光信息存储技术发展现状及前景分析

论文摘要

随着社会的发展和科技的进步,信息的存储容量在以几何级数增加,高密度数据存储技术始终是人们关注的研究领域。在当前主流的三种存储技术(磁存储、半导体存储和光存储)中,光存储具有存储密度大、信息保存时间长、生产成本低、潜力巨大等特点,因此被视为最有发展前途的存储方法。传统的光存储技术虽然已经成熟,但受波长衍射极限和物镜数值孔径的限制,存储容量和存储密度已经接近极限。随着与光存储相关的几门学科(光学技术、微电子技术、材料科学、细微加工技术、计算机与自动控制技术)的发展,目前出现了很多新兴的光存储技术,如：体全息存储、光谱烧孔存储、双光子吸收三维存储、散斑复用光存储、波导多层光存储、荧光多层光存储、固体浸没透镜近场存储、超分辨率近场结构存储、探针型近场光存储、光学双稳态、多阶光存储、多波长光存储、光波混频的相位共轭光存储、光折变存储、光致变色光存储、电子俘获光存储等。本研究对传统的存储技术和新兴的光存储技术原理进行了述评,对它们的优缺点进行了比较,并从总体发展规律上对其进行分析,在此基础上展望了未来信息存储的发展趋势。

论文目录

• 摘要
• Abstract
• 目录
• 引言
• 一、传统存储技术
• 1.1 磁存储技术
• 1.1.1 磁带
• 1.1.2 磁盘
• 1.2 半导体存储技术
• 1.2.1 RAM
• 1.2.2 ROM
• 1.2.3 PROM
• 1.2.4 EPROM
• 1.2.5 EEPROM
• 1.2.6 FLASH
• 1.2.7 闪存卡
• 1.3 传统光盘存储技术
• 1.4 磁光（MO）存储技术
• 二、三维体全息存储
• 2.1 体全息存储
• 2.2 光谱烧孔存储
• 2.3 双光子吸收三维存储
• 2.3.1 光致变色材料光存储
• 2.3.2 光致漂白材料光存储
• 2.3.3 光致聚合材料光存储
• 2.3.4 光致折变材料光存储
• 2.3.5 双光子激发光致氧化材料光存储
• 2.4 散斑复用光存储
• 2.4.1 静态散斑复用技术
• 2.4.2 动态散斑复用技术
• 2.5 波导多层光存储
• 2.6 荧光多层光存储
• 三、近场光学存储
• 3.1 固体浸没透镜（solid immersion lens,SIL）近场存储
• 3.2 超分辨率近场结构（Super-RENS）存储
• 3.2.1 孔径型（Transimtted-Aperture type）超分辨率近场结构
• 3.2.2 散射型（Scattered type）超分辨率近场结构
• 3.3 探针型（probe scanning microscopy,PSM）近场光存储
• 四、光子双稳态多波长多级存储
• 4.1 光学双稳态
• 4.2 多阶光存储
• 4.2.1 信号多阶光存储
• 4.2.1.1 坑深调制
• 4.2.1.2 坑边沿调制
• 4.2.1.3 坑形调制
• 4.2.1.4 记录符大小调制
• 4.2.2 介质多阶光存储
• 4.2.2.1 电子俘获多阶光存储
• 4.2.2.2 部分结晶多阶技术
• 4.2.2.3 光致变色多阶技术
• 4.3 多波长光存储
• 4.4 光波混频的相位共轭光存储
• 4.4.1 三波混频
• 4.4.2 四波混频
• 4.5 光折变存储
• 4.6 光致变色光存储
• 4.7 电子俘获光存储
• 五、总结与展望
• 参考文献