峰,李智丽,杨维宇.场发射透射电子显微镜及能谱功能开发[J].包钢科技.2014
[2].高桂超.场渗透对n型硅场发射电子能谱的影响[D].中国海洋大学.2010
[3].元光,曹崇龙,宋翠华,宋航,屿拹秀隆.n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算[J].发光学报.2008
[4].宋翠华.硅微尖的场发射电子能谱[D].中国海洋大学.2007
[5].吴正龙.场发射俄歇电子能谱显微分析[J].现代仪器.2005
[6].张连俊,彭荣群,罗恩泽.非平衡态对高温超导体场致发射电子能谱的影响[J].低温与超导.2002
[7].张连俊,罗恩泽.临界温度左右高温超导体场发射电子能谱研究[J].低温物理学报.1998
[8].沈锦德.俄歇电子能谱仪中场发射电子枪发射电流的稳定措施[C].第四次全国电子显微学会议论文摘要集.1986
[9].沈锦德.俄歇电子能谱仪中场发射电子枪发射电流的稳定措施[J].电子显微学报.1986