论文摘要
在一定气体氛围内用超短激光脉冲照射硅表面,可在硅表面产生准规则排列的微米量级尖峰结构,形成具有强吸收的表面微构造硅。研究表明用飞秒激光脉冲刻蚀硅表面所形成的微结构与激光脉冲数、通量、偏振特性,背景气体种类、气压等有关,从而获得了控制表面形态的基本实验参数和规律。观察了不同背景气体环境下刻蚀过程中产生的等离子图谱,发现等离子光谱依赖于刻蚀过程中的背景气体种类和气压,在SF6背景气体中得到的等离子谱最强,并且开始时其强度随着气压的增加而增加,直到70 kPa时达到最强,然后随压强的增加而减弱。同时,等离子光谱的信号提供了刻蚀反应的信息,通过对光谱的分析,探讨了不同背景气体条件对刻蚀过程以及硅表面微结构的影响,得到了最佳的刻蚀背景气体条件。研究了微构造硅及其表面金属薄膜的从近紫外到中红外(0.3-16.7μm)的吸收特性,实验表明其具有宽波段的增强光吸收,对背景气体、表面形貌和薄膜厚度对光吸收的影响进行了探讨。在SF6和N2中制备的微构造硅表面形貌有很大差异,其光吸收性质也不同;而且表面尖峰高度和密度不同的样品其吸收也不相同,表明微构造硅的表面形貌对光吸收性质起着重要作用。对于经过镀银膜的表面微构造硅,其吸收率也随表面尖峰高度的密度变化而变化;并且吸收率随膜厚增加而减小。微构造硅这种0.3-16.7μm宽波段的强光吸收使其在红外探测器、隐身技术、高效太阳能电池等方面有很大的潜在价值。
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