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先进逻辑（Logic）技术中CVD制程能力及其稳定性的改善研究

论文摘要

随着集成电路技术的飞速发展,集成度越来越高,特征尺寸越来越小,导致了结构的立体化,布线的多层化,0.18μm逻辑FSG(Fluorine Silicon Glass,掺氟硅玻璃)结构除了在设计上的缩小外,最重要的是低介电常数材质的应用。即在层间介质氧化硅中掺杂氟,以减低其介电常数,用以减小分布电容从而降低RC延迟,进而增加产品之运行速度.此外,大量运用CVD(Chemical Vapor Deposition化学气相淀积)工艺的防反射涂层,富硅氧化硅,覆盖层的氧化硅它也是0.18μm逻辑FSG结构的重点之一。这些新增的薄膜对于整合及良率至为关键。在0.18μm逻辑工艺迈向成熟的过程中,主要遇到了四个问题：1>栅氧完整性失效率太高2>FSG气泡问题3>顶层金属光刻返工低良率问题4>STI (Shallow Trench Isolation浅沟道隔离)工艺的空洞问题等。针对这四个问题,论文分别分析了产生的原因,然后和整合工程师合作从CVD工艺角度探索解决方案,通过DOE(实验设计)方法,研究各参数对工艺性能的影响,优化和调整工艺参数(如气体流量、气压等),使其具有工艺稳定和可靠等特点,以满足大生产的要求。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 引言
  • 第一节 CVD工艺概述
  • 第二节 CVD工艺的分类
  • 第三节 CVD工艺薄膜主要性能参数及分析测试手段
  • 第二章 CVD工艺在IC制造后段工艺中的应用
  • 第一节 工艺简介
  • 第二节 后段工艺对CVD工艺的要求
  • 第三节 主要绝缘介质薄膜制备的选择
  • 第三章 实验设计及改善方案
  • 第一节 0.18μ m logic工艺中存在的四个问题
  • 第二节 本课题的主要研究工作
  • 第三节 实验设计方案
  • 第四章 工作成果总结与推广
  • 参考文献
  • 致谢

    • 相关论文文献

    本文来源: https://www.lw50.cn/article/6efd4dae7727475ab3c561fd.html