论文题目: 一维纳米氢氧化铜的制备及其初步应用
论文类型: 硕士论文
论文专业: 分析化学
作者: 庄贞静
导师: 侯贤灯
关键词: 氢氧化铜,纳米棒,纳米带,纳米线准阵列,湿度传感器
文献来源: 四川大学
发表年度: 2005
论文摘要: 纳米材料因其低维性和量子限域效应,与传统材料相比,有着独特的电学,光学,磁学和热学特性。一维材料(包括纳米线、纳米管、纳米带和纳米棒)由于其独特的性质和潜在的应用而备受关注。本实验立足于实验室的条件和设备,在液相中合成氢氧化铜一维纳米材料,并初步探索该材料在传感器方面的应用,主要开展以下工作:1、氢氧化铜纳米棒和纳米带的合成。用硫酸铜和过氧化钠为反应物在室温下液相合成氢氧化铜一维纳米材料。用荧光分光光度计监测制备的过程,并用XRD、TEM和HRTEM对所合成的材料进行形态、结构和组成的表征。考察了温度、反应物浓度对合成产物的影响,并提出氢氧化铜一维纳米材料的形成机理。实验结果表明:随着反应温度的增大,生成的氢氧化铜产物的形态将发生变化,当反应温度超过50℃时,产物形态为细小的针状物质,并易发生团聚,因此反应温度应控制在50℃以下;反应物浓度的影响:过氧化钠的浓度对合成产物的组成和形态有较大影响,而硫酸铜浓度对合成产物的形态影响不大,结果表明保持硫酸铜的浓度为0.0075mol/L时,可通过改变过氧化钠的浓度来调节氢氧化铜纳米棒或纳米带的尺寸;在本实验中,过氧化钠在氢氧化铜一维纳米材料的合成中起重要作用,导致氢氧化铜在液相中的成核和生长,在此基础上对氢氧化铜纳米棒/纳米带的形成机理进行讨论。2.将所合成的氢氧化铜一维纳米材料组装在铜片上形成氢氧化铜纳米线准阵列,用SEM和XRD对铜片表面进行形貌和组成进行表征,考察了不同实验条件对合成产物形态的影响,并初步探索氢氧化铜纳米线准阵列在传感器方面的应用。实验结果表明:反应物浓度对氢氧化铜纳米线准阵列的影响不显著;当反应时间超过5分钟后,延长反应时间对该纳米线准阵列的形态影响也不显著;选用的基底材料对纳米线阵列则有显著影响,若用铜丝为基底材料,在铜丝上也形成氢氧化铜纳米线准阵列,但生长速度较铜片慢,若用银丝为基底材料,则不能形成氢氧化铜纳米线准阵列;在实验基础上,讨论了氢氧化铜纳米线准阵列的形成机理;该材料对水有较好的响应,有望在湿度传感器方面得到应用。
论文目录:
摘要
英文摘要
1. 文献综述
1.1 概述
1.1.1 前言
1.1.2 纳米材料的基本概念和基本特性
1.1.3 纳米材料的用途
1.2 纳米材料的制备方法及其研究进展
1.2.1 纳米颗粒的制备方法回顾
1.2.2 一维纳米材料的制备方法及其发展趋势
1.3 本论文选题背景和研究内容
2. 氢氧化铜纳米棒/纳米带的制备
2.1 前言
2.2 实验部分
2.2.1 实验试剂
2.2.2 实验仪器
2.2.3 实验过程
2.3 结果与讨论
2.3.1 氢氧化铜纳米棒/纳米带的制备和监测
2.3.2 氢氧化铜纳米棒/纳米带的物相表征和组分分析
2.3.3 氢氧化铜纳米棒/纳米带的微观形态表征
2.3.4 氢氧化铜纳米棒/纳米带生长机理的讨论
2.4 本章小结
3. 铜片表面上氢氧化铜纳米线准阵列的合成及其应用
3.1 前言
3.2 实验部分
3.2.1 实验试剂
3.2.2 实验仪器
3.2.3 实验过程
3.3 结果与讨论
3.3.1 铜片上氢氧化铜纳米线准阵列的物相分析
3.3.2 铜片上氢氧化铜纳米线准阵列的微观结构表征
3.3.3 铜片上氢氧化铜纳米线准阵列生长机理的讨论
3.4 氢氧化铜纳米线准阵列在传感器方面的应用
3.4.1 氢氧化铜纳米线准阵列敏感材料的制备
3.4.2 测量装置
3.4.3 实验结果与讨论
3.5 本章小结
4. 结论
5. 参考文献
6. 作者简历及在读期间发表论文情况
7. 致谢
发布时间: 2008-03-07
参考文献
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