导读:本文包含了化学机械平面抛光论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:改性方法,N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基叁甲氧基硅烷,化学机械抛光,CMP
化学机械平面抛光论文文献综述
汪为磊,刘卫丽,白林森,宋志棠,霍军朝[1]（2017）在《氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质(英)》一文中研究指出为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基叁甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出了化学反应机理,即N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基叁甲氧基硅烷接枝到氧化铝表面。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)表征了改性氧化铝颗粒的组成和结构。结果表明:N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基叁甲氧基硅烷已被成功地接枝到氧化铝颗粒的表面,导致改性比未改性的氧化铝颗粒具有更好的化学和机械性能。测试了未改性和改性的氧化铝颗粒在蓝宝石基底上的CMP性能。结果显示:改性氧化铝颗粒比未改性氧化铝颗粒有更高的材料去除速率和更好的表面质量。即,改性氧化铝颗粒在p H=10时比未改性氧化铝颗粒在p H=13.00时表现出更高的材料去除率,这将为减少设备腐蚀提供新思路。(本文来源于《无机材料学报》期刊2017年10期）
常敏[2]（2006）在《荧光分析法在化学机械平面抛光技术中的应用》一文中研究指出化学机械平面抛光技术是通过化学力和机械力获得平滑表面的平坦化技术。化学作用和机械作用是材料整个去除现象的主要因素,使这两个作用达到平衡,可以获得无损伤超平滑的加工表面。因此,为了解化学机械平面抛光的全过程,本文提出采用荧光分析法即激光诱导荧光法,来研究抛光液和抛光垫对材料去除、加工参数对表面质量和加工效率的影响,从而来量化抛光液,提高抛光质量与效率。(本文来源于《宁波工程学院学报》期刊2006年02期）
Todd,Buley,Periya,Gopalan,Dave,Ventura[3]（2006）在《减少缺陷及提高铜层化学机械抛光平面度的探讨》一文中研究指出半导体器件上铜层化学机械抛光(CMP)的第一道工序一般需要使用一块硬抛光垫,在磨去阻挡层的工序中要用到软垫。在磨去阻挡层和电介质材料时,要把各家供应商的各种抛光液与这些抛光垫配合在一起使用。用于把铜大量地磨掉的硬垫,抛光后的平面度很好,而在磨掉阻挡层工序中使用的软垫,它所产生的缺陷很少,这是由于它本身的结构而且由于它很软的缘故。随着半导体器件变得越来越小、线条宽度缩小,半导体技术更不允许金属出现损失,也更不允许化学机械抛光出现缺陷。这些参数最终会影响器件的性能和成品率。因此市场需要一种化学机械抛光垫,它能够提高铜阻挡层的平面度,具备软垫进行抛光时缺陷少的优点。介绍一种新的化学机械抛光垫技术,它使用了专门设计的聚合物材料,从而满足产业界的要求。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2006年03期）
[4]（1999）在《适于高精度平面化的化学机械抛光方法》一文中研究指出公开号 ＣＮ１２１２９１９Ａ 申请人 日本电气株式会社 地址 日本国东京都 本发明提供了一种在绝缘层的槽内形成互连层的方法。该方法包含步骤有：在绝缘层的上部分形成槽；在绝缘层的表面上以及槽内沉积一个导电层；且使导电层经受化学机械抛光以对导电层进行抛(本文来源于《电镀与涂饰》期刊1999年03期）
化学机械平面抛光论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
化学机械平面抛光技术是通过化学力和机械力获得平滑表面的平坦化技术。化学作用和机械作用是材料整个去除现象的主要因素,使这两个作用达到平衡,可以获得无损伤超平滑的加工表面。因此,为了解化学机械平面抛光的全过程,本文提出采用荧光分析法即激光诱导荧光法,来研究抛光液和抛光垫对材料去除、加工参数对表面质量和加工效率的影响,从而来量化抛光液,提高抛光质量与效率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
化学机械平面抛光论文参考文献
[1].汪为磊,刘卫丽,白林森,宋志棠,霍军朝.氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质(英)[J].无机材料学报.2017
[2].常敏.荧光分析法在化学机械平面抛光技术中的应用[J].宁波工程学院学报.2006
[3].Todd,Buley,Periya,Gopalan,Dave,Ventura.减少缺陷及提高铜层化学机械抛光平面度的探讨[J].电子工业专用设备.2006
[4]..适于高精度平面化的化学机械抛光方法[J].电镀与涂饰.1999
标签：改性方法; N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基叁甲氧基硅烷; 化学机械抛光; CMP;