程泽军：基于MOS技术的神经元电路研究进展论文

本文主要研究内容

作者程泽军,李彬鸿,李博,罗家俊,韩郑生（2019）在《基于MOS技术的神经元电路研究进展》一文中研究指出：设计一种具有多种神经元响应模式、结构紧凑、低功耗的神经元电路,对大规模神经形态硬件的构建具有重要意义。分析了LIF、Izhikevich两种神经元模型的基本原理,重点介绍了数字和模拟两类神经元电路的设计方法、工作原理和优缺点。最后,讨论了神经元电路的设计趋势以及挑战。

Abstract

she ji yi chong ju you duo chong shen jing yuan xiang ying mo shi 、jie gou jin cou 、di gong hao de shen jing yuan dian lu ,dui da gui mo shen jing xing tai ying jian de gou jian ju you chong yao yi yi 。fen xi le LIF、Izhikevichliang chong shen jing yuan mo xing de ji ben yuan li ,chong dian jie shao le shu zi he mo ni liang lei shen jing yuan dian lu de she ji fang fa 、gong zuo yuan li he you que dian 。zui hou ,tao lun le shen jing yuan dian lu de she ji qu shi yi ji tiao zhan 。

论文参考文献

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论文详细介绍

论文作者分别是来自微电子学的程泽军,李彬鸿,李博,罗家俊,韩郑生，发表于刊物微电子学2019年02期论文，是一篇关于神经元电路论文,神经元模型论文,微电子学2019年02期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自微电子学2019年02期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。

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