论文摘要
致密WO3光阳极材料存在光量子产率低、无法充分利用可见光等问题。基于此本文探索了WO3多孔薄膜的制备方法。以聚苯乙烯(PS)微球为模板,采用电泳沉积法制备了WO3多孔薄膜。采用非水溶液电沉积方法,以CdS为敏化剂对WO3多孔薄膜进行敏化改性。通过场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)及光电化学分析等手段对薄膜的形貌、化学组成及光电化学性能进行了研究。以钨粉为钨源,采用过氧钨酸法制备了WO3前躯体溶胶,结合模板法与电泳沉积法制备了WO3多孔薄膜。多孔薄膜孔道结构排列有序,孔径约为250nm;经过热处理后为单斜晶系WO3,平均晶粒尺寸约为34.6nm;PS球在煅烧过程中为WO3多孔薄膜形成了碳掺杂;多孔薄膜吸收光谱相对致密薄膜发生明显红移,禁带宽度由2.8eV降低到2.3eV。研究发现,多孔结构和碳掺杂是影响光电化学性能的主要因素。控制醇酸比为3:1、沉积时间为2min、煅烧温度为450℃时制备的多孔WO3薄膜具有最佳光电化学性能,其光电流密度为1.93mA·cm-2,约为致密薄膜的2倍。以Cd(NO3)2及单质S作为CdS的离子来源,采用非水溶液电沉积方法制备了CdS敏化WO3薄膜。与WO3多孔薄膜相比,在-2.5V沉积电位及350℃煅烧温度下制备的CdS敏化WO3薄膜吸收边缘向长波方向移动,禁带宽度降低到1.8eV;光生载流子浓度提高了一倍;在0V(vs Ag/AgCl sat.)时光电流为1.2mA·cm-2。
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