论文摘要
本论文对45°偏转镜面发射半导体激光器结构进行了优化设计，具体考虑了两种45°偏转镜面发射半导体激光器：折叠腔面发射和组合式发射，设计了具体的工艺过程。采用分子束外延设备对InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱材料进行了外延生长，分析了Ⅴ／Ⅲ束流比、衬底温度、衬底取向、掺杂及生长速率等一些重要工艺参数对外延材料质量的影响。利用X射线双晶衍射仪、光荧光谱仪(PL)等多种方法研究了InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器外延材料的性质。考虑了应变对InGaAs材料晶格参数的影响，由X射线衍射实验数据确定了多量子阱材料的结构参数。光荧光实验中观察到了1#InGaAs／GaAs量子阱中n=1的基态发光峰。在此基础上进行了面发射半导体激光器二维面发射半导体激光器二维(2D)列阵的制备研究，初步获得了具有较低阀值电流密度和较高功率的45°偏转镜面发射列阵半导体激光器，为研制高可靠性、高功率、低阀值电流的面发射阵列半导体激光器奠定了一定和基础。
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