论文摘要
碳纳米管作为一种重要的低维纳米材料,具有独特的电子性质,在纳米技术中具有广阔的应用前景。本文基于第一原理密度泛函理论,研究了掺杂和结构效应对碳纳米管性质的影响。我们研究了过渡金属Ti和Zr掺杂在开口碳纳米管端口的稳定结构和电子性质,发现Ti(Zr)原子能够饱和碳纳米管端口的悬挂键,形成封闭结构。Zr原子和开口碳纳米管的相互作用更强。通过对碳纳米管掺杂Ti(Zr)原子,能够有效地提升体系的费米能级,降低体系的功函数,费米能级附近的态密度有显著的提高,可以有效地提高体系的场发射性能。我们也研究了单个Ti原子在单壁碳化硅纳米管外壁的吸附性质以及相应的氢分子吸附性质,给出了Ti原子在单壁碳化硅纳米管外壁不同的稳定位置。C原子和Ti原子之间形成了很强的化学键,而Si原子和Ti原子之间的相互作用则比较弱。在Ti原子附近,最多有四个氢分子可以被吸附,所有的氢分子都处于分子结合态的形式。我们还研究了半导体碳纳米管在Ti表面的稳定性和电子结构性质。放置于Ti表面的碳纳米管在稳定位置会发生明显的横截面形变,C和Ti之间形成较强的化学键。体系的态密度投影到半导体碳纳米管上,纳米管的能隙消失,电子在金属和碳纳米管之间转移的过程中不存在静电势垒。半导体碳纳米管在金属Al表面处于稳定位置时,C和Al之间不成键,碳纳米管仍为半导体性质。这些结果解释了实验上发现的半导体碳管和Ti、Al电极所形成的接触的性质差异。我们还研究了实验上最近发现的一种新的纳米材料——不完整的富勒烯和有缺陷的碳纳米管通过共价键的方式结合成新的“纳米芽”结构。对于锯齿型单壁碳纳米管,无论它为半导体性还是金属性,结合富勒烯形成纳米芽结构之后,费米面附近将出现带隙,纳米芽变成半导体性质;在费米面附近的带隙中,会有局域态出现。对于扶手椅型的单壁碳纳米管,对应的纳米芽结构仍然保持金属性,费米面附近没有明显的带隙存在。
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摘要Abstract第1章 引言1.1 碳纳米管的结构和性质1.1.1 实验制备1.1.2 几何结构1.1.3 电子性质1.2 碳纳米管外壁吸附1.2.1 金属原子吸附概述1.2.2 过渡金属元素的吸附1.2.3 碱金属元素的吸附1.2.4 碳纳米管的储氢作用1.2.5 非金属元素氧、氟的掺杂1.3 碳纳米管的内部填充1.4 其他纳米管结构1.4.1 硼氮纳米管1.4.2 碳化硅纳米管1.4.3 硅纳米管1.4.4 纳米管结状结构1.5 研究目标与研究内容1.5.1 论文研究目标1.5.2 各章主要内容第2章 理论方法2.1 第一原理密度泛函理论2.1.1 多粒子系统的薛定谔方程2.1.2 绝热近似2.1.3 Hohenberg-Kohn 定理2.1.4 Kohn-Sham 方程2.1.5 交换关联近似2.1.6 体系总能与结合能2.2 第一原理赝势平面波方法2.2.1 固体能带计算2.2.2 赝势2.2.3 模守恒赝势2.3 DMol 方法2.3.1 自洽场求解2.3.2 数值基组2.3.3 结构优化2.3.4 Mulliken 占据数分析2.3.5 态密度第3章 过渡金属在开口碳纳米管尖端的性质3.1 本章引论3.2 计算方法和模型3.2.1 建立模型3.2.2 计算方法3.3 几何结构和稳定性3.3.1 稳定几何结构3.3.2 结构稳定性3.4 电子结构性质3.4.1 态密度3.4.2 HOMO 和LUMO3.4.3 差分电荷密度3.4.4 场发射性质3.5 本章小结第4章 过渡金属在碳化硅纳米管外壁及其氢吸附性质4.1 本章引论4.2 理论方法和模型4.2.1 计算方法4.2.2 建立模型4.3 单个 Ti 原子位于碳化硅纳米管外壁4.3.1 稳定位置4.3.2 成键特性4.3.3 管径大小的影响4.4 掺杂体系的氢分子吸附性质4.4.1 氢分子在钛原子附近的稳定构型4.4.2 态密度4.5 本章小结第5章 半导体碳纳米管在金属电极表面的性质5.1 本章引论5.2 计算模型与方法5.2.1 建立模型5.2.2 计算方法5.3 半导体碳纳米管在金属钛表面5.3.1 稳定结构5.3.2 静电势分布5.3.3 态密度5.3.4 管径和电子结构的影响5.4 半导体碳纳米管在金属铝表面5.4.1 稳定结构5.4.2 静电势分布5.4.3 态密度5.5 本章小结第6章 碳纳米管和富勒烯形成的纳米芽结构6.1 本章引论6.2 计算模型与方法6.2.1 建立模型6.2.2 计算方法6.3 纳米芽的几何结构和稳定性6.4 纳米芽的电子性质6.4.1 金属性锯齿型碳纳米管对应的纳米芽6.4.2 半导体性锯齿型碳纳米管对应的纳米芽6.4.3 带隙中的局域态6.4.4 扶手椅型碳纳米管对应的纳米芽6.4.5 纳米芽体系的场发射性质6.5 本章小结第7章 结论参考文献致谢个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果
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