氮化镓基紫外光电探测器的研究

论文摘要

紫外光电探测器可用于科研、军事、航空航天、环保和其它许多领域中,由GaN基材料制备的MSM（金属-半导体-金属）光电探测器是人们研究的热门课题之一。本论文采用金属有机物化学气相外延沉积法在蓝宝石衬底上生长高质量GaN基半导体薄膜,其p型载流子浓度达到1018。在此基础上制备了GaNMSM结构与p-i-n结构的紫外光电探测器,其响应峰值分别达到0.19A/W和0.95A/W。通过优化薄膜的生长条件（AlN插入层）,得到了高质量的且带隙可调（3.45～3.81 eV）的AlGaN薄膜,通过退火处理,得到位于308nm处响应峰值为0.07A/W的紫外光电探测器。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 目录
• 第一章 引言
• §1.1 紫外光电探测器概述
• §1.2 GaN基紫外光电探测器的研究进展
• §1.3 本论文的主要研究内容
• 第二章 GaN基材料的制备及光电探测器的制备与表征
• §2.1 GaN基材料的制备技术
• §2.2 光电探测器的制备
• §2.3 光电探测器的表征
• §2.4 梳状叉指电极的工作原理
• 第三章 GaN紫外光电探测器的制备与分析
• §3.1 GaN薄膜材料的生长制备
• §3.2 GaN紫外光电探测器的测试与分析
• §3.3 退火对GaN紫外光电探测器性能的影响
• §3.4 p-i-n结构的GaN紫外光电探测器的初步研究
• 第四章 AlGaN紫外光电探测器的制备与分析
• §4.1 高Al组分的AlGaN薄膜材料的制备
• §4.2 AlGaN紫外光电探测器的测试与分析
• 0.25Ga_0.75N紫外光电探测器性能的影响'>§4.3 退火对Al_0.25Ga_0.75N紫外光电探测器性能的影响
• 第五章 总结与展望
• §5.1 论文工作总结
• §5.2 进一步工作的展望
• 致谢
• 参考文献