Mn掺杂SnO2中铁磁耦合机理研究

Mn掺杂SnO2中铁磁耦合机理研究

论文摘要

稀磁半导体由于在自旋电子学领域具有潜在的应用价值,受到人们广泛地关注。而稀磁半导体中铁磁性的来源一直是困扰人们的问题,其中晶体缺陷及载流子是影响稀磁半导体铁磁性的两个主要因素。本论文主要研究了载流子对Mn掺杂SnO2稀磁半导体铁磁性的影响,主要工作概括如下:利用固相反应法制备了Sn1-xMnxO2 (x = 0.01, 0.03, 0.05),Sn1-x-yMnxSbyO2 (x = 0.01, 0.03; y = 0, 0.005, 0.02, 0.04)和Sn1-x-zMnxCuzO2 (x = 0.01, 0.03, 0.05; z = 0.005, 0.02)多晶样品。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和物理性质测试系统(PPMS)对样品的结构、价态、电输运性质和磁性质进行了系统的研究。多晶Sn1-x-yMnxSbyO2系列样品呈现出单一金红石结构,没有杂相生成,随着Sb含量的增加,晶胞体积增大,铁磁性减弱。对于x = 0.03的样品,居里温度由未掺杂Sb (y = 0)时的27 K减小到26.5 K (y = 0.005),当掺杂量y≥0.02时,样品表现出顺磁性。而Sb的掺杂量为y = 0.04时,由于样品中Sb5+离子代替SnO2中Sn4+离子而产生大量电子,导致样品导电性显著增强。为进一步研究空穴在铁磁耦合中的作用,我们在Sn1-xMnxO2中共掺杂Cu元素。电输运测量表明所有Sn1-x-zMnxCuzO2样品在室温均为绝缘体,而随着Cu含量的增加样品的铁磁性呈现出增强趋势:对于x = 0.03系列样品,少量Cu掺杂(z = 0.005)时居里温度上升到30.5 K;随着Cu含量进一步增加到2 %时,居里温度增加到40.0 K。上述Sb和Cu掺杂Sn1-xMnxO2中的磁性可以用束缚磁极化子模型解释:在Sn1-xMnxO2样品中,Mn3+代替样品中Sn4+离子产生局域化的空穴,周围的Mn3+以局域化的空穴为中心形成束缚磁极化子,极化子间有效半径发生交叠产生铁磁相互作用。当体系中掺入Sb后,Sb5+代替Sn4+产生自由电子补偿掉样品中局域化的空穴,减少了样品中束缚磁极化子数目,导致铁磁性减弱。而当体系中掺入Cu后,Cu2+代替SnO2晶格中Sn4+产生新的局域化空穴,增多的空穴与邻近的Mn3+离子形成新的束缚磁极化子,从而使样品的铁磁性增强。

论文目录

  • 中文摘要
  • ABSTRACT
  • 第一章 前言
  • 1.1 研究背景介绍
  • 2'>1.1.1 Co-TiO2
  • 1.1.2 Co-ZnO
  • 1.2 研究热点及现象
  • 1.2.1 晶体缺陷对稀磁半导体磁性的影响
  • 1.2.2 载流子对稀磁半导体磁性的影响
  • 1.3 理论模型
  • 1.3.1 Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida (RKKY) 交换作用
  • 1.3.2 双交换作用(Double Exchange)
  • 1.3.3 束缚磁极化子(Bound Magnetic Polaron) 模型
  • 1.4 本论文选题思路及研究内容
  • 第二章 样品的制备和表征
  • 2.1 实验方法
  • 2.2 样品的表征手段
  • 2.2.1 X 射线衍射
  • 2.2.2 X 射线光电子能谱
  • 2.2.3 磁、电性质测量
  • 1-x-yMnxSbyO2 样品结构和物性的影响'>第三章 Sb 掺杂对 Sn1-x-yMnxSbyO2样品结构和物性的影响
  • 1-xMnxO2'>3.1 Sn1-xMnxO2
  • 1-xMnxO2 的结构'>3.1.1 Sn1-xMnxO2的结构
  • 1-xMnxO2 的磁性'>3.1.2 Sn1-xMnxO2的磁性
  • 1-x-yMnxSbyO2'>3.2 Sn1-x-yMnxSbyO2
  • 1-x-yMnxSbyO2 的结构'>3.2.1 Sn1-x-yMnxSbyO2的结构
  • 3.2.2 X 射线光电子能谱分析
  • 1-x-yMnxSbyO2 的电输运性质'>3.2.3 Sn1-x-yMnxSbyO2的电输运性质
  • 1-x-yMnxSbyO2 的磁性'>3.2.4 Sn1-x-yMnxSbyO2的磁性
  • 1-x-yMnxSbyO2 磁性来源的讨论'>3.2.5 Sn1-x-yMnxSbyO2磁性来源的讨论
  • 3.3 本章小结
  • 1-x-zMnxCu2O2 样品结构和物性的影响'>第四章 Cu 掺杂对 Sn1-x-zMnxCu2O2样品结构和物性的影响
  • 1-x-zMnxCu2O2 的结构'>4.1 Sn1-x-zMnxCu2O2的结构
  • 4.2 X 射线光电子能谱分析
  • 1-x-zMnxCu2O2 的磁性'>4.3 Sn1-x-zMnxCu2O2的磁性
  • 1-x-zMnxCu2O2 磁性来源的讨论'>4.4 Sn1-x-zMnxCu2O2磁性来源的讨论
  • 4.5 本章小结
  • 第五章 结论
  • 参考文献
  • 攻读硕士学位期间完成的学术论文
  • 致谢
  • 相关论文文献

    • [1].量子盘中氢化杂质束缚磁极化子的性质[J]. 河北科技师范学院学报 2014(04)
    • [2].束缚磁极化子的有效质量与共振频率的关系[J]. 固体电子学研究与进展 2011(06)
    • [3].自旋对三角势量子点中束缚磁极化子性质的影响[J]. 内蒙古民族大学学报(自然科学版) 2012(05)
    • [4].半导体极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能[J]. 量子电子学报 2010(02)
    • [5].自旋对量子点中束缚磁极化子性质的影响[J]. 固体电子学研究与进展 2009(01)
    • [6].温度对抛物量子点中强耦合磁极化子性质的影响[J]. 原子与分子物理学报 2008(04)
    • [7].自旋和温度对量子线中强耦合束缚磁极化子性质的影响[J]. 低温物理学报 2016(05)
    • [8].石墨烯中强耦合束缚磁极化子能隙的性质[J]. 低温物理学报 2017(01)
    • [9].电场对半导体GaAs量子阱中束缚磁极化子性质的影响(英文)[J]. 半导体学报 2008(03)
    • [10].量子线中强耦合束缚磁极化子的电场效应[J]. 量子电子学报 2014(05)
    • [11].自旋对半导体量子点中强耦合磁极化子性质的影响[J]. 光电子.激光 2008(03)
    • [12].强耦合多原子极性晶体中表面磁极化子的性质[J]. 呼伦贝尔学院学报 2009(02)
    • [13].非对称量子点中磁极化子性质的磁场和温度依赖性[J]. 物理学报 2008(11)
    • [14].量子线中弱耦合束缚磁极化子激发态的性质[J]. 固体电子学研究与进展 2012(02)
    • [15].半无限晶体中强耦合表面磁极化子的回旋共振性质[J]. 科技创新导报 2009(01)
    • [16].量子阱中弱耦合磁极化子的性质[J]. 内蒙古民族大学学报(自然科学版) 2009(01)
    • [17].磁场中量子点内弱耦合磁极化子基态束缚能的温度依赖性[J]. 发光学报 2009(02)
    • [18].电场对三角量子阱中强耦合磁极化子性质的影响[J]. 量子光学学报 2018(02)
    • [19].有限深抛物势球型量子点中磁极化子的性质[J]. 内蒙古民族大学学报(自然科学版) 2017(05)
    • [20].极性晶体膜中束缚磁极化子的声子平均数与回旋共振频率的关系[J]. 原子与分子物理学报 2012(03)
    • [21].非对称量子点中强耦合束缚磁极化子的基态寿命[J]. 光学学报 2008(12)
    • [22].抛物量子线中束缚磁极化子的自旋效应[J]. 低温物理学报 2018(02)
    • [23].各向异性量子点中的二维磁极化子效应[J]. 宁波大学学报(理工版) 2018(04)
    • [24].纳米棒中强耦合磁极化子的基态能量[J]. 内蒙古民族大学学报(自然科学版) 2012(03)
    • [25].非对称量子点中强耦合磁极化子的声子平均数[J]. 内蒙古民族大学学报(自然科学版) 2010(05)
    • [26].Cu掺杂ZnO磁性能的实验与理论研究[J]. 物理学报 2014(15)
    • [27].自旋对非对称量子点中弱耦合束缚磁极化子基态能量的影响(英文)[J]. 量子电子学报 2011(04)
    • [28].磁场对非对称量子点中束缚磁极化子性质的影响[J]. 发光学报 2008(02)
    • [29].非对称量子点中磁极化子声子平均数的温度特性[J]. 中国石油大学学报(自然科学版) 2009(04)
    • [30].抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的光学声子平均数[J]. 量子电子学报 2009(05)

    标签:;  ;  ;  ;  ;  

    Mn掺杂SnO2中铁磁耦合机理研究
    下载Doc文档

    猜你喜欢