导读:本文包含了超高亮发光二极管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:外延片,高亮度发光二极管,多量子阱,白光二极管
超高亮发光二极管论文文献综述
[1]（2015）在《超高亮度发光二极管外延片和芯片产业化》一文中研究指出项目概况随着第叁代半导体材料氮化镓的突破和超高亮度蓝、绿、红、白光二极管的问世,半导体采用LED作为新光源,同样亮度下,耗电仅为普通白炽灯的1/10,使用寿命10万小时,是白炽灯的30倍。半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯,也是大势所趋。本项目主要解决新型超高亮度AlGalnP四元系外延片产业化中的多量子阱稳定生长及进一步提高发光效率等多项关键技术问题,形成成本控制、成品率控制、技术管理规范、设备维护等规范。着重解决发光二极管产业化的稳定性,重复性以及均匀性等关键问题。(本文来源于《中国科技信息》期刊2015年24期）
[2]（2015）在《超高亮度发光二极管外延片和芯片产业化》一文中研究指出项目概况随着第叁代半导体材料氮化镓的突破和超高亮度蓝、绿、红、白光二极管的问世,半导体采用LED作为新光源,同样亮度下,耗电仅为普通白炽灯的1/10,使用寿命10万小时,是白炽灯的30倍。半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯,也是大势所趋。本项目主要解决新型超高亮度AlGaInP四元系外延片产业化中的多量子阱稳定生长及进一步提高发光效率等多项关键技术问题,形成成本控制、成品率控制、技术管理规范、设备维护等规范。着重解决发光二极管产业化的稳定性,重复性以及均匀性等关键问题。(本文来源于《中国科技信息》期刊2015年22期）
钟继[3]（2007）在《超高亮度发光二极管芯片切割技术》一文中研究指出介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景。结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯片脱落以及划片裂片不良等问题进行了探讨并提出了解决方法。指出激光切割技术是LED芯片切割工艺发展的必然趋势。(本文来源于《半导体技术》期刊2007年07期）
[4]（2005）在《第二届超高亮度发光二极管(LED)和半导体照明产业发展与应用论坛征文启事》一文中研究指出半导体照明技术将使照明光源发生巨大变革,世界照明史正在翻开新的一页。面对超高亮度发光二极管市场的巨大需求与商机,我国政府相关部委积极引导推动,反响巨大。企业团体积极应对,成绩斐然。为推动半导体照明与超高亮度发光二极管的技术进步,各单位之间科技开发和经验的(本文来源于《液晶与显示》期刊2005年05期）
郭霞,沈光地,王国宏,王学忠,杜金玉[5]（2002）在《新型高效隧道再生多有源区超高亮AlGaInP发光二极管》一文中研究指出分析了传统的发光二极管所存在的问题,提出了一种新的发光机制——高效隧道再生多有源区发光机制,详细介绍了新型发光管的工作原理,结构和制备工艺.通过理论和测试分析,验证了新机理器件的轴向光强随有源区的数目增加而线性增加的物理思想,实现了在小电流下的高亮度发光.器件在未生长厚电流扩展层的情况下,峰值波长在625nm左右,20mA注入电流下,15°普通封装,轴向光强最大超过5 cd.(本文来源于《中国科学E辑:技术科学》期刊2002年02期）
方志烈[6]（2001）在《超高亮发光二极管及其应用的现况与展望》一文中研究指出按正常发展看,白光LED照明效率可以从目前的201m/W发展到2002年301m/W,2005年401m/W,2010年501m/W。如果乐观的看,取得革命性进展,则是到2010年达到1001m/W,2020年达到2001m/W,其效率超过目前所有的电光源。材料和技术发展路线:(本文来源于《第九届全国发光学术会议摘要集》期刊2001-09-01）
方志烈[7]（1997）在《超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管》一文中研究指出介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。(本文来源于《半导体光电》期刊1997年02期）
方志烈[8]（1996）在《铟镓氮超高亮度蓝色发光二极管》一文中研究指出从材料、器件、结构、特性及其应用等方面介绍了ＩｎＧａＮ超高亮度蓝色发光二极管。这种器件峰值波长为４５０ｕｍ，外量子效率是２．７％。在正向电流２０ｍＡ时，亮度达１．２ｃｄ，正向压降为３．６Ｖ，比市售的其它蓝色发光二极管的亮度提高１００倍，其在室外全色显示方面具有广阔的应用前景。(本文来源于《半导体光电》期刊1996年02期）
方志烈[9]（1995）在《超高亮度（烛光级）发光二极管进展》一文中研究指出介绍了各种发光波长超高亮度发光二极管的材料、器件、特性、结构及其应用，现已发展和生产坎德拉级的超高亮度橙红色、黄色、绿色和蓝色发光二极管。(本文来源于《激光与红外》期刊1995年04期）
方志烈[10]（1994）在《InGaA1P超高亮度发光二极管》一文中研究指出介绍了ＩｎＧａＡ１Ｐ超高亮度发光二级管的材料、器件、特性、结构及其应用。现已发展和生产坎德拉级的超高亮度投红色、黄色和绿色发光二极管。(本文来源于《半导体光电》期刊1994年03期）
超高亮发光二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
项目概况随着第叁代半导体材料氮化镓的突破和超高亮度蓝、绿、红、白光二极管的问世,半导体采用LED作为新光源,同样亮度下,耗电仅为普通白炽灯的1/10,使用寿命10万小时,是白炽灯的30倍。半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯,也是大势所趋。本项目主要解决新型超高亮度AlGaInP四元系外延片产业化中的多量子阱稳定生长及进一步提高发光效率等多项关键技术问题,形成成本控制、成品率控制、技术管理规范、设备维护等规范。着重解决发光二极管产业化的稳定性,重复性以及均匀性等关键问题。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
超高亮发光二极管论文参考文献
[1]..超高亮度发光二极管外延片和芯片产业化[J].中国科技信息.2015
[2]..超高亮度发光二极管外延片和芯片产业化[J].中国科技信息.2015
[3].钟继.超高亮度发光二极管芯片切割技术[J].半导体技术.2007
[4]..第二届超高亮度发光二极管(LED)和半导体照明产业发展与应用论坛征文启事[J].液晶与显示.2005
[5].郭霞,沈光地,王国宏,王学忠,杜金玉.新型高效隧道再生多有源区超高亮AlGaInP发光二极管[J].中国科学E辑:技术科学.2002
[6].方志烈.超高亮发光二极管及其应用的现况与展望[C].第九届全国发光学术会议摘要集.2001
[7].方志烈.超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管[J].半导体光电.1997
[8].方志烈.铟镓氮超高亮度蓝色发光二极管[J].半导体光电.1996
[9].方志烈.超高亮度（烛光级）发光二极管进展[J].激光与红外.1995
[10].方志烈.InGaA1P超高亮度发光二极管[J].半导体光电.1994