论文摘要
我们利用具有宽禁带的氧化物半导体材料MoOx作为空穴注入层,插入到阳电极Ag与有机层之间,提高了空穴注入的能力,使器件的性能有了明显的改善。并且我们通过改变MoOx薄层的厚度从5nm到20nm,器件的性能没有明显的降低。因此证明MoOx是一种较为优良的空穴注入材料,使器件的制作具有较好的操控性和可重复性。利用顶发射器件中的微腔效应,调节器件中有机层的厚度,使谐振腔长与Alq3的电致发光主峰波长相匹配,以达到利用微腔效应对电致发光光强增益的效果。最终,我们使利用MoOx作为空穴注入层的顶发射有机电致发光器件的性能得到优化,获得了开启电压为2.5V,4V下效率达到8.9cd/A,7V下效率达到最高11.7cd/A,12V时达到99100cd/m2最高亮度的高性能器件。在倒置顶发射器件结构中,不同的生长次序使得器件面临着新的问题,尤其是电极的制作。我们采用了较厚的Ag作为底部反射镜,并在上面生长一层较薄的Mg:Al合金为阴极,以提高电子的注入。同时,还利用对可见光吸收较低的Ag作为半透明阳极,并用MoOx作为空穴注入层,很好的满足了与m-MTDATA的能级匹配,以提高空穴注入,最终获得了非掺杂的高性能倒置顶发射有机电致发光器件。
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