本文主要研究内容
作者费广乐（2019）在《基于SiC MOSFET的功率合成发射机》一文中研究指出：针对在对潜甚低频通信中的长波通信功率放大技术中存在的功率损耗大、功率密度低等问题,论文提出采用第三代宽禁带半导体SiC器件制作功率合成发射机。其能够提高功率密度,减少功率损耗。论文详细分析了基于SiC MOS-FET的功率合成发射机的基本原理以及参数设计,并且推导了级联功率桥消除低次谐波的控制算法和可调直流电源的闭环控制算法,并通过Matlab/Simulink仿真验证了参数设计的合理性。
Abstract
zhen dui zai dui qian shen di pin tong xin zhong de chang bo tong xin gong lv fang da ji shu zhong cun zai de gong lv sun hao da 、gong lv mi du di deng wen ti ,lun wen di chu cai yong di san dai kuan jin dai ban dao ti SiCqi jian zhi zuo gong lv ge cheng fa she ji 。ji neng gou di gao gong lv mi du ,jian shao gong lv sun hao 。lun wen xiang xi fen xi le ji yu SiC MOS-FETde gong lv ge cheng fa she ji de ji ben yuan li yi ji can shu she ji ,bing ju tui dao le ji lian gong lv qiao xiao chu di ci xie bo de kong zhi suan fa he ke diao zhi liu dian yuan de bi huan kong zhi suan fa ,bing tong guo Matlab/Simulinkfang zhen yan zheng le can shu she ji de ge li xing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自舰船电子工程的费广乐，发表于刊物舰船电子工程2019年03期论文，是一篇关于发射机论文,甚低频论文,舰船电子工程2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自舰船电子工程2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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