导读:本文包含了功耗模型论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:定制SRAM阵列,Siliconsmart,建模
功耗模型论文文献综述
田新华,胡日辉[1]（2019）在《定制SRAM存储器的时序功耗模型的自动抽取》一文中研究指出为提升访存性能,处理器的指令和数据cache设计中往往采用定制SRAM存储阵列,这就需要抽取它们的时序和功耗模型以便将其集成到芯片的整体设计中。论文描述了基于Siliconsmart工具自动抽取定制SRAM存储阵列时序功耗模型的方法与流程,以便后续将其集成到处理器芯片整体的设计与分析流程中。(本文来源于《计算机与数字工程》期刊2019年11期）
倪真真,董金龙,刘伟[2]（2019）在《基于油气比例模型的高速球轴承功耗分析》一文中研究指出针对航空发动机主轴高速球轴承润滑中可能出现的油气混合现象,建立了考虑油气比例系数的高速球轴承拟动力学分析模型,对轴承进行功耗分析。并以某高速球轴承为研究对象,分析了油气比例系数对轴承总功耗的影响,与试验数据对比,加入油气比例系数的拟动力学分析结果更接近台架试验,说明了模型的正确性。同时,分析了油气比例系数对轴承润滑及功耗的影响,结果表明:随油气比例系数增大,油膜厚度增大,内外圈摩擦功耗基本不变,球搅油功耗增大,轴承总功耗增大。(本文来源于《轴承》期刊2019年10期）
陈卓,刘畅,侯申,郭阳[3]（2019）在《多核微处理器体系结构级功耗模型分析》一文中研究指出利用FT-SHSim模拟工具平台,对主流的微处理器核心模型SMT(同步多线程,simultaneous multithreading)和MSS(适度超标量,moderate superscalar)进行建模。采用先进CMOS工艺,在体系结构级进行功耗评估的模拟实验,得到不同微处理器结构的工艺需求和不同工艺下同微处理器结构可以实现的性能及所需的规模,为微处理器设计的早期阶段提供工艺需求与实现方法的参考价值,从而实现提高设计质量、缩短设计周期、加快设计收敛的目的。研究结果表明:在最小线宽为22 nm的工艺下,128核SMT处理器模型峰值功耗为116 W,64核MSS处理器峰值功耗为161 W。(本文来源于《中南大学学报(自然科学版)》期刊2019年07期）
李海漪,王涛,李云飞,李成杰,杨非[4]（2019）在《基于ANSYS/LS-DYNA的滚筒式翻堆机翻抛功耗模型研究》一文中研究指出翻堆机的翻抛功耗是翻堆机的主要功耗,翻抛功耗与运行参数、结构参数、工艺需求以及建筑结构之间存在相互制约的关系,通过对翻抛功耗与其他参数关系的研究分析能够对翻堆机的翻抛功耗进行优化。因此根据滚筒式翻堆机的工作特点,选用ANSYS/LS-DYNA软件和SPH模型对翻抛装置翻抛物料的过程的功耗进行数值模拟分析,将仿真结果与理论计算结果进行对比验证,从而得到翻抛功耗的模型。经过仿真刀齿切削过程的功耗约为82.7 J,刀齿转动翻抛污泥的峰值功率为3.96 kW,平均功率为0.812 kW,与理论分析得到的刀齿翻抛功率相近。(本文来源于《中国农机化学报》期刊2019年06期）
简鑫,韦一笑,刘钰芩,宋健,曾孝平[5]（2019）在《窄带物联网非连续接收机制功耗模型与优化》一文中研究指出针对窄带物联网(NB-IoT)的3种典型业务场景(周期自动报告、异常自动报告和软件升级/重配置业务),为NB-IoT扩展型非连续接收(eDRX)机制建立了以终端工作状态为状态变量的马尔可夫模型,并给出相应的功耗与时延模型。其中,连接态被分为随机接入态和数据收发态,以细化因海量用户并发入网产生碰撞而带来的额外能耗。鉴于周期自动报告(MAR-P)业务的发生频次最高,重点分析了MAR-P业务激励时NB-IoT eDRX机制的电池使用寿命及其优化设计方案。数值表明,传输周期、最大随机接入次数、最大数据重传次数和系统负载直接决定电池使用寿命,上述参数合理配置可有效延长电池使用寿命。这为NB-IoT终端行为级建模与优化设计提供了参考。(本文来源于《通信学报》期刊2019年04期）
黄成强,樊爱均,康帅[6]（2019）在《基于两段直线模型的低功耗高画质显示驱动算法研究及其FPGA实现》一文中研究指出由于手机电池电量有限,显示面板功耗过大引起的频繁充电问题严重地影响了智能手机的用户体验.本文提出了一种基于两段直线模型的低功耗高画质显示驱动算法.首先,将输入图像从RGB空间转换到YUV空间.随后,计算亮度平均值和最大值.在此基础上构建两段直线模型,并根据该模型产生新亮度分量.最后,将YUV空间转换到RGB空间,得到处理后的图像.实验结果表明,相比于NPC和ACSC算法,提出算法处理所得图像的MSE分别降低了30.9%和29.9%.此外,本算法产生的显示功耗最低.该算法研究已通过FPGA验证,结果表明,处理后的图像显示效果优越.(本文来源于《计算机系统应用》期刊2019年03期）
张荣柱,刘学渊[7]（2019）在《基于神经网络的深松铲作业阻力及功耗的预测模型研究》一文中研究指出就深松铲作业阻力及功率消耗预测问题,提出了一种基于神经网络的预测方法,建立了基于BP神经网络和径向基神经网络的两种预测模型,并对两种模型的预测误差及预测效果进行对比,最后得出,径向基函数神经网络对深松铲作业阻力及功耗的预测误差较小、预测效果较好,可以用于深松铲作业阻力及功耗的预测。(本文来源于《林业机械与木工设备》期刊2019年01期）
杨松祥[8]（2018）在《基于马尔可夫模型的低功耗安全多跳路由机制研究》一文中研究指出无线多跳网络是一种无线网络,由移动节点通过自组织方式形成,具有自组织性、分布性和动态性的特点,无需依赖于预先架设或部署的固定基础设施。网络中的数据包可以在到达目的地之前经由多个中间节点进行中继转发,从而更好的实现广域部署。动态、灵活等特点使得无线多跳网络吸引了众多研究者的注意,并广泛地应用于电信基础设施容易遭到破坏的军事通信,灾害管理和应急服务等众多领域。然而,随着网络性能不断优化以及部署成本日益降低,个域信息采集的应用愈来愈多,使得如何安全并高效地传输数据包成为无线多跳网络领域的重要研究问题。有限的能量资源和开放性的传输信道加剧了网络安全和能耗等方面的挑战。典型的多跳网络通过节点之间的相互协作,以分布和协作的方式将处于网络边缘的节点数据,安全高效地收集处理。由此,高效安全的多跳路由设计对于无线网络中的数据传输至关重要,本文将构建面向数据特征的马尔可夫状态转移模型,并据此设计安全高效的随机多径路由协议,通过传输路径的随机选取使得网络具有抵御典型攻击的能力,从而保证数据传输的安全性。同时,该协议可以根据各路径的剩余能量情况,降低网络的整体能耗并平衡负载。性能仿真和分析结果表明,本文所提出的路由协议在能源消耗、传输延迟、信息传输量和安全性方面有着显着的性能提升。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2018-03-25）
黄润飞[9]（2017）在《基于低功耗蓝牙的地下停车场室内导航模型研究与实现》一文中研究指出近年来,随着私家车数量的不断增加,出现了停车难、车辆周转困难、大街上车辆乱停乱放、非法占用街道通行区域等现象,严重影响了交通秩序以及居民日常生活。在空间有限的情况下相关部门提出了将停车场引入到地下的方案,为用户车辆进行统一管理。和视野开阔、周围有众多参考物的地面情况相比较,地下停车场存在采光性差、通信质量不佳、车位分布交错、建筑结构复杂等缺点;另一方面,在阴暗的地下停车场内,驾驶员泊车的时候很容易迷失方向,容易出现行车道上众多车辆排队等待,导致在交叉路口车辆拥堵等情形,这些现象都将影响停车场的使用效率;所以为用户提供室内实时位置并根据当前交通为用户规划合理的行车路线具有重要的现实意义与应用价值。针对上述问题,本文从室内定位和路径规划两个方面进行了研究,并结合手机APP对研究内容进行了仿真实现,其主要研究内容及成果包括如下几个方面:(1)定位方面,在低功耗蓝牙技术的支持下,提出了基于iBeacon技术的多边形分解室内定位算法。在常用室内定位算法的基础上进行了优化,提高了室内定位精度,达到了室内定位要求。(2)在最优路径规划方面,本文以经典的Dijkstra算法为基础进行改进,提出了一种适用于地下停车场的最短路径算法——基于时间最优动态排序的车位引导算法模型。算法将传统Dijkstra算法相邻节点之间的权重进行了时间量化,定义该权重随着交通状况而发生变化,将相邻节点间的权重实现了从空间上的静态到时间上动态的转换,以更好地适应地下车库路径导航。(3)在室内定位算法和最优路径规划算法的基础上,为了验证系统的可行性,本文设计了“地下停车场车位引导系统”手机APP,对用户在室内当前位置信息的获取和不同车辆的行车路径规划,并在真实场地进行了实验验证及分析,证明上述方法是有效的。本文的主要研究内容及工作是室内定位和路径规划两个方面,在此基础上提出了一种根据地下停车场室内当前位置,对车辆进行快速导航以及车辆周转系统——基于室内定位泊车导航系统。该系统能准确定位到停车场内车辆的位置,并为进入停车场的车辆在寻找可用泊车位的过程中规划一条时间意义上开销值最小的行车路线。(本文来源于《云南师范大学》期刊2017-05-25）
周坤[10]（2017）在《高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究》一文中研究指出作为全控型器件,MOS栅控功率器件具有高输入阻抗、易驱动等优点,而占分立器件最大市场份额并是功率集成电路的主力功率单元,是AC-DC、DC-DC转换以及功率驱动等芯片的核心器件。功率器件的关键在于实现高耐压、低功耗及高功率密度。作为功率半导体的主力器件,功率MOS存在着Ron,sp∞BV2.5(击穿电压 Breakdown Voltage,B ;V比导通电阻 Specific On-Resistance, Ron,sp)的“硅极限”制约关系。特别地,因空穴的迁移率低于电子的迁移率,p沟道MOS器件中Ron,sp与BV的矛盾关系更为突出。降低表面场(Reduced Surface Field, RESURF)技术与超结(Superjunction,SJ)技术能有效降低功率MOS的Ron,sp并保持高BV。槽型技术则可进一步降低器件所占芯片面积,实现小型化、高密度设计。然而,因实际应用中pLDMOS所接电位的不同,当前RESURF法则并不能直接运用于SOI pLDMOS器件设计,且RESURF技术与超结技术在缩短功率器件横向尺寸方面作用有限;槽型LDMOS器件尚无精确的统一耐压解析模型作为理论指导。IGBT因其具有电导调制效应而在高压大电流应用中更具优势,其中逆阻型(Reverse Blocking, RB) IGBT因同时具备正反向阻断能力,用于矩阵变换器中可以省略二极管,有利于降低AC-AC变频系统的功率损耗,提高转换效率,降低变换系统的体积和成本。然而,基于非穿通(Non-punch-through, NPT)元胞区结构的传统RB-IGBT具有较高的导通损耗及开关损耗。为此,本文围绕高压低功耗MOS栅控功率器件研发中亟待解决的基础问题,从理论模型和器件结构两个方面,从新机理、新材料和新结构方面寻求突破点,面向功率SOI LDMOS及RB-IGBT器件开展研究。本文的创新点在于,建立一个耐压解析模型,在模型指导下提出叁种器件新结构,并进行相关实验研究。1.槽型LDMOS统一耐压解析模型针对槽型LDMOS器件的高压低阻设计,建立槽型LDMOS的统一耐压解析模型,普适于变k介质及均匀介质槽型LDMOS。提出虚拟场板等势解耦法,将槽型器件体内复杂场进行分区解耦,求解二维Poisson方程,获得器件内部关键路径的势场分布解析式,建立耐压解析模型,并导出最优RESURF条件。模型解析结果与仿真结果吻合较好,该模型从理论上揭示了槽型LDMOS关键参数与BV之间的内在联系,获得了高压槽型LDMOS器件的优化设计准则。(相关研究发表于IEEE Transactions on Electron Devices (T-ED), 2015, 62(10): 3334-3340)2.超低比导变k槽型SOI nLDMOS器件新结构在槽型LDMOS耐压解析模型的指导下,基于异质材料融合的思想,提出变k槽型SOI LDMOS器件。新结构将低k介质与Si02介质引入SOI LDMOS耐压区,基于不同介质电位移连续性原理,利用k值的突变,在SOI槽型LDMOS体内产生新的电场峰值,获得最优体内电场分布。与以往通过提高LDMOS漂移区载流子浓度的方式不同,该器件新结构采用了横向功率器件“纵向化”的设计思想,充分利用体内承受横向高压,大幅降低器件横向尺寸,突破功率器件2.5次方“硅极限”制约关系。新结构在BV=600～900V高耐压范围内,Ron,sp仅为15.8-37.7 mQ·cm2,品质因数(FOM=BV2/Ron,sp)高达21.8MW/cm2,优于当前国际上同类槽型LDMOS 器件。(相关研究发表于 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), Hawaii, 2014, 189-192 和 IEEE T-ED, 2015,62(10): 3334-3340)3.电导增强型高压SOI pLDMOS器件机理与新结构针对SOI pLDMOS电气连接特殊性导致RESURF效应受限的问题,本文提出RESURF增强的SOI pLDMOS器件新结构。该器件在N-SOI顶层硅内构建了围绕介质槽的U型P-漂移区。阻断状态下,利用N-SOI顶层硅和介质槽内的垂直延伸栅对P-漂移区产生的多维度耗尽作用,实现增强的RESURF效果。通过解析计算,获得电导增强因子△Q=1.4×1012cm-2～3.4×1012cm-2,而常规SOI pLDMOS漂移区电荷量仅为1011cm-2量级。该器件在BV=329V耐压下实现Ron,sp=17.5mQ·cm2,相比平面型P-top结构的Ron,sp降低79%。此外,新结构实现了对背栅偏置效应的有效屏蔽,以300V级器件为例,器件有源区电学特性能够在VBG=-150V～150V的大范围浮动下保持恒定。(相关研究发表于IEEE T-ED, 2014, 61(7): 2466-2472)4.超低功耗SJ RB-IGBT器件新结构针对常规RB-IGBT元胞区NPT结构导致功耗较高的问题,本文首次提出SJ RB-IGBT器件,新结构兼具双向高压阻断能力、低导通压降及开关损耗。该器件在漂移区采用SJ结构,并引入短路集电极槽,利用短路集电极槽对底部截止层N1辅助耗尽,结合N条顶部N2场截止层,有效解决了 FS IGBT和常规SJ IGBT无法同时承受正反向阻断高压的问题。通过研究新结构通态电流输运机制,揭示了SJ RB-IGBT与常规SJ IGBT不同的导通特性:在线性区导通态,SJ RB-IGBT可在高漂移区浓度下保持双极电流输运模式,增强了电导调制效应,而实现低Von,且降低电学性能对浓度变化的敏感性;在关断瞬态,SJ耐压区的横向电场使器件呈现单极电流输运模式,使SJ RB-IGBT在关断速度方面可与MOSFET媲美,实现无拖尾电流和低关断能耗。因此,SJ RB-IGBT新结构兼具双极型器件大电流能力和单极型器件高关断速度的优点。(相关研究发表于IEEE Electron Device Letters(EDL), 2016, 37(11): 1462-1465)值得一提的是,面向基于矩阵变换器的AC-AC应用,本文研究了 SJRB-IGBT的应用级特性,分析基于SJRB-IGBT的矩阵变换器的换流特性及损耗分布,得出基于SJRB-IGBT的矩阵变换器的总功耗,并与现有RB-IGBT器件进行比较,评估新结构在AC-AC应用的性能优势。(相关研究发表于IEEE Transactions on Power Electronics,已录用)(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-04-06）
功耗模型论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对航空发动机主轴高速球轴承润滑中可能出现的油气混合现象,建立了考虑油气比例系数的高速球轴承拟动力学分析模型,对轴承进行功耗分析。并以某高速球轴承为研究对象,分析了油气比例系数对轴承总功耗的影响,与试验数据对比,加入油气比例系数的拟动力学分析结果更接近台架试验,说明了模型的正确性。同时,分析了油气比例系数对轴承润滑及功耗的影响,结果表明:随油气比例系数增大,油膜厚度增大,内外圈摩擦功耗基本不变,球搅油功耗增大,轴承总功耗增大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
功耗模型论文参考文献
[1].田新华,胡日辉.定制SRAM存储器的时序功耗模型的自动抽取[J].计算机与数字工程.2019
[2].倪真真,董金龙,刘伟.基于油气比例模型的高速球轴承功耗分析[J].轴承.2019
[3].陈卓,刘畅,侯申,郭阳.多核微处理器体系结构级功耗模型分析[J].中南大学学报(自然科学版).2019
[4].李海漪,王涛,李云飞,李成杰,杨非.基于ANSYS/LS-DYNA的滚筒式翻堆机翻抛功耗模型研究[J].中国农机化学报.2019
[5].简鑫,韦一笑,刘钰芩,宋健,曾孝平.窄带物联网非连续接收机制功耗模型与优化[J].通信学报.2019
[6].黄成强,樊爱均,康帅.基于两段直线模型的低功耗高画质显示驱动算法研究及其FPGA实现[J].计算机系统应用.2019
[7].张荣柱,刘学渊.基于神经网络的深松铲作业阻力及功耗的预测模型研究[J].林业机械与木工设备.2019
[8].杨松祥.基于马尔可夫模型的低功耗安全多跳路由机制研究[D].黑龙江大学.2018
[9].黄润飞.基于低功耗蓝牙的地下停车场室内导航模型研究与实现[D].云南师范大学.2017
[10].周坤.高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究[D].电子科技大学.2017
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