Ag和Ga掺杂PbTe基化合物的合成及热电性能研究

Ag和Ga掺杂PbTe基化合物的合成及热电性能研究

论文摘要

PbTe作为商业化热电材料之一主要应用于中温区域(500K~800K)的热电发电。PbTe是Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料,其晶体结构属于NaCl结构,禁带宽度较窄(0.3eV),具有各向同性的结构、高的晶体对称性、低的晶格热导率等优点,是一种优良的中温热电材料。探索通过不同的掺杂元素来优化和改善PbTe材料的热电性能是国内外研究的热点。本文以Ag、Ga作为掺杂元素,探索了单相Ag、Ga单独掺杂及AgGa共掺PbTe化合物的合成与制备方法,系统地研究了Ga、Ag含量对PbTe化合物的结构和热电性能的影响规律,同时研究了制备工艺对AgxGayPb1-x-yTe化合物热电性能的影响,研究结果表明:在n型GaxPb1-xTe(x=0.01~0.05)化合物中,随着Ga取代分数x的增加,样品载流子浓度增加,载流子迁移率逐渐减小,载流子散射机制从声学波散射逐渐变为声学波和电离杂质共同散射;随着Ga含量的增加,化合物的电导率大幅度增加,Seebeck系数绝对值降低。随着Ga含量的增加,GaxPb1-xTe化合物的晶格热导率先减小后增加,当x=0.03时,Ga0.03Pb0.97Te化合物晶格热导率最低。在所有组成化合物中,Ga0.02Pb0.98Te化合物在675K时显示最大ZT值达1.25,这比文献报道的n型PbTe的热电性能指数相比提高了近55%。在AgxPb1-xTe(x=0.002~0.05)化合物中,在整个测试温度范围内,样品的电导率随着温度升高先减小后缓慢增加,表现为典型的半导体传导特征。当x=0.01时,样品Seebeck系数为负,表现为n型传导;x>0.01时,样品Seebeck系数均为正,表现为p型传导。Ag掺杂主导了(AgGa)xPb1-2xTe(x=0.01~0.05)样品的传导特性,Ag含量为1%时,样品为n型传导;Ag含量高于1%时,样品为p型传导。在所制备的四元样品中,AgyGa0.01Pb0.99-yTe(y=0.01~0.05)样品表现出很好的单相性,Ag0.01GaxPb0.99-xTe(x=0.01~0.05)样品表现出较好的性能。Ag0.01Ga0.01Pb0.98Te样品在675K时得到的最大ZT值达1.33。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 第1章 绪论
  • 1.1 前言
  • 1.2 热电效应简介及其应用
  • 1.2.1 热电效应简介
  • 1.2.2 热电效应的基本原理
  • 1.2.3 热电效应的应用
  • 1.3 热电材料研究的最新进展
  • 1.3.1 热电材料的种类
  • 1.3.2 提高热电材料性能的主要途径
  • 1.4 PbTe基化合物的研究进展
  • 1.4.1 PbTe化合物简介
  • 1.4.2 PbTe基热电材料国内外研究进展
  • 1.5 本论文的研究目的和主要内容
  • 第2章 研究方法与实验设备
  • 2.1 材料的制备方法及设备
  • 2.1.1 熔融反应法及其设备
  • 2.1.2 放电等离子烧结技术及设备
  • 2.2 材料的性能评价方法
  • 2.2.1 材料相组成的确定和微结构表征方法及设备
  • 2.2.2 Seebeck系数测试原理及设备
  • 2.2.3 电导率的测试原理及设备
  • 2.2.4 霍尔系数的测试原理及设备
  • 2.2.5 热导率的测试原理及设备
  • xPb1-xTe(M=Ag、Ga)化合物的制备与热电性能'>第3章 MxPb1-xTe(M=Ag、Ga)化合物的制备与热电性能
  • xPb1-xTe化合物的制备'>3.1 MxPb1-xTe化合物的制备
  • xPb1-xTe(x=0.01~0.05)化合物的结构与热电性能'>3.2 n型GaxPb1-xTe(x=0.01~0.05)化合物的结构与热电性能
  • xPb1-xTe化合物的相组成和结构'>3.2.1 GaxPb1-xTe化合物的相组成和结构
  • xPb1-xTe化合物的电性能'>3.2.2 n型GaxPb1-xTe化合物的电性能
  • xPb1-xTe化合物的热传输性能'>3.2.3 n型GaxPb1-xTe化合物的热传输性能
  • xPb1-xTe化合物的热电性能指数'>3.2.4 n型GaxPb1-xTe化合物的热电性能指数
  • xPb1-xTe(x=0.002~0.05)化合物的结构与热电性能'>3.3 AgxPb1-xTe(x=0.002~0.05)化合物的结构与热电性能
  • xPb1-xTe化合物的相组成'>3.3.1 AgxPb1-xTe化合物的相组成
  • xPb1-xTe化合物的电性能'>3.3.2 AgxPb1-xTe化合物的电性能
  • 3.4 小结
  • xGayPb1-x-yTe化合物的制备与热电性能'>第4章 四元AgxGayPb1-x-yTe化合物的制备与热电性能
  • xGayPb1-x-yTe化合物的合成与制备'>4.1 AgxGayPb1-x-yTe化合物的合成与制备
  • xPb1-2xTe(x=0.01~0.05)化合物的结构与热电性能'>4.2 (AgGa)xPb1-2xTe(x=0.01~0.05)化合物的结构与热电性能
  • xPb1-2xTe化合物的相组成'>4.2.1 (AgGa)xPb1-2xTe化合物的相组成
  • xPb1-2xTe化合物的电性能'>4.2.2 (AgGa)xPb1-2xTe化合物的电性能
  • 0.01GaxPb0.99-xTe(x=0.01-0.05)化合物的结构与热电性能'>4.3 n型Ag0.01GaxPb0.99-xTe(x=0.01-0.05)化合物的结构与热电性能
  • 0.01GaxPb0.99-xTe化合物的相组成'>4.3.1 Ag0.01GaxPb0.99-xTe化合物的相组成
  • 0.01GaxPb0.99-xTe化合物的电性能'>4.3.2 Ag0.01GaxPb0.99-xTe化合物的电性能
  • 0.01GaxPb0.99-xTe化合物的热传输性能'>4.3.3 Ag0.01GaxPb0.99-xTe化合物的热传输性能
  • 0.01GaxPb0.99-xTe化合物的ZT值'>4.3.4 Ag0.01GaxPb0.99-xTe化合物的ZT值
  • yGa0.01Pb0.99-yTe(y=0.01~0.05)化合物的结构与热电性能'>4.4 AgyGa0.01Pb0.99-yTe(y=0.01~0.05)化合物的结构与热电性能
  • yGa0.01Pb0.99-yTe化合物的相组成'>4.4.1 AgyGa0.01Pb0.99-yTe化合物的相组成
  • yGa0.01Pb0.99-yTe化合物的电性能'>4.4.2 AgyGa0.01Pb0.99-yTe化合物的电性能
  • 0.01GaxPb0.99-xTe化合物的结构与热电性能的影响'>4.5 制备工艺对Ag0.01GaxPb0.99-xTe化合物的结构与热电性能的影响
  • 0.01GaxPb0.99-xTe化合物相组成的影响'>4.5.1 制备工艺对Ag0.01GaxPb0.99-xTe化合物相组成的影响
  • 0.01GaxPb0.99-xTe化合物电性能的影响'>4.5.2 制备工艺对Ag0.01GaxPb0.99-xTe化合物电性能的影响
  • 0.01GaxPb0.99-xTe化合物热传输性能的影响'>4.5.3 制备工艺对Ag0.01GaxPb0.99-xTe化合物热传输性能的影响
  • 0.01GaxPb0.99-xTe化合物ZT值的影响'>4.5.4 制备工艺对Ag0.01GaxPb0.99-xTe化合物ZT值的影响
  • 4.6 小结
  • 第5章 结论
  • 参考文献
  • 硕士期间发表论文
  • 致谢
  • 相关论文文献

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