MOCVD控制系统的优化设计

MOCVD控制系统的优化设计

论文摘要

MOCVD是制备半导体薄片单晶的一项新技术,研究和开发具有国际先进水平的MOCVD设备意义非常重大。该课题研究来源于军用电子元器件型谱攻关项目(编号:QTXDXY-0405XE0400)以及陕西省科学技术研究发展计划项目(编号:2004k05-G1)。本文主要研究了MOCVD控制系统的优化设计。针对用户的要求以及在系统实际运行中所遇到的问题,对整个控制系统尤其是上位机监控系统进行了优化设计。根据MOCVD控制系统的特点,选用西门子公司的S7-300为下位机并作为主控制系统,工业控制计算机作为上位机完成系统的监控等功能。本文的特点就是在已有的MOCVD控制系统的基础上,成功地完成了以下主要工作:为了数据整理的需要,增加了对重要数据的实时保存功能;为便于查看,数据保存格式为excel文件格式,且与配方的数据格式保持一致;根据STEP 7中数据的存储类型及寻址方式,把原来32个数字量用一个32位无符号类型的变量表示,大大提高了数字量下载速度,也减轻了系统负担;监控界面中增加了当前时间显示和下载进度显示:对画面区与操作按钮区的布局进行了适当调整,对需要互锁的按钮采取了互锁保护措施,提高了系统的安全可靠性。经过优化设计后的MOCVD系统在性能上更加稳定、完善,在运行上更加可靠,在使用上更加人工智能化。本系统现已投入材料生产运行,并实现了高质量GaN晶体薄膜材料的生长。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 第一章 绪论
  • 1.1 MOCVD的基本概念
  • 1.1.1 什么叫MOCVD
  • 1.1.2 MOCVD技术的特点
  • 1.1.3 MOCVD的设计发展
  • 1.1.4 MOCVD工作原理
  • 1.1.5 MOCVD系统结构
  • 1.2 MOCVD在我国的发展
  • 1.2.1 国内行业现状
  • 1.2.2 MOCVD设备的研制意义
  • 1.3 主要工作介绍
  • 第二章 MOCVD系统方案定型
  • 2.1 工业控制自动化的现状简介
  • 2.1.1 工业PC
  • 2.1.2 集散控制系统DCS
  • 2.1.3 现场总线控制系统FCS
  • 2.1.4 PLC控制系统
  • 2.2 S7-300PLC及其编程软件STEP7简介
  • 2.2.1 S7-300系列PLC系统结构
  • 2.2.2 S7-300的CPU及电源模块
  • 2.2.3 S7-300的输入/输出模块
  • 2.2.4 I/O模块地址的确定
  • 2.2.5 STEP 7简介
  • 2.3 MOCVD控制系统的方案选择
  • 2.3.1 下位机选型
  • 2.3.2 上位机选型
  • 第三章 MOCVD控制系统的设计
  • 3.1 MOCVD控制流程
  • 3.1.1 MOCVD工艺流程
  • 3.1.2 MOCVD控制流程
  • 3.2 MOCVD系统的气路及温度控制
  • 3.3 控制柜设计
  • 3.4 硬件配置和组态
  • 3.4.1 PLC硬件配置
  • 3.4.2 PLC硬件组态
  • 3.4.3 PLC与WinCC通信
  • 3.5 报警及故障处理
  • 3.6 系统保护措施
  • 3.6.1 系统的干扰分析
  • 3.6.2 系统的抗干扰措施
  • 第四章 上位机监控界面的优化设计
  • 4.1 监控界面的设计原则
  • 4.2 WinCC简介
  • 4.2.1 简介
  • 4.2.2 性能特点
  • 4.2.3 WinCC V6.0的新增功能
  • 4.3 监控系统的功能及实现方法
  • 4.3.1 主要功能
  • 4.3.2 监控界面的设计实现
  • 4.3.3 监控界面及其基本操作
  • 4.4 Excel配方下载程序的编写
  • 4.5 监控界面的运行
  • 4.6 监控系统的优化
  • 4.6.1 配方下载程序优化
  • 4.6.2 数据自动保存
  • 4.6.3 进度条及系统时间显示
  • 4.7 串口通讯程序的编写
  • 4.7.1 异步串口通讯简介
  • 4.7.2 动态连接库(DLL)的调用
  • 4.7.3 数据处理
  • 第五章 总结
  • 致谢
  • 参考文献
  • 研究成果
  • 相关论文文献

    • [1].MOCVD反应室模拟仿真研究[J]. 电子工业专用设备 2019(06)
    • [2].MOCVD设备与现代MOCVD技术研究[J]. 山东工业技术 2018(22)
    • [3].MOCVD系统反应室流场的模拟优化设计[J]. 工业加热 2018(05)
    • [4].Structure and photoluminescence properties of InN films grown on porous silicon by MOCVD[J]. Optoelectronics Letters 2017(03)
    • [5].Zinc tin oxide thin films prepared by MOCVD with different Sn/Zn ratios[J]. Rare Metals 2017(09)
    • [6].MOCVD计算机控制系统设计与实现[J]. 信息技术与信息化 2015(12)
    • [7].Morphology Study of Oriented Sm BCO Film Deposited by MOCVD[J]. Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science) 2016(01)
    • [8].MOCVD多功能在线监测探头的设计与实现[J]. 光子学报 2017(06)
    • [9].High-performance InGaN/GaN MQW LEDs with Al-doped ZnO transparent conductive layers grown by MOCVD using H_2O as an oxidizer[J]. Chinese Physics B 2016(11)
    • [10].高温MOCVD温度控制系统研究与设计[J]. 工业控制计算机 2015(06)
    • [11].MOCVD装备技术及产业发展分析[J]. 中国高新技术企业 2013(03)
    • [12].DFT study on adduct reaction paths of GaN MOCVD growth[J]. Science China(Technological Sciences) 2013(07)
    • [13].Platinum-Iridium Alloy Films Prepared by MOCVD[J]. 贵金属 2012(S1)
    • [14].2010年全球MOCVD设备突破800台[J]. 半导体信息 2011(03)
    • [15].Numerical studies on flow and thermal fields in MOCVD reactor[J]. Chinese Science Bulletin 2010(06)
    • [16].Electrical and deep levels characteristics of ZnO/Si heterostructure by MOCVD deposition[J]. Chinese Physics B 2008(06)
    • [17].MOCVD系统检漏技术[J]. 设备管理与维修 2019(17)
    • [18].MOCVD的原理与故障分析[J]. 电子工业专用设备 2014(11)
    • [19].Analysis and design of resistance-wire heater in MOCVD reactor[J]. Journal of Central South University 2014(09)
    • [20].High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Misfit Dislocations Array[J]. Journal of Materials Science & Technology 2012(02)
    • [21].Design of a three-layer hot-wall horizontal flow MOCVD reactor[J]. 半导体学报 2012(09)
    • [22].Mass transport analysis of a showerhead MOCVD reactor[J]. 半导体学报 2011(03)
    • [23].Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates by MOCVD[J]. Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2011(10)
    • [24].一种应用于MOCVD的3波长在线红外测温方法[J]. 应用光学 2017(04)
    • [25].MOCVD设备成功实现国产化[J]. 新材料产业 2013(12)
    • [26].Mechanism of forming an ink-bottle-like pore structure based on SBA-15 by a novel MOCVD technique[J]. Chinese Science Bulletin 2010(Z1)
    • [27].MOCVD反应器热流场的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报 2008(06)
    • [28].MOCVD材料生长重大装备项目[J]. 中国粉体工业 2013(01)
    • [29].MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法[J]. 人工晶体学报 2018(11)
    • [30].Flow Field and Temperature Field in GaN-MOCVD Reactor Based on Computational Fluid Dynamics Modeling[J]. Chinese Physics Letters 2018(09)

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