导读:本文包含了单片集成论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:单片集成射频微波,功率放大器,开关,设计
单片集成论文文献综述
杨阳[1]（2019）在《单片集成射频微波功率放大器及开关的设计分析》一文中研究指出无线通信是现代社会信息化发展的重要组成部分,通过商用通信以及民用通信的技术发展,充分满足了不同产业的信息传输需求。针对单片集成射频微波功率放大器的电力结构以及系统特点,总结单片集成射频微波功率放大器以及开关设计的方案,旨在通过设计方法以及射频公路模块的设计,增强系统运行的稳定性,以供参考。(本文来源于《中国新技术新产品》期刊2019年20期）
[2]（2019）在《单片集成电路(MMIC)产品对标技术方案》一文中研究指出(本文来源于《标准生活》期刊2019年10期）
袁配,王玥,吴远大,安俊明,祝连庆[3]（2019）在《基于3μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成（英文）》一文中研究指出波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片,并且考虑到其与其他不同光器件的集成可能性,在绝缘体上硅材料制作了16通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅复用/解复用器与电吸收型可调光衰减器的单片集成。该器件的片上损耗小于7 dB,串扰小于-22 dB。电吸收型VOA在20 d B的衰减量下的功耗为572 m W(106 m A,5.4 V)。此外,该器件可以实现光功率的快速衰减,在0～5 V的外加方波电压下,VOA上升及下降时间分别为50.5 ns和48 ns。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2019年08期）
刘方罡,要志宏[4]（2019）在《一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关》一文中研究指出设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关。该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进。针对PHEMT开关低频(0.1 GHz)下1 dB压缩点输入功率(P_(i(1 dB)))陡降问题进行分析,提出了改进栅极输入阻抗的方法,有效提高了PHEMT开关低频下的P_(i(1 dB))。采用中国电子科技集团公司第十叁研究所0.25μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,芯片的面积为1.0 mm×1.0 mm。测试结果表明,在频率为0.1～4 GHz内,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于42 dB,P_(i(1 dB))大于15 dBm。控制电压为0 V/5 V。该款GaAs PHEMT微波单片集成正电压控制开关设计全部达到了预期性能,并实现了改善低频下的P_(i(1 dB))的目标。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年07期）
杨鑫,谭开洲,黄绍春,李荣强[5]（2019）在《一种光电探测器与信号处理器的单片集成器件》一文中研究指出提出了一种180 V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件。研究发现,器件中n~+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大。利用Silvaco TCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响。引入金属场板,提高了探测效率。仿真结果表明,该单片集成器件实现了光电探测器与信号处理器的工艺兼容和电压兼容。对比未引入金属场板和引入金属场板的情况,在入射光波长为1.06μm处,外量子效率分别为4.68%和36.3%,响应度分别为0.04 A·W~(-1)·cm~(-2)和0.31 A·W~(-1)·cm~(-2)。(本文来源于《微电子学》期刊2019年03期）
李毅强,吴治军,翟江皞,祝晓笑,王世腾[6]（2019）在《一种单片集成式光-频率转换芯片》一文中研究指出介绍了一种单片集成式光-频率转换芯片,给出了流片芯片的测试结果。芯片内部光电二极管产生随光强变化的光生电流,积分电容将其转换为电压信号,当电压达到比较器阈值时,比较器翻转,振荡电路振荡,光强被转变为频率信号。采用0.6μm 2P3M工艺进行了流片,实现了芯片在叁端封装条件下的正常工作,芯片尺寸为1.8mm×1.7mm,光敏区面积为850μm×850μm,非线性小于1%,暗电流小于1Hz,输出信号占空比为50%,芯片最高输出频率为1MHz。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年03期）
杨大宝,邢东,梁士雄,张立森,徐鹏[7]（2019）在《单片集成430 GHz叁倍频器的设计及测试》一文中研究指出通过单片集成的方法,将工作于太赫兹频段(430 GHz)的叁倍频器的各个功能电路集成在厚度为12μm的砷化镓薄膜单片上,设计、制造太赫兹叁倍频集成电路单片。单片结构采用一对反向并联连接的肖特基二极管,构成串联平衡式电路,电路不需要外加偏置电压。平衡式电路只产生奇数次谐波,简化了电路分析和优化过程。电路设计采用叁维电磁仿真软件与谐波非线性仿真软件联合仿真场路的方法,准确模拟单片电路的射频特性。将单片电路安装在中间剖开的波导腔体内制成叁倍频器进行测试,在430 GHz处测得输出功率为215.7μW,效率为4.3%。(本文来源于《中国激光》期刊2019年06期）
罗佳,孙亮,吴志光[8]（2019）在《基于单片MO-CDCTA的高集成低功耗高阶有源低通滤波器的设计》一文中研究指出针对高阶滤波器体积大和功耗高的问题,提出了一种基于多输出电流差分级联跨导放大器的电流模式n阶低通滤波电路。该电路不含任何电阻,仅使用1个新的多输出电流差分级联跨导放大器和若干接地电容,能实现任意阶低通滤波器功能。使用CADENCE进行设计和调试,电路芯片面积仅0.04 mm~2,仿真功耗仅4.18 mW,最大3 dB截止频率500 MHz。叁阶巴特沃斯低通滤波器仿真与瞬态响应实验证明了理论的正确性。(本文来源于《电子技术应用》期刊2019年06期）
屈坤,张勇,靳赛赛,陈亚培[9]（2019）在《一款基于集成平面空间功率合成器的六路220GHz单片放大器设计》一文中研究指出本文研究了集成平面空间功率合成器在太赫兹单片上设计的可能性,该功率合成结构具有低损耗和高端口隔离度的特性。本文基于0.5μm InP DHBT工艺设计了一款工作在220GHz的单片集成功率放大器,电路采用平面空间六路功率合成结构,大大提高了输出功率。采用ADS与HFSS联合仿真的方法来提升仿真精度,结果表明,205-235GHz的小信号增益大于10dB,在220GHz处增益为13.0dB,输出功率为24mW。(本文来源于《2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）》期刊2019-05-19）
倪金玉,孔岑,周建军,孔月婵[10]（2019）在《基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术》一文中研究指出基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2 V,击穿电压V_(BD)达到700 V,输出电流I_D达到8 A,导通电阻R_(ON)为300 mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63 V和0.95 V;所研制17级环形振荡器在输入6 V条件下振荡频率345 MHz,级延时为85 ps。(本文来源于《电源学报》期刊2019年03期）
单片集成论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单片集成论文参考文献
[1].杨阳.单片集成射频微波功率放大器及开关的设计分析[J].中国新技术新产品.2019
[2]..单片集成电路(MMIC)产品对标技术方案[J].标准生活.2019
[3].袁配,王玥,吴远大,安俊明,祝连庆.基于3μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成（英文）[J].红外与激光工程.2019
[4].刘方罡,要志宏.一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关[J].半导体技术.2019
[5].杨鑫,谭开洲,黄绍春,李荣强.一种光电探测器与信号处理器的单片集成器件[J].微电子学.2019
[6].李毅强,吴治军,翟江皞,祝晓笑,王世腾.一种单片集成式光-频率转换芯片[J].半导体光电.2019
[7].杨大宝,邢东,梁士雄,张立森,徐鹏.单片集成430GHz叁倍频器的设计及测试[J].中国激光.2019
[8].罗佳,孙亮,吴志光.基于单片MO-CDCTA的高集成低功耗高阶有源低通滤波器的设计[J].电子技术应用.2019
[9].屈坤,张勇,靳赛赛,陈亚培.一款基于集成平面空间功率合成器的六路220GHz单片放大器设计[C].2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2019
[10].倪金玉,孔岑,周建军,孔月婵.基于p-GaN结构的GaNHEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术[J].电源学报.2019