电荷泵浦的测量方法和遂穿晶体管的可靠性模拟

电荷泵浦的测量方法和遂穿晶体管的可靠性模拟

论文摘要

半导体器件模拟工具通过数值计算,让我们以虚拟的方式考察半导体器件内部的工作和物理过程,从而帮助我们分析和理解器件的工作原理和特性,探索器件性能的改进方法。本论文应用技术计算机辅助设计(TCAD)工具,模拟金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的可靠性和相关测试方法。首先,我们介绍了TCAD常用器件模拟工具ATLAS和Medici的使用方法。通过模拟传统MOSFET的电流电压特性,我们详细解释了模拟输入文件中的具体指令。然后,我们使用TCAD工具和Matlab软件对电荷泵浦(CP)测量方法进行了模拟,并提出了一个图解方法来解释MOSFET的CP测量过程和结果。结合模拟结果,我们把测量中的主要物理过程表示在一幅图中,同时也用模拟结果和图解表示解释了用于可靠性研究的改进的CP测量方法。最后,我们用TCAD工具模拟了隧穿晶体管(TFET)的特性,考察了TFET器件的可靠性并与传统MOSFET做了比较。我们发现,TFET的驱动电流Id的退化主要受到隧穿结附近~10nm范围内界面陷阱和氧化层电荷的影响。与实验结果的比较表明,界面陷阱的产生能够很好地解释偏压温度不稳定性(BTI)的实验结果,而氧化层电荷的产生则能够很好地解释在热载流子(HC)应力下Id的退化结果。

论文目录

  • 目录
  • 摘要
  • Abstract
  • 第一章 引言
  • 1.1 研究的背景和意义
  • 1.2 器件特性和测量方法模拟
  • 1.3 论文的主要内容及安排
  • 第二章 器件仿真软件简介
  • 2.1 ATLAS简介
  • 2.2 ATLAS应用举例
  • 2.3 Medici简介
  • 2.4 Medici应用举例
  • 2.5 本章小结
  • 第三章 电荷泵浦的模拟和图解表示
  • 3.1 电荷泵浦测量方法
  • 3.2 电荷泵浦的模拟和图解表示
  • 3.3 模拟结果和讨论
  • 3.4 本章小结
  • 第四章 隧穿晶体管的可靠性模拟
  • 4.1 隧穿晶体管的结构和工作原理
  • 4.2 界面态对隧穿晶体管的影响
  • 4.3 氧化层电荷对隧穿晶体管的影响
  • 4.4 本章小结
  • 第五章 总结
  • 参考文献
  • 附录1 CP模拟输入文件ATLAS
  • 附录2 TFET模拟输入文件ATLAS
  • 附录3 TFET模拟输入文件Medici
  • 攻读硕士学位期间的论文发表情况
  • 致谢
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