论文摘要
在功能材料领域,磁性薄膜材料作为一种很重要的分支被广泛用于微电子和信息技术,特别是在微机电系统(MEMS)中,由于其优良的性能,而被国内外科学工作者广泛关注,成为近年来的研究热点。稀土永磁薄膜材料是稀土永磁材料的发展的重点方向之一。随着科技的发展,要求器件微小化、功能兼容一体化,在这一领域,薄膜材料有着先天的优势,是普通块材所无法满足的。Sm-Co永磁薄膜材料作为第二代稀土永磁材料,虽然其常温下磁能积不如第三代稀土永磁材料Nd-Fe-B高,但其具有高的居里温度、耐腐蚀性等一些第三代稀土永磁材料Nd-Fe-B所不具有的优良特性,主要应用在一些极端条件下,有很广泛的应用前景。在已研究的Sm-Co永磁薄膜材料的报道中,主要研究了比较薄的(约几十nm)薄膜,在本文中我们主要研究了,比较厚的(约为1μm)薄膜的制备工艺及性能。分别以Cr和W为缓冲层和覆盖层制备Sm-Co永磁薄膜材料,并研究了Ar气压强对溅射速率的影响。比较了不同缓冲层对薄膜形貌、微结构和磁性能的影响。
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