导读:本文包含了择优氧化论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氧化镓,择优取向,溅射,紫外探测器
择优氧化论文文献综述
杨妮[1]（2016）在《氧化镓薄膜的择优取向制备及其应用研究》一文中研究指出Ga_2O_3作为宽禁带的半导体氧化物材料,在光电、压电、气敏、光敏等领域具有广阔的或潜在的应用前景。目前国内外对Ga_2O_3材料的研究主要集中在利用多晶以及单晶的Ga_2O_3制备出性能良好的日盲紫外探测器,单晶Ga_2O_3作有源层可以得到良好的紫外探测性能,但制备成本高昂,多晶Ga_2O_3薄膜结晶质量较差,作有源层其导电性能太差,不利于作为器件使用。具有高度择优取向的Ga_2O_3薄膜介于多晶与单晶之间,具有良好的光电性能。本文在此基础上,以碳化硅和蓝宝石作为衬底,采用磁控溅射法制备择优取向的Ga_2O_3薄膜,考虑到氧化镓与这两者的晶格失配,选取与b轴平行的晶面为生长面,可实现与衬底之间较小的晶格失配,有利于提高薄膜结晶质量,并能有效改善薄膜导电性。因此,本论文基于碳化硅和蓝宝石衬底上制备择优取向的氧化镓薄膜并研究其作GaN缓冲层和紫外探测器这两方面的应用。利用磁控溅射法在碳化硅衬底上制备Ga_2O_3薄膜,系统研究了射频功率、溅射气压、薄膜厚度以及退火温度对Ga_2O_3薄膜表面形貌和结构特性的影响。实验结果显示,射频功率、溅射气压和薄膜厚度会对Ga_2O_3薄膜的结晶质量产生一定影响,但对结构影响不大。对Ga_2O_3薄膜进行不同温度的退火处理,研究结果显示,退火温度升高,薄膜的结晶质量有明显改善,而退火温度过高,会破坏薄膜晶体结构,薄膜的择优取向变差。此外,退火温度也会对对薄膜的禁带宽度和电阻率产生影响,这主要是由于退火导致薄膜表面氧空位、位错等缺陷密度改变,从而改变了薄膜的光学和电学性能。制备了Ga_2O_3基MSM型紫外探测器,并进一步研究了薄膜退火温度对探测器性能造成的影响。研究结果表明,制得的氧化镓基紫外探测器对254 nm的紫外光具有良好的光响应。不同退火温度处理后的氧化镓薄膜制备的探测器,其性能也发生了明显改变,探测器的响应时间随退火温度的升高而缩短,光暗电流比随退火温度升高先增大后减小。在蓝宝石衬底上制备Ga_2O_3薄膜,同样研究了退火温度对Ga_2O_3薄膜的结晶质量、光电性能等方面的影响,以此作为外延生长GaN缓冲层,利用激光脉冲沉积法制备了GaN薄膜。实验结果发现,氮化镓和蓝宝石的润湿性差,不能形成结晶质量较好的氮化镓薄膜。插入氧化镓膜作为缓冲层可以明显改善氮化镓外延层的结晶质量,900℃退火后的氧化镓作缓冲层获得的外延氮化镓结晶质量为最好。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2016-12-01）
朱田,侯明华,温剑波[2]（2014）在《防止热电偶择优氧化的几种方法》一文中研究指出针对井式气体渗碳炉顶置式主控热电偶采用常规热电偶易发生择优氧化的情况,提出了几种解决方法,经过试验取得良好的效果。(本文来源于《热处理技术与装备》期刊2014年01期）
朱田,侯明华,温剑波[3]（2014）在《防止热电偶择优氧化的几种方法》一文中研究指出目前世界上先进的大型井式渗碳炉均采用顶置式主控测温热电偶的温度检测方法。由于顶置式热电偶能迅速、准确测量出炉膛有效工作区内的温度,从20世纪80年代开始,一直被亚洲中外炉,欧洲得固萨、艾协林等大公司采用。但当国产热电偶替代进口热电偶使用时,却出现了如下故障(K分度(本文来源于《中国计量》期刊2014年02期）
梁婷,张国英,李丹,路广霞,朱圣龙[4]（2011）在《Ni-Cr-Al合金择优氧化及其影响机理的第一原理研究》一文中研究指出采用基于密度泛函理论的赝势平面波第一原理方法,研究了Ni-Cr-Al合金择优氧化及其影响机理。研究结果表明,Al,Cr不在Ni表面发生偏聚,Y却发生偏聚。氧吸附促使含Al,Cr镍合金表面偏聚反转,这对发生择优氧化起到了决定性的作用。合金元素向表面偏聚强弱的顺序为Y>Cr>Al。Cr,Al,Y存在使O于Ni合金表面化学吸附更稳定,尤其是Cr,这可以解释Ni合金氧化皮外层一般是Cr2O3,内层是Al2O3的事实。稀土促进Ni-Cr-Al合金选择性氧化是因为稀土氧化物Y2O3有助于Cr2O3,Al2O3成核。合金元素Al,Cr,Y使Ni合金表面活性增强,有助于表面Al,Cr,Y氧化物形成,产生择优氧化。O与Al,Cr,Y形成较强的共价键,与Ni形成较弱的共价键,因此Ni-Cr-Al合金表面容易生成Al2O3或Cr2O3氧化膜。O吸附使Ni,Cr,Y的d电子转移到氧原子上,因此形成的化学键兼有共价键和离子键的特性。(本文来源于《沈阳师范大学学报(自然科学版)》期刊2011年02期）
文波,苏晓东[5]（2008）在《衬底温度对钇稳定氧化锆薄膜择优生长的影响》一文中研究指出使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)薄膜,用XRD分析薄膜的结晶取向,SEM和AFM观测薄膜表面形貌,研究了在200-650℃的不同衬底温度下薄膜的择优生长.结果表明:衬底温度较低的YSZ薄膜为非品组织,衬底温度为300—500℃时YSZ晶粒以表面能低的(111)面首先择优生长,衬底温度超过550℃后品粒活化能提高而使表面能较高的(100)晶粒择优生长.YSZ薄膜是典型的岛状叁维生长模式,较高的衬底温度有利于原子在衬底表面迁移和重排结晶长大.同其它沉积技术相比,用PLD技术能在比较低的衬底温度下在Sj(100)表面原位外延生长出较高质量的YSZ薄膜.(本文来源于《材料研究学报》期刊2008年02期）
黄令,杨防祖,许书楷,周绍民[6]（2005）在《碱性介质中高择优取向(220)镍电极上乙醇的电氧化》一文中研究指出采用循环伏安法和现场红外反射光谱研究了1.0mol/LNaOH溶液中高择优取向镍电极上乙醇的电催化氧化活性及机理。结果表明,高择优取向镍电极对乙醇的电氧化有较高的催化作用,氧化的产物为CH3COO-;采用稳态法推导出乙醇的电氧化动力学方程,运用稳态极化曲线测定了其电氧化过程的动力学参数,高择优取向(220)镍电极在碱性溶液中形成的Ni(Ⅲ)与乙醇的反应速率常数k2=5.7×10-6L/(mol·s),Ni(Ⅱ)氧化为Ni(Ⅲ)的反应速度常数k1=4.9×10-13exp(0.52FE/RT),Ni(Ⅲ)还原为Ni(Ⅱ)的反应速度常数k-1=3.7×10-4exp(-0.48FE/RT)。(本文来源于《应用化学》期刊2005年06期）
黄令,许书楷,周绍民[7]（1997）在《碱性介质中高择优取向(220)镍电极上丙醇的电氧化》一文中研究指出对1．0mol／LNiSO4和0．5mol／LH3BO3体系，控制电位为-1．25V，沉积60min，制得高择优取向镍电极．该镍电极经X射线衍射测定其织构度TC220为92％．采用循环伏安法研究了1mol／LNaOH溶液中高择优取向镍电极上丙醇的电催化氧化机理及活性，结果表明：高择优取向镍电极对正面醇的电催化活性高，对异丙醇的电催化活性小；推导出正丙醇的电氧化动力学方程，运用稳态极化曲线测定了其电氧化过程的动力学参数．Ni（Ⅱ）氧化为Ni（Ⅲ）的反应速度常数K1（E）＝5．25×10－13exp（0．488FE／RT），Ni（Ⅲ）还原为Ni（Ⅱ）的反应速度常数K-1（E）＝2．46×10-4exp（-0．512FE／RT），Ni（Ⅲ）氧化正丙醇的反应速度常数K2＝5．64×10－6L·mol-1s-1．(本文来源于《高等学校化学学报》期刊1997年06期）
择优氧化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对井式气体渗碳炉顶置式主控热电偶采用常规热电偶易发生择优氧化的情况,提出了几种解决方法,经过试验取得良好的效果。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
择优氧化论文参考文献
[1].杨妮.氧化镓薄膜的择优取向制备及其应用研究[D].哈尔滨工业大学.2016
[2].朱田,侯明华,温剑波.防止热电偶择优氧化的几种方法[J].热处理技术与装备.2014
[3].朱田,侯明华,温剑波.防止热电偶择优氧化的几种方法[J].中国计量.2014
[4].梁婷,张国英,李丹,路广霞,朱圣龙.Ni-Cr-Al合金择优氧化及其影响机理的第一原理研究[J].沈阳师范大学学报(自然科学版).2011
[5].文波,苏晓东.衬底温度对钇稳定氧化锆薄膜择优生长的影响[J].材料研究学报.2008
[6].黄令,杨防祖,许书楷,周绍民.碱性介质中高择优取向(220)镍电极上乙醇的电氧化[J].应用化学.2005
[7].黄令,许书楷,周绍民.碱性介质中高择优取向(220)镍电极上丙醇的电氧化[J].高等学校化学学报.1997