导读:本文包含了多晶陶瓷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:四方多晶氧化锆陶瓷,扫描电子显微镜,能谱仪,离子刻蚀
多晶陶瓷论文文献综述
陈威,胡冬力,顾辉,邢娟娟[1]（2019）在《稀土稳定四方多晶氧化锆陶瓷相变微结构的表征》一文中研究指出基于扫描电镜搭建的表征技术与分析方法集约研究平台,针对钕钇共掺氧化锆陶瓷开展了相变微结构的系统性定量研究。在推进抛光、成像、能谱及背散射通道衍射等技术的协同运用与集成发展的过程中,逐步探讨四方多晶氧化锆陶瓷的复相关系及相变行为。对比分析得到了适用于相鉴别和能谱定量分析的最佳制样方法,并研究了束斑扩展效应对能谱定量结果的影响,进一步结合二次电子和背散射电子成像及分析以解析双相氧化锆陶瓷的相变诱发行为。定量微结构与相关系研究的结合,不但揭示了烧结过程的微观图像,对相变机理的理解及调控也提供了新的可能。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2019年08期）
刘文茂[2]（2018）在《多晶硅企业含硅固废在陶瓷釉料中的应用研究》一文中研究指出本文对多晶硅企业含硅固废替代石英(Si O2)在陶瓷釉料中的应用进行了试验研究,表明多晶硅企业含硅固废替代陶瓷原料石英(Si O2),制备陶瓷釉料是完全可行的。(本文来源于《景德镇学院学报》期刊2018年03期）
杨菲,牛奔奔[3]（2018）在《高温共烧多晶YIG-介质陶瓷复合基片的制备与特性》一文中研究指出采用普通陶瓷工艺分别制备多晶YIG材料及介质陶瓷材料,然后将两者压制成复合生坯后经1420℃以上高温烧结,得到两种材料的共烧复合基片。实验结果表明,适当延长保温时间可以改善复合基片中心YIG的铁磁共振线宽;对复合生坯进行冷等静压处理可以有效改善复合基片中心铁氧体材料的线宽;通过调整复合生坯的成型方式,可以显着减小介质陶瓷与多晶YIG间的共烧反应区域,并且使复合基片中心铁氧体的线宽得到一定改善。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2018年03期）
程亮,李启寿,李强,王伟[4]（2018）在《多晶Nd∶YAG激光透明陶瓷烧结技术研究进展》一文中研究指出多晶Nd:YAG透明陶瓷以其优异的光学、力学和热稳定性能被认为是当前最优异的固体激光器增益介质材料,受到广泛关注和研究。主要论述了烧结助剂及烧结技术对Nd∶YAG陶瓷性能的影响,指出通过合适的烧结技术,可获得高品质多晶Nd∶YAG透明陶瓷,并对Nd∶YAG透明陶瓷烧结技术发展进行了展望。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2018年04期）
戴剑博,苏宏华,周文博,于腾飞[5]（2018）在《单颗金刚石磨粒划擦多晶烧结碳化硅陶瓷试验研究》一文中研究指出为了研究多晶烧结碳化硅陶瓷材料去除机理,利用自行搭建的单颗金刚石磨粒划擦试验平台划擦无压固相烧结碳化硅陶瓷,在线观察单颗金刚石磨粒划擦多晶烧结碳化硅陶瓷成屑过程,同时采集和分析切削力,然后用光学显微镜观察划痕形貌。试验结果表明,烧结碳化硅陶瓷切屑形态有带状和崩碎状2种,成屑过程可分为带状切屑形成阶段、带状切屑堆积阶段以及切屑崩碎阶段;当切削速度v=0.01mm/s时,切向和法向切削力在t=16s时出现显着的拐点,而v=0.04mm/s时,仅仅法向力出现拐点(t=12.5s),由于在拐点之后切屑呈崩碎状,法向力发生显着的波动;在塑性去除阶段,划痕表面仍存在微小鱼鳞状裂纹,在脆性去除阶段,随着未变形切厚增加,断裂凹坑由间断区域转变成连续区域,直至断裂面扩展至非划痕区域。(本文来源于《航空制造技术》期刊2018年06期）
范灵聪,施鹰,谢建军[6]（2018）在《多晶铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷的制备和发光性能》一文中研究指出本工作对铈离子掺杂多晶硅酸镥(LSO:Ce)闪烁材料的制备方法进行了系统研究。将LSO:Ce前驱体溶胶喷雾干燥后得到了球形LSO:Ce前驱粉体,该前驱粉体在1000℃和1100℃的温度下煅烧后分别得到了不同晶型的的单相LSO:Ce球形粉体。显微结构观察显示:粉体颗粒的平均直径约为2μm,是由几十纳米大小的LSO:Ce纳米晶粒堆积而成。A型球形LSO:Ce粉体经1200℃/80MPa的放电等离子体烧结(SPS)后获得了平均晶粒尺寸为1.3μm,相对密度高达99.7%的LSO:Ce闪烁陶瓷。由A型球形LSO:Ce粉体压制的素坯在1650℃的空气气氛下烧结4 h后可获得相对密度达98.6%,平均晶粒尺寸为1.6μm的LSO:Ce陶瓷。该陶瓷经1650℃/150 MPa的热等静压(HIP)处理1 h后,获得了相对密度为99.9%的半透明LSO:Ce闪烁陶瓷,其平均晶粒尺寸为1.7μm,晶界干净。该LSO:Ce陶瓷的光产额可达28600 photons/MeV,发光衰减时间为25 ns。(本文来源于《无机材料学报》期刊2018年02期）
李迪,陈清明,陈晓慧,李之昱,张亚林[7]（2018）在《La_(0.67)Ca_(0.33-0.5x)Li_xMnO_3多晶陶瓷结构及电学性能研究》一文中研究指出用溶胶-凝胶法制备La_(0.67)Ca_(0.33-0.5x)Li_xMnO_3(x=0.00,0.05,0.10,0.20)多晶陶瓷,用XRD分析多晶陶瓷的晶体结构,用SEM对多晶陶瓷的微观形貌进行分析,用标准四探针法测量电阻率-温度关系。结果表明,随着Li掺杂量的增加,所有样品均为斜方晶系,晶胞体积不断减小,金属-绝缘体转变温度(TP)降低,电阻率不断增加,电阻率温度系数(TCR)不断减小。低温区域(T<TP)的电阻率数据可以用ρ(T)=ρ0+ρ_2T~2+ρ_(4.5)T~(4.5)进行拟合;高温区域(T>TP)的电阻率数据可以用小极化子跃迁(SPH)模型和变程跳跃(VRH)模型进行拟合。整个温度区域(100~300K)可以使用渗透模型对电阻率进行拟合。从拟合数据可知极化子激活能Ea随Li掺杂量的增加而增大,这是由于Li的加入减小了Mn~(3+)-O~(2-)-Mn~(4+)的键角,增大了有效带宽的间隙,因此也减弱了双交换作用,增大了电阻率。(本文来源于《材料导报》期刊2018年02期）
郭文荣,包金小,宋希文[8]（2016）在《氧化钇稳定氧化锆四方多晶陶瓷的制备工艺和性能研究》一文中研究指出本文采用高能球磨法制备了3 mol%氧化钇稳定的四方多晶氧化锆陶瓷(3Y-TZP)粉体,采用反应烧结法制备陶瓷样品.分别利用X射线衍射仪(XRD)、TristarⅡ3020全自动比表面积分析仪、扫描电子显微镜(SEM)、WDW3200微控电子万能试验机和HV-50A型维氏硬度计对陶瓷材料的物相组成、粉体比表面积、显微组织结构、3点弯曲强度和断裂韧性进行表征和检测.结果表明,氢氧化锆经一定温度煅烧后加入3 mol%氧化钇和质量分数为0.25%的氧化铝混磨,经1 450℃烧结后,相组成为单一四方相;粉体比表面积随球磨转速和时间的增加而变大;陶瓷晶粒细小均匀,致密性高;陶瓷样品的3点弯曲强度随粉体比表面积的增加先升高后降低;断裂韧性随比表面积的增加先减小后升高;试样的抗老化性能优良.(本文来源于《内蒙古科技大学学报》期刊2016年03期）
刘运芳[9]（2016）在《层状陶瓷材料多晶微结构模拟与力学响应》一文中研究指出由于层状陶瓷复合材料具有独特的迭层结构,研究者能从宏观结构的角度对其进行层内和层间设计,从而制备综合性能优异的新型陶瓷材料。层状陶瓷材料微观多晶结构和宏观多层结构共同决定了材料的性能。然而,在目前的数值模拟研究中,大部分仅对陶瓷块材多晶微结构进行模拟,缺乏从原子尺度、多晶微结构尺度和层状结构对层状陶瓷的“结构-力学响应”关系开展数值模拟,也尚无相关计算软件。本文针对层状陶瓷基复合材料,从材料的微观多晶和宏观多层结构出发,综合采用第一性原理、蒙特卡罗方法和有限元数值计算方法,分析具有多晶微结构的层状陶瓷材料的力学响应,发展层状结构陶瓷材料参数化设计软件,为制备新型层状陶瓷基复合材料提供指导依据。主要研究内容与结果如下:(1)采用蒙特卡罗方法模拟了多晶微结构演变,并采用有限元数值方法对多晶微结构进行了力学响应分析。研究结果表明:多晶微结构的平均晶粒随着模拟时间的增大而增大,平均应力大小与平均晶粒大小符合Hall-Petch关系。(2)在单层多晶结构的基础上,采用蒙特卡罗方法模拟层状材料多晶微结构演变,并进行了有限元力学响应分析,重点研究了层数,层厚比,模量比等材料参数对层状结构材料力学响应的影响规律。研究结果表明:(a)对于叁层材料,当层厚比变化时,材料硬(软)层所占比例随之变化,相应微结构模型的平均应力也发生变化。当内外层模量比大于2时,平均应力随着内层材料厚度增大而增大,当模量比小于1时,平均应力随着内层材料的厚度增大而减小。(b)对于强晶界材料,不论材料的迭层顺序是外层为硬层还是为软层,材料平均应力均随着晶粒长大而减小。对于外层为硬层时,材料的平均应力随着材料层数增多而减小,而对于外层为软层时,材料平均应力随着材料层数增多而增大。(c)对于均匀材料,平均应力与模量比呈线性增长关系;对于非均匀材料,平均应力与模量比呈非线性增长关系。(3)计算了层状结构陶瓷复合材料的残余应力及表观断裂韧性,并研究了材料层数、层厚比、烧结温度以及模量比等参数对层状陶瓷材料残余应力及表观断裂韧性的影响规律。研究结果表明:(a)当奇偶层层厚比等于1时,随着层数增多,单层越薄,受压层应力增大,受拉层应力减小。当裂纹尖端处于外层受压层时,表观断裂韧性随材料层数的增多而增大。当内外层总厚度比等于1时,拉压层的应力大小相等,且不随层数的变化而改变。当层数增多时,在压/拉层界面处的表观断裂韧性降低,但在拉/压层界面处的表观断裂韧性增大。(b)当奇偶层层厚比增大时,压应力大小降低,而拉应力大小增大。当裂纹尖端处于受压层,表观断裂韧性随层厚比的增大而增大。(c)烧结温度越高,在压/拉界面处的表观断裂韧性越大,在拉/压界面处的表观断裂韧性越小,但二者变化幅度均不大,说明烧结温度影响较小。(d)在压/拉界面处,模量比越大,表观断裂韧性越小,而在拉/压界面处,模量比越大,表观断裂韧性也越大。(4)采用面向对象程序设计,在OMTDesk软件平台下开发了交互式图形用户界面软件PCLab(Partical Cloud Laboratory),软件集成MC和FEM模块,可进行多层多晶微结构演变模拟与力学响应分析,能快速有效的研究层状材料结构的力学性能等多物理场问题。(5)提出了综合第一性原理、蒙特卡罗及有限元模拟的层状结构复合材料宏微观设计思路,并从原子尺度、多晶微结构尺度和层状结构对所设计的HfC/BN、Zr B2/BN和SiC/BN叁种层状材料的“结构-力学响应”关系进行了数值模拟,研究结果表明:相同多晶结构及晶粒界面效果作用下HfC/BN的承载能力最强,ZrB2/BN次之,SiC/BN最低;不同的多晶结构或不同的晶粒效果作用下,叁种材料具有相同或相近的力学响应。(本文来源于《西北工业大学》期刊2016-05-01）
郇宇[10]（2016）在《KNN基无铅压电陶瓷在多晶型相界附近的结构与性能》一文中研究指出本论文以Li,Ta和Sb共掺(K,Na)NbO_3(KNN-LTS)无铅压电陶瓷为研究对象,制备了高压电性能的KNN-LTS无铅压电陶瓷,改善了陶瓷的烧结性能。研究了陶瓷中的电畴结构、原子结构与压电性能之间的关系,探讨了(K,Na)NbO_3基材料在多晶型相界(PPT)区间压电性能增强的原因。首先利用“线性组合规则”预测(K,Na)NbO_3基材料的PPT相界。线性组合规则可以表述为n元系的PPT组分可以通过两个(n-1)元系的PPT组分线性组合获得。以此方法寻找到了KNN-LTS体系的PPT相界成分(Na0.52K0.4415Li0.0385)(Nb0.8735Ta0.064Sb0.0625)O_3,固相法制备的该成分陶瓷的压电常数33d可达到359pC/N,高于文献报导的平均水平。线性组合规则之所以能在(K,Na)NbO_3基陶瓷中推广,是因为在两个(n-1)元体系的PPT相界的连接线上,介电常数和极化强度会呈现相反的变化规律,导致压电常数在中间某一点会出现峰值,从而获得组元的PPT相界区间。实验表明溶胶凝胶法制备的KNN-LTS纳米粉体的烧结温度低、烧结区间宽。(Na0.52K0.4425Li0.0375)(Nb0.86Ta0.06Sb0.08)O_3组分纳米粉体烧结的陶瓷致密度高、成分均匀,33d约为424pC/N,2kV/mm下的逆压电常数*33d约为680pm/V。同配方固相法制备的陶瓷的33d仅有342pC/N,2kV/mm下的*33d仅有490pm/V。研究发现在纳米粉制备的陶瓷中存在大量尺寸为20~40nm的纳米电畴,这种纳米电畴的畴壁能比较低,在电场的作用下很容易运动,增强了陶瓷高场下的压电活性。利用X射线吸收精细谱对不同晶体结构(K,Na)NbO_3基陶瓷的B位原子与近邻氧原子的键长进行研究。发现在单相区间内,陶瓷有叁个不同的B-O键键长;在PPT相界内,陶瓷有多于叁个的不同B-O键键长。证实陶瓷在PPT相界内自发极化方向增多,电畴易翻转,压电性能得以增强。通过分析中低场强和高场下KNN-LTS陶瓷的机电性能,分别研究了畴壁平移和电畴翻转在不同相结构陶瓷中对压电性能的贡献,从而建立了陶瓷的宏观机电性能与微观电畴结构之间的关系。并发现极化后陶瓷在PPT相界区间内,畴壁的平移运动比较困难,电畴的翻转运动比较容易。因而PPT相界高压电活性主要来源于电畴的翻转运动。(本文来源于《清华大学》期刊2016-04-01）
多晶陶瓷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文对多晶硅企业含硅固废替代石英(Si O2)在陶瓷釉料中的应用进行了试验研究,表明多晶硅企业含硅固废替代陶瓷原料石英(Si O2),制备陶瓷釉料是完全可行的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多晶陶瓷论文参考文献
[1].陈威,胡冬力,顾辉,邢娟娟.稀土稳定四方多晶氧化锆陶瓷相变微结构的表征[J].硅酸盐学报.2019
[2].刘文茂.多晶硅企业含硅固废在陶瓷釉料中的应用研究[J].景德镇学院学报.2018
[3].杨菲,牛奔奔.高温共烧多晶YIG-介质陶瓷复合基片的制备与特性[J].磁性材料及器件.2018
[4].程亮,李启寿,李强,王伟.多晶Nd∶YAG激光透明陶瓷烧结技术研究进展[J].中国陶瓷.2018
[5].戴剑博,苏宏华,周文博,于腾飞.单颗金刚石磨粒划擦多晶烧结碳化硅陶瓷试验研究[J].航空制造技术.2018
[6].范灵聪,施鹰,谢建军.多晶铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷的制备和发光性能[J].无机材料学报.2018
[7].李迪,陈清明,陈晓慧,李之昱,张亚林.La_(0.67)Ca_(0.33-0.5x)Li_xMnO_3多晶陶瓷结构及电学性能研究[J].材料导报.2018
[8].郭文荣,包金小,宋希文.氧化钇稳定氧化锆四方多晶陶瓷的制备工艺和性能研究[J].内蒙古科技大学学报.2016
[9].刘运芳.层状陶瓷材料多晶微结构模拟与力学响应[D].西北工业大学.2016
[10].郇宇.KNN基无铅压电陶瓷在多晶型相界附近的结构与性能[D].清华大学.2016