论文摘要
氮化硅陶瓷材料以其强度高、耐高温、耐化学腐蚀等优良性能在工业和国防领域得到广泛应用。目前,氮化硅材料的超精密加工主要通过超硬精细磨料的研磨和精密磨削来实现。这两种精密加工方式主要以脆性崩裂的形式实现氮化硅材料的去除。由于氮化硅陶瓷自身的硬、脆特性,磨削和研磨加工易在氮化硅陶瓷表面产生划痕和残余应力等表面缺陷,难以获得高质量的氮化硅陶瓷加工表面,影响着零件的使用性能。化学机械抛光(Chemo-mechanical polishing,CMP)是机械磨削和化学腐蚀的组合技术。它借助微粒子的研磨作用以及抛光研磨液的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面上形成光洁、几乎无损伤的加工表面。化学机械抛光主要用于平面或球类零件的加工,对复杂型面零件的抛光工艺和加工设备鲜有报道。本文针对航空航天、国防武器领域内氮化硅陶瓷某典型复杂型面零件的加工要求,在高精度数控坐标磨床MK2945C上搭建该氮化硅陶瓷零件的化学机械抛光工艺平台,并进行了超精密化学机械抛光工艺的实验研究;根据氮化硅材料的特性选用氧化铈(CeO2)作为抛光介质,并配置了抛光液。为了获得高质量的加工表面,以及揭示化学机械抛光工艺参数对表面粗糙度和加工效率的影响,采用单因素法分别对抛光液浓度、抛光液流量、抛光轮转速和抛光时间进行实验研究;通过测量抛光后表面粗糙度值,具体分析每个工艺参数在粗抛和精抛的情况下对其表面粗糙度的影响规律,并提出了降低表面粗糙度的具体措施,为后续工艺优化提供实验参考。根据粗抛和精抛中各工艺参数对氮化硅陶瓷加工表面粗糙度的影响规律,本文设计了正交实验方案,分别对粗抛和精抛的化学机械抛光加工工艺参数进行优化,从而获得了较合理的加工工艺参数。并对优化工艺进行了实验验证,得到了光洁、几乎无损伤的氮化硅陶瓷加工表面,其表面Ra值达10nm以下。实验表明该工艺稳定可靠,具有一定的实用价值。通过实验发现化学机械抛光过程中化学作用和机械作用是密不可分的,单个因素不能对表面加工质量做出一个比较全面的反应。将加工工艺参数进行优化组合,使得化学作用和机械作用达到某种平衡,从而获得低粗糙度、表面几乎无损伤的加工表面。
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