通孔刻蚀技术的应用

论文摘要

本文介绍了在0.35微米平台的设备上0.18微米产品通孔刻蚀条件的开发和优化。TEL的IEM机台是200mm硅片0.35微米平台。在实际的半导体集成电路生产中被广泛应用到通孔刻蚀,通常通孔刻蚀后的CD在0.35～0.55微米之间。而本文所研究的是在这个平台上开发通孔刻蚀后CD是0.2～0.26微米的产品。在实际生产过程中硅片出现面内中间局部位置有通孔没有刻穿(Etch Stop)的现象,导致互联金属线开路,而使器件失效。通过对工艺条件的优化,大大地改善了这种现象。同时在研发过程中建立了一套完整的监控体制,全面达到了半导体制造量产的要求。

论文目录

• 摘要
• Abstract
• 第一章 引言
• 1-1、通孔刻蚀在半导体制造中的意义
• 1-2、通孔刻蚀的背景
• 1-3、通孔刻蚀的现状与刻蚀设备
• 1-4、本文所研究的目的与主要内容
• 第二章 产品描述及膜层结构分析
• 2-1、通孔刻蚀的发展与综述
• 2-2、通孔刻蚀过程的分析
• 2-3、通孔膜层结构和CD尺寸
• 第三章 通孔刻蚀条件的初步选定
• 3-1、氮氧化硅和氧化硅刻蚀条件的选定
• 3-2、氧化硅刻蚀条件的选定
• 第四章 Etch Stop问题的分析与解决
• 4-1、Etch Stop问题的分析
• 4-2、工艺条件的改善
• 第五章 新条件Margin的确认
• 5-1、Top VIA确认
• 5-2、全参数Margin对CD的影响
• 5-3 特性和良率的验证
• 第六章 监控体制的建立
• 6-1、日常颗粒的监控
• 6-2、工艺腔体刻蚀速率的监控
• 6-3、刻蚀CD的监控
• 6-4、KLA监控
• 第七章 总结
• 参考文献
• 致谢