基于多能谷纤锌矿相ZnO的Monte-Carlo模拟
论文摘要
ZnO,作为一种在光学、电学以及光电领域很有应用前景的宽禁带半导体材料,受到了人们的大量关注。而Monte-Carlo方法,因其直观、准确的特点也经常被人们用来计算材料未知的性质。本文利用Monte-Carlo方法对ZnO材料的电子输运特性进行了模拟计算。本文采用了四能谷(Γ1,Γ2,LM,A谷)的能带模型,在散射机制中考虑了电离杂质散射,声学波形变势散射,声学波压电散射,光学形变势散射,极性光学波散射,谷间散射等六种散射机理。在考虑非抛物性能带结构的情况下,计算出了不同温度,能谷和电子浓度下的各类散射的散射率,发现300K时,光学散射和谷间散射占据了主要地位,同时电子的能量分布随温度的升高发生了“蓝移”。而电子的漂移速度在外电场为500kV/cm处时达到了极值,对应于实验中所出现的“负微分迁移率”效应。最后求得ZnO中电子室温迁移率为的600cm2/Vs。此外,文章对于Monte-Carlo方法本身亦作了一定深度的探讨和改进
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摘要ABSTRACT一、概述1.1 ZnO的基本结构与性质1.1.1 ZnO的晶体结构1.1.2 ZnO的光电性质1.1.3 ZnO的气敏、压敏性质1.1.4 ZnO和GaN的优缺点比较1.2 Monte-Carlo方法在半导体中的应用1.3 一个典型的 Monte-Carlo过程小结参考文献二、计算模型2.1 能带结构(ZnO)2.2 散射机制2.2.1 电离杂质散射2.2.2 声学波形变势散射2.2.3 声学波压电散射2.2.4 光学波形变势散射2.2.5 谷间散射2.2.6 极性光学波散射小结参考文献三、常用特殊处理手段3.1 自散射的引入3.2 能带的非抛物性3.3 椭球型能谷3.4 散射结果的处理3.4.1 动量弛豫3.4.2 能量弛豫小结参考文献四、模拟结果及分析4.1 散射率4.2 能量分布及能谷占据4.3 漂移速度4.4 迁移率4.5 空间轨迹小结参考文献五、问题与创新5.1 关于经典理论中的一处错误5.2 关于阶梯法获得总散射时间的先验问题小结参考文献六、展望6.1 半导体输运的全带模拟6.2 多粒子-瞬态问题6.3 载流子-载流子散射小结参考文献致谢
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