论文摘要
本文采用将变分法与求解力平衡方程相结合的方法,在光学声子散射起主要作用温区,从理论上讨论在其散射下,应变纤锌矿AlN/GaN单异质结中电子的迁移率及其应变和压力效应.考虑导带弯曲和有限高势垒的真实异质结势及电子的隧穿效应,给出界面（IF）及半空间（HS）光学声子作用下电子迁移率随面密度Ns及温度T变化的数值计算结果.结果表明:当Ns由1.0×1012/cm2变化到6.5×1012/cm2时,迁移率随压力的增加而下降.异质结界面处的应变也会导致迁移率下降,且考虑应变后,压力对迁移率的影响将减弱。当温度由250K增加至600K时,应变和压力效应则更为显著.当温度为定值时（300K）,随着NS的增加,迁移率先升后降,而应变及压力则使该趋势减弱。结果还表明:来自沟道区的半空间声子模的散射对迁移率起主导作用,而随着Ns的增加,界面声子的散射作用逐渐显著。但无论是否考虑应变和压力效应,电子迁移率均随温度增加而下降.
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