导读:本文包含了势垒分布论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:叁势垒共振隧道结构,电子几率分布,电子势垒贯穿系数,电场
势垒分布论文文献综述
明庭尧[1]（2014）在《叁势垒共振隧道结构中电子的几率分布和势垒贯穿系数》一文中研究指出建立了叁势垒共振隧道结构的物理模型,应用量子力学和固体理论,求出了电子的波函数和几率分布,以具有势阱材料In0.53Ga0.47As和势垒材料In0.52Al0.48As的纳米系统为例,探讨了电场对叁势垒共振隧道结构电子几率分布和势垒贯穿系数的影响.结果表明:当能量较小时,电子的几率主要分布在第1势阱中,而当能量较大时,则主要分布在第2势阱,在势垒中电子几率很小;电子随能量的几率分布有波动性,在共振能附近的几率极大,共振能随着电场强度的增大而减小;电场的存在会使电子的最可几位置向入口势垒方向移动,而使电子贯穿势垒系数减小;电子势垒贯穿系数随能量增大而增大,当能量较小时,其数值及其随能量的变化都较小,当能量较大时情况则相反.(本文来源于《西南师范大学学报(自然科学版)》期刊2014年11期）
苏安,高英俊,蒙成举[2]（2014）在《双重势垒一维光子晶体量子阱内部局域电场分布》一文中研究指出利用传输矩阵法理论,研究了双重势垒一维光子晶体量子阱(AB)k(CD)m(DCD)n(DC)m(BA)k的内部局域电场.结果表明:双重势垒光量子阱内部分布着很强的局域电场,且越靠近阱中心,局域电场越强;双重势垒光量子阱垒层特别是内垒层和外垒层厚度同时增大时,内部局域电场快速增强,而且阱中心增强最明显;双重势垒光量子阱阱层宽度增大时,越靠近阱中心,局域电场越强,但阱宽按偶数倍增大时阱中心的局域电场不变并保持恒定极大值,而阱宽按奇数倍增大到一定数值后,光量子阱内部局域电场则趋于阱宽按偶数倍增大时的局域电场恒定极大值.该研究可为分析光量子势阱的量子化效应机理和分立透射谱的形成内因,以及量子光学产品的实际设计等提供指导.(本文来源于《光子学报》期刊2014年02期）
贾会明,林承键,张焕乔,刘祖华,杨峰[3]（2010）在《~9Be+~(208)Pb背角准弹散射势垒分布:核反应过程中的破裂效应》一文中研究指出在近库仑势垒能区的重离子核反应中,库仑势垒分布提供了核-核相互作用势和核反应动力学的重要信息。本工作中,我们高精度测量了近垒能区弱束缚核体系9Be+208Pb的背角准弹散射激发函数,并对从背角准弹散射激发函数和从全熔合激发函数抽取的势垒分布作了对比研究。实验是在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上完成的。反应靶是质量厚度为(本文来源于《中国原子能科学研究院年报》期刊2010年00期）
宫建平[4]（2011）在《一维势垒散射中粒子的概率分布》一文中研究指出利用数值计算方法研究了E>U0、0<E<U0和E=U0时,粒子在一维"方形"势垒中运动时的粒子的概率分布,并给出了概率密度图.从这些图我们可以清楚的看出不同能量的粒子在"方形"势垒散射时的概率分布情况,并讨论了透射系数、反射系数与势垒宽度的关系.(本文来源于《大学物理》期刊2011年06期）
尹常艳[5]（2010）在《势垒和介质折射率呈连续与阶跃分布时反射和透射问题研究》一文中研究指出反射和透射现象是生活中常见的物理现象,反射或者透射后的波会产生一些新的变化,具有一些新的特性,这些特性在工业、航空航天、微电子等领域的应用非常广泛,因此对于这方面的研究也非常多。本文将主要从量子力学中的粒子贯穿势场以及电磁学中的电磁波穿过分层介质这两个方面来讨论反射和透射问题。文中对这两个方面常用的方法分别进行一些理论推导和分析,然后用一种新的方法来推导粒子穿过连续变化的势场,并对推导的结果进行了对比。在量子力学方面,本文改进了以往对一维方形势场的研究,将势场形式改进为一维对称方形势场、抛物线形势场和余弦形势场。对一维对称方形势垒的研究采用的是传统的计算方法,算法虽然简单且容易理解,但方形势场与实际的势场情况有一定差距,所以对抛物线形和余弦形这两种连续变化的势场,文中采用了新的方法来分析,该方法弱化了对势场形状的要求,而且具有一定的规律性,在解决某些形状的势场时,甚至可以直接套用公式,而不需要进行大量的计算。在电磁学方面,本文对以往将非均匀介质进行分层求反射、透射系数的方法,以电磁波斜入射穿过两层和叁层均匀介质为例,对整个过程电磁波的反射和透射情况做了详细的理论分析和公式的推导,最后用几何光学的方法,验证了计算结果的正确性。文章对宏观和微观中这两种求解反射波和透射波的方法的思路、特点以及公式等等进行了详尽的阐述。(本文来源于《西北大学》期刊2010-06-30）
刘久亮[6]（2010）在《熵势垒和空间分布摩擦系数对布朗粒子输运的影响》一文中研究指出涨落耗散定理是非平衡态统计物理的重要理论。它可以很好的解释流体、介观系统和生物系统等热涨落占主导的体系中的能量转化和物质传输过程。布朗运动作为涨落耗散理论的重要模型，主要研究远离平衡态时热涨落能量的转化和微观粒子的输运过程。研究布朗粒子的输运过程可以为开发分子马达提供理论指导。本文将研究两类典型环境中布朗粒子的输运过程：第一类是存在熵势垒的环境中,第二类是空间不均匀摩擦系数的环境中。第一章我们简单介绍了布朗运动的背景、两个着名的非平衡物理模型及相、关研究的意义。第二章简要总结了描述布朗粒子动力学演化的几种方法。第叁章我们构建了一个存在熵势垒和能量势垒的Buttiker-Landauer马达——一种温差驱动的布朗马达,并且探讨了热机中布朗粒子的输运特点。我们发现布朗粒子的运动受到了通道形状的影响。当形状随着平坦比值变化时,熵势垒的存在引起了非对称变化的粒子流。存在可优化的平坦比值(非零)使粒子流达到最大。第四章建立了载流子在电荷空间的动力学方程和布朗粒子的朗之万方程之间对应的关系。提出了非线性电阻中载流子是一类在空间分布型摩擦系数环境中运动的布朗粒子。解载流子的福克普朗克方程得到了帕尔帖系数和非线性电阻的伏安特性曲线的关系。进一步构建了一个简单的半导体热整流器,计算了装置的效率和热电流。发现装置不能运行在可逆条件下。(本文来源于《南昌大学》期刊2010-06-01）
张进成,郑鹏天,董作典,段焕涛,倪金玉[7]（2009）在《背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响》一文中研究指出首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了理论计算的正确性.理论计算和实验结果均表明,随着背势垒层Al组分的提高和厚度的增加,主沟道中的二维电子气面密度逐渐减小,寄生沟道的二维电子气密度逐渐增加;背势垒层Al组分的提高和厚度的增加能有效的增强主沟道的二维电子气限域性,但是却带来了较高的寄生沟道载流子密度,因此,在AlGaN/GaN双异质结构的设计时,需要在主沟道二维电子气限域性的提高和寄生沟道载流子密度抑制之间进行折中考虑.(本文来源于《物理学报》期刊2009年05期）
邹继军,杨智,乔建良,常本康,曾一平[8]（2008）在《表面势垒形状对NEA光阴极电子能量分布的影响(英文)》一文中研究指出通过计算电子到达阴极面时的能量分布和求解电子隧穿表面势垒的薛定谔方程得到了透射式NEA GaAs光阴极发射电子能量分布的计算公式.利用该公式仿真研究了阴极表面势垒形状对电子能量分布的影响,发现Ⅰ势垒变化对阴极的量子效率影响显着,其中尤以Ⅰ势垒宽度影响更大,而Ⅱ势垒则影响阴极的能量展宽,其中真空能级的升高可使阴极电子能量分布更集中,但却牺牲了一定的阴极量子效率.拟合分析了实验测试的透射式阴极电子能量分布曲线,实验与理论曲线吻合得很好,并得到了阴极的表面势垒参数.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年08期）
彭应全,杨青森,邢宏伟,李训栓[9]（2007）在《有机界面势垒对有机发光器件电流以及载流子和电场分布的影响研究》一文中研究指出电流传导以及载流子和电场分布对认识有机发光器件(OLED)的微观物理过程至关重要。众所周知,对于单层 OLED,对电流的传导有两个限制因素,即注入界面势垒和有机体内阻抗,而其电流传导状态也因而分为注入限制传导和体限制传导两种。对于双层 OLED,除金属-有机界面势垒和有机体阻抗外,还有一个限制因素,这就是有机-有机(OO) 界面。双层 OLED 的电流传导状态而可分为注入限制、体限制和有机-有机界面限制3种。基于跳跃传导理论,我们推导出了有机界面电流传导的解析表达式。借助这一表达式, 建立了双层 OLED 电流传导、载流子和电场分布的自洽数值模型。计算结果表明当层Ⅰ(与注入电极相连)的迁移率较低、陷阱密度较大且界面势垒较低(Φ＜0．5 eV)时,电流密度随着界面势垒的增加几乎保持不变,呈现典型的体限制传导(Fig．1)。当层Ⅰ的迁移率高、陷阱密度低且界面势垒较大(Φ＞0．7 eV)时,电流密度随着势垒的增大迅速减小,属于典型的有机界面限制传导。当界面势垒较低时,层Ⅰ的输运特征参数(迁移率、陷阱密度)对层Ⅱ (与收集电极相连)中的电场和载流子浓度分布具有显着影响。对给定的工作电压和有机层厚度, 层Ⅰ的迁移率越高、陷阱密度越低,层Ⅱ中的电场将越强,载流子浓度也越高。这时,一部分工作电压将降落在层Ⅰ上,且其电场近似线性地随着座标增加(Fig．2a)。而载流子浓度则开始随着座标增大而减小。达到一极小值后又开始增大。对于较高的界面势垒(Φ＞0．7 eV),层Ⅰ的输运参数对层Ⅱ中的电场及载流子分布影响很微弱,器件将工作在有机界面限制传导状态,这时,绝大部分的工作电压将降落在层Ⅱ上。层Ⅰ中载流子浓度分布的特征是,随着层Ⅱ输运能力的提高, 其分布的极小值从有机界面附近向注入电极方向移动。(本文来源于《第11届全国发光学学术会议论文摘要集》期刊2007-08-01）
吴秀坤,林承键,杨峰,刘祖华,张焕乔[10]（2006）在《近垒能区~(32)S+~(90,96)Zr势垒分布的研究》一文中研究指出精确测量了32S+90,96Zr两系统的背角准弹散射激发函数,总体误差小于1％,从中分别抽取了它们的势垒分布,对比观测到32S+96Zr的势垒结构扁平且向低能区展宽,这种势垒可导致在垒下能区该体系的熔合截面的大大增强．32S+96Zr与32S+90Zr相比存在较强的中子转移反应,且转移Q值为正． 32S+96Zr势垒的扁平结构可能是中子转移道耦合所致,这会导致32S+96Zr垒下熔合截面大的增强．(本文来源于《高能物理与核物理》期刊2006年02期）
势垒分布论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用传输矩阵法理论,研究了双重势垒一维光子晶体量子阱(AB)k(CD)m(DCD)n(DC)m(BA)k的内部局域电场.结果表明:双重势垒光量子阱内部分布着很强的局域电场,且越靠近阱中心,局域电场越强;双重势垒光量子阱垒层特别是内垒层和外垒层厚度同时增大时,内部局域电场快速增强,而且阱中心增强最明显;双重势垒光量子阱阱层宽度增大时,越靠近阱中心,局域电场越强,但阱宽按偶数倍增大时阱中心的局域电场不变并保持恒定极大值,而阱宽按奇数倍增大到一定数值后,光量子阱内部局域电场则趋于阱宽按偶数倍增大时的局域电场恒定极大值.该研究可为分析光量子势阱的量子化效应机理和分立透射谱的形成内因,以及量子光学产品的实际设计等提供指导.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
势垒分布论文参考文献
[1].明庭尧.叁势垒共振隧道结构中电子的几率分布和势垒贯穿系数[J].西南师范大学学报(自然科学版).2014
[2].苏安,高英俊,蒙成举.双重势垒一维光子晶体量子阱内部局域电场分布[J].光子学报.2014
[3].贾会明,林承键,张焕乔,刘祖华,杨峰.~9Be+~(208)Pb背角准弹散射势垒分布:核反应过程中的破裂效应[J].中国原子能科学研究院年报.2010
[4].宫建平.一维势垒散射中粒子的概率分布[J].大学物理.2011
[5].尹常艳.势垒和介质折射率呈连续与阶跃分布时反射和透射问题研究[D].西北大学.2010
[6].刘久亮.熵势垒和空间分布摩擦系数对布朗粒子输运的影响[D].南昌大学.2010
[7].张进成,郑鹏天,董作典,段焕涛,倪金玉.背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响[J].物理学报.2009
[8].邹继军,杨智,乔建良,常本康,曾一平.表面势垒形状对NEA光阴极电子能量分布的影响(英文)[J].半导体学报.2008
[9].彭应全,杨青森,邢宏伟,李训栓.有机界面势垒对有机发光器件电流以及载流子和电场分布的影响研究[C].第11届全国发光学学术会议论文摘要集.2007
[10].吴秀坤,林承键,杨峰,刘祖华,张焕乔.近垒能区~(32)S+~(90,96)Zr势垒分布的研究[J].高能物理与核物理.2006