InGaAsP/InP半导体功率放大激光器及列阵的研究

论文摘要

本文从半导体物理、激光理论、光放大理论出发，研究一个高功率半导体功率放大激光器（LD-SLA），具体方案是采用分子束外延法在InP衬底上生长InGaAsP／InP的增益导引氧化物条型LD外延片，对该外延片进行光刻和化学试剂腐蚀，将其分割成LD和SLA，采用直接耦合的方式将LD与SLA集成一体，使输出功率提高了一个数量级。由此得出用一种高功率半导体功率放大激光器及列阵代替传统的LD及列阵可以大大减少管芯的使用数量、提高激光输出质量、优化光源系统和冷却系统，实现集成降低成本，使激光输出功率成倍提高。用LD-SLA来代替传统的LD来泵浦固体激光器也有很大的发展前景。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 目录
• 第一章 引言
• 1.1 半导体激光器的进展
• 1.2 大功率半导体激光器的概况及应用
• 第二章 光放大器及半导体激光器的原理及特性
• 2.1 激光原理
• 2.2 光放大器的工作原理及特性参数
• 2.3 半导体激光器的工作原理
• 2.4 半导体激光器的输出特性
• 第三章 InGaAsP／InP功率放大激光器的研究
• 3.1 InGaAsP／InP双异质结激光器介绍
• 3.2 器件的工艺流程研究
• 3.3 分子束外延生长
• 3.4 InGaAsP／InP外延片的结构
• 3.5 InGaAsP／InP器件的理想结构模型
• 3.6 InGaAsP／InP器件外部工艺设想
• 3.7 InGaAsP／InP器件的设计原理及理论证明
• 第四章 InGaAsP／InP器件在列阵中的应用
• 4.1 InGaAsP／InP器件性能的优点分析
• 4.2 大功率激光器列阵的关键技术
• 4.3 InGaAsP／InP器件应用在列阵上的优点
• 第五章 总结
• 致谢
• 参考文献