论文摘要
本文制备了几种适合近紫外光LED芯片激发的荧光粉。探索了最佳合成条件以及杂质的最佳浓度,分析了样品的晶体结构,研究了样品的发光性质。主要内容如下：（1）利用高温固相法合成了荧光粉SrZnP2O7：Tb3+,并研究了样品的发光性质。发射光谱由六个发射峰组成,分别位于420nm,442nm,492nm,545nm,584nm和620nm,对应于Tb3+的5D3→7F5,5D3→7F4,5D4→7F6,5D4→7F5,5D4→7F4和5D4→7F3的特征发射。激发光谱为从350到400nm的宽带,适合UVLED激发。研究了Tb3+掺杂浓度和电荷补偿剂Li+,Na+and K+对发光强度的影响,当Tb3+的最佳掺杂浓度是10%,电荷补偿剂为Li+时,样品的发光强度最大。SrZnP2O7：Tb3+有潜力作为适用于白光LED的绿色荧光粉。（2）利用高温固相法合成了红色荧光粉SrZnP2O7：Eu3+,并研究了样品的发光性质。样品的最强激发峰位于400nm,适合UVLED激发。在365nm激发下的发射光谱由位于591nm和597nm（5D0→7F1）,616nm、624nm和629nm（5D0→7F2）,656nm（5D0→7F3）及688mn（5D0→7F4）四组线状峰构成,为典型Eu3+的跃迁发射。研究了发光强度随Eu3+浓度变化情况,随着Eu3+浓度的增加未发现浓度猝灭现象,但存在猝灭趋势。并验证了Bi3+对Eu3+的敏化作用,讨论了Bi3+与Eu3+之间的能量传递。（3）利用燃烧法合成了Srln2O4：Sm3+红色荧光粉,并研究了其发光性质。发射光谱由位于红橙区的3个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于568、606利660nm,对应了Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2、和4G5/2→6H9/2特征跃迁发射,其中606nm的发射最强。激发峰分别位于323、413和476nm,说明该荧光粉既可以被紫外光LED芯片激发,又可以被蓝光LED芯片激发。研究了Sm3+浓度变化对样品发光强度的影响,当Sm3+的浓度为1.5%时,样品的发光强度最大。该荧光粉由许多微小的晶粒组成,晶粒的平均直径小于500nm。
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摘要Abstract第1章 绪论1.1 白光LED的研究意义1.2 白光LED的基本原理1.3 白光LED面临的问题1.4 本文的研究目的和创新点1.4.1 研究目的1.4.2 研究内容1.4.3 创新点第2章 关于发光的基本概念和荧光粉的合成方法2.1 基本概念2.1.1 发光的定义2.1.2 发光过程2.1.3 发射光谱和激发光谱2.1.4 色温和相关色温2.1.5 显色性和显色指数2.1.6 光通量和发光强度2.1.7 发光效率2.1.8 发光材料2.1.9 稀土元素的发光2.2 荧光粉的合成方法2.2.1 高温固相法2.2.2 溶胶-凝胶法2.2.3 共沉淀法2.2.4 燃烧法2.2.5 微波法2.2.6 水热法2.2.7 高分子网络凝胶法2.2.8 表面扩散法2O7:Tb3+荧光粉的性质'>第3章 白光LED用SrZnP2O7:Tb3+荧光粉的性质3.1 实验方法3.1.1 样品的制备3.1.2 样品的测定3.2 样品的XRD图像3.3 样品的发光特性3.3.1 样品的发射光谱和激发光谱3+浓度的变化对样品发光强度的影响'>3.3.2 Tb3+浓度的变化对样品发光强度的影响3.3.3 不同电荷补偿剂对样品发光强度的影响3.4 结论3+在SrZnP2O7的发光性能和Eu3+、Bi3+间的能量传递'>第4章 Eu3+在SrZnP2O7的发光性能和Eu3+、Bi3+间的能量传递4.1 实验方法4.1.1 样品的制备4.1.2 样品的测定4.2 晶体结构2O7:Eu3+的激发光谱和发射光谱'>4.3 SrZnP2O7:Eu3+的激发光谱和发射光谱2O7:Eu3+发光强度的影响'>4.4 掺杂离子浓度对SrZnP2O7:Eu3+发光强度的影响3+对Eu3+的敏化作用'>4.5 Bi3+对Eu3+的敏化作用4.6 结论2O4:Sm3+红色荧光粉发光性能的研究'>第5章 SrIn2O4:Sm3+红色荧光粉发光性能的研究5.1 实验方法5.1.1 样品的制备5.1.2 样品的测定5.2 晶体结构5.2.1 样品的XRD图像5.2.2 样品的SEM图像5.3 样品的发光特性5.3.1 样品的发射光谱和激发光谱3+浓度的变化对样品发光强度的影响'>5.3.2 Sm3+浓度的变化对样品发光强度的影响5.4 结论结束语参考文献攻读硕士期间发表的学术论文致谢
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