Ti-Si-N表面生长过程的无格点KMC仿真及相应并行计算研究

Ti-Si-N表面生长过程的无格点KMC仿真及相应并行计算研究

论文摘要

硬和韧一向是材料性能矛盾的两个方面,现代纳米科技可能是解决这一矛盾的有效手段之一。Ti-Si-N纳米复合薄膜以其硬度高、抗高温氧化性能好、摩擦系数小、弹性模量高、和基体的结合力强、热稳定性优良等性能正在成为超硬材料研究领域里的研究热点。但是在研究探索过程中,实验制备研究未能给出最佳的工艺参数,性能研究也未能给出令人信服的超硬性的理论解释。本课题的研究中,我们尝试采用计算机仿真技术,通过数值方法模拟粒子沉积行为,给出不同工艺参数对薄膜微观结构的影响。本文参照薄膜生长的初期的计算机仿真模型,建立薄膜沉积的三维无格点并行仿真程序。主要所做内容有:1、在过渡态理论(Transition State Theory,TST)基础上,采用势能面(Potential Energy Surface,PES)搜索方法,建立了动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo,KMC)三维无格点仿真模型。借助Visual Studio .NET编程语言,开发了薄膜生长的仿真程序。采用该程序对Ti-Si-N表面生长过程进行仿真。程序运行稳定,得到的数据基本可靠。2、借助.NET Remoting技术,初步实现跨应用域(Application Domain)PC机群网络并行计算,加快了仿真程序计算速度。3、利用计算机数据库技术对沉积粒子进行粗糙度和晶粒尺寸的识别。分析不同工艺参数对薄膜微观结构的影响。模拟结果显示:温度的影响主要是粒子的迁移速率,温度越高越趋于层状生长;Si含量会加速粒子成核,Si含量越高晶粒越细小;沉积率主要影响是下落粒子的间隔时间,影响效果和温度相似。但本文使用的作用势为简单经验对势(Morse势),计算精度有待进一步提高。薄膜性能主要取决于微观结构,还需进一步建立薄膜仿真结构与性能的研究。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 引言
  • 第一章 Ti-Si-N 薄膜研究现状
  • 1.1 Ti-Si-N 纳米复合膜的制备方法
  • 1.2 Ti-Si-N 薄膜的特性
  • 1.3 Ti-Si-N 薄膜的微观结构
  • 1.4 Ti-Si-N 薄膜研究中出现的问题
  • 第二章 薄膜生长的过程KMC 仿真理论
  • 2.1 薄膜生长理论
  • 2.1.1 薄膜的形成过程
  • 2.1.2 薄膜的生长模型
  • 2.1.3 粒子的扩散机制
  • 2.2 薄膜生长的模拟方法
  • 2.2.1 分子动力学
  • 2.2.2 蒙特卡罗
  • 2.3 原子间相互作用势
  • 2.3.1 第一原理计算
  • 2.3.2 紧束缚势
  • 2.3.3 经验势
  • 2.4 过渡态理论
  • 2.5 势能面搜索方法
  • 2.5.1 弹性带渐推方法(NEB)
  • 2.5.2 弦方法(String)
  • 2.5.3 双影像方法(Dimer)
  • 2.6 小结
  • 第三章 Ti-Si-N 纳米晶三维无格点仿真程序
  • 3.1 仿真程序的实现
  • 3.3.1 程序主要模块
  • 3.3.2 模型实施具体步骤
  • 3.2 模型建立要点
  • 3.3 仿真程序的技术支持
  • 3.4 对 TiN 仿真结果的测定
  • 3.4.1 势能面
  • 3.4.2 粒子位置
  • 3.4.3 形貌
  • 第四章 基于.NET Remoting的并行计算
  • 4.1 并行计算的必要性
  • 4.2 并行计算概况
  • 4.3 并行技术在薄膜生长仿真中的实现
  • 4.4 结果测定
  • 第五章 仿真结果分析
  • 5.1 模式识别方法
  • 5.1.1 晶粒尺寸的识别
  • 5.1.2 粗糙度的识别
  • 5.2 Ti-Si-N 薄膜生长仿真结果分析
  • 5.2.1 温度的影响
  • 5.2.2 Si 含量情的影响
  • 5.2.3 沉积率的影响
  • 结论和展望
  • 参考文献
  • 在学研究成果
  • 致谢
  • 相关论文文献

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