各种因素诱导神经元的凋亡有多方面机制，包括兴奋毒性学说、离子紊乱学说、氧化应激学说和基因调节学说等。在凋亡产生机制的离子因素以往研究中，主要是对Ca2+、K+和Na+离子活动的关注，氯离子的活动多年来未引起重视。一氧化氮（NO）是一种重要的信号转导分子，参与脑内许多生理和病理过程。大量证据表明，缺血性脑损伤后脑内大量产生NO，过量的NO能对脑细胞产生神经损伤作用，能诱导神经细胞凋亡。本研究以培养12天的SD大鼠海马神经元为研究对象，模拟脑缺血的产生机制，利用NO供体SIN-1诱导离体海马神经元凋亡的模型，通过对细生存率、细胞的免疫荧光染色和凋亡细胞记数、Western blot检测凋亡相关蛋白（caspase-3）和膜片钳全细胞记录氯通道电流等方法观察了氯通道在海马神经元凋亡中的作用，试图探讨氯通道在缺血性脑损伤中的作用。 一、SIN-1诱导离体海马神经元凋亡模型的建立 按培养神经元的方法，用Neurobasal培养基培养的正常12天的SD大鼠海马神经元，光学显微镜下观察显示：正常神经元胞体饱满、光滑，呈锥体形或卵圆形，突起交叉成网；对神经元进行硫堇染色，在膜内侧和胞核的边缘可以清晰的显示尼氏小体，进一步确定本实验常规培养的细胞为神经元；用DNA荧光试剂Hoechst33258和神经元特意性抗体抗-NeuN对神经元双染色，结果发现
本文来源: https://www.lw50.cn/article/3ed6ae2fe370e15ed2cc90aa.html