论文摘要
本文在有效质量近似下,采用一维等效势模型,选取数学形式简单、物理意义明确的两变分参数的波函数,利用变分法数值计算了无限深GaAs矩形量子阱线中双激子体系的基态束缚能随阱线宽度的变化关系,得到了较好的结果。 首先,本文计算了无限深GaAs量子阱线中单激子体系的束缚能,我们的结果与前人的理论和实验结果符合的很好。 然后,把量子阱线中激子等效为一维激子,即采用一维等效势模型,由此计算得到了势参数αx和γx随阱线宽的变化关系。对于无限深GaAs量子阱线中的双激子,仍然采用一维等效势模型,在该模型中,无限深aGAs量子阱线中的双激子体系的变分波函数选为 在波函数Φ中,考虑到电子—空穴和电子—电子的相关效应,并且计入了全同粒子不可识别所带来的交换影响,α和β是变分参数,而αx和γx由一维等效势模型中激子态的能量方程确定。通过复杂的数学推导得到双激子体系能量EXX的数学表达式,对变分参数α和β变分即可确定出α和β的值,从而得到体系能,进而计算出体系的束缚能EXXB随阱线宽的变化关系。 另外,本文还计算了双激子体系中各粒子间的平均距离〈r〉随量子阱线宽度的变化关系也得到了比较好的结果。 最后,我们对计算的结果进行了较详细的分析和讨论,通过与前人的理论结果相比较,得出如下结论: (1)无限深GaAs量子阱线中双激子的基态束缚能随量子阱线宽度的
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