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曾友鹏:Cu元素比例对Cu2ZnSnS4薄膜光电性能的影响论文

本文主要研究内容

作者曾友鹏,姚恺丽,杨秀凡(2019)在《Cu元素比例对Cu2ZnSnS4薄膜光电性能的影响》一文中研究指出:采用溶胶-凝胶法,以金属醇盐和硫脲为原料,并将乙二醇甲醚为溶剂在玻璃衬底上制备不同Cu组分比例的Cu2ZnSnS4薄膜材料,通过金相显微镜进行观察。结果表明:Cu元素摩尔比为1.8、1、9时,薄膜表面颗粒分布较为均匀,最强吸光度为0.23A、透射比为80.86%。随着Cu比例的增大,载流子浓度逐渐升高,迁移率和霍尔电压降低,最大载流子浓度和迁移率分别为3.87×1017/cm3和3.58×102cm2/V.S,霍尔电压最大值为12mV,Cu元素比例增加后,CZTS薄膜结晶质量变差,电阻率减小。

Abstract

cai yong rong jiao -ning jiao fa ,yi jin shu chun yan he liu niao wei yuan liao ,bing jiang yi er chun jia mi wei rong ji zai bo li chen de shang zhi bei bu tong Cuzu fen bi li de Cu2ZnSnS4bao mo cai liao ,tong guo jin xiang xian wei jing jin hang guan cha 。jie guo biao ming :Cuyuan su ma er bi wei 1.8、1、9shi ,bao mo biao mian ke li fen bu jiao wei jun yun ,zui jiang xi guang du wei 0.23A、tou she bi wei 80.86%。sui zhao Cubi li de zeng da ,zai liu zi nong du zhu jian sheng gao ,qian yi lv he huo er dian ya jiang di ,zui da zai liu zi nong du he qian yi lv fen bie wei 3.87×1017/cm3he 3.58×102cm2/V.S,huo er dian ya zui da zhi wei 12mV,Cuyuan su bi li zeng jia hou ,CZTSbao mo jie jing zhi liang bian cha ,dian zu lv jian xiao 。

论文参考文献

  • [1].电沉积制备镍-铁薄膜及其性能的研究[J]. 王严东.  电镀与环保.2017(04)
  • [2].低光泽度热隐身光子晶体薄膜[J]. 王航,赵大鹏,陈宗胜,张继魁,刘瑞煌,时家明.  真空科学与技术学报.2019(11)
  • [3].铁酸铋薄膜的电学特性及掺杂影响分析[J]. 罗劲明,张海宁,温建平.  化工新型材料.2017(03)
  • [4].国际薄膜大会Thin Films 2016 新加坡2016.07.12-15[J].   真空.2015(06)
  • [5].国际薄膜大会Thin Films 2016 新加坡2016.07.12-15[J].   真空.2016(01)
  • [6].国际薄膜大会Thin Films 2016[J].   真空.2016(03)
  • [7].一种Sb2S3热电薄膜的制备方法[J].   电镀与精饰.2009(07)
  • [8].薄膜传输系统导向辊牵引特性研究[J]. 马利娥,邵明月,武吉梅,刘善慧,刘定强.  西安理工大学学报.2016(04)
  • [9].铁酸铋薄膜退火工艺研究进展[J]. 蔡雯馨,高荣礼,符春林,蔡苇,邓小玲,陈刚.  表面技术.2017(02)
  • [10].新式保温薄膜[J]. 本刊编辑部.  能源技术.1988(03)
  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自河南科技的曾友鹏,姚恺丽,杨秀凡,发表于刊物河南科技2019年14期论文,是一篇关于薄膜论文,组分论文,光电性能论文,河南科技2019年14期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自河南科技2019年14期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

    本文来源: https://www.lw50.cn/article/93fa626c613e5889c95f1aa0.html