Print

嵌入式系统中大页NAND Flash应用研究

论文摘要

在消费类电子领域,经常要用到NAND Flash存储器,特别是ARM嵌入式系统更是不可少,Flash通常分为NOR FlaLsh和NAND Flash,出于成本考虑,现在的ARM都支持NAND Flash启动;目前在PMP类和GPS类终端设备中特别是ARM开发板中,所采用的Flash大多都是64MB,受MP3、播放器影响,大页(2k/page)Flash出货量大,同容量价格反比小页NAND低;OEM工厂和外贸公司对BOM成本很敏感,Cost Down时紧紧订住NAND Flash,由于最初方案都是64MB,在GPS行业至今尚没大页NAND Flash的整体解决方案公布,于是成就了本文。大页NAND Flash的的优点是读取速度明显比小页的要快,快2倍左右,这样赢得了宝贵的启动时间,以住需要20s左右,现在<10s,给最终用户带来的快速体验感觉。多余的NAND Flash做成FAT优盘后可以存放大尺寸文件,如帮助手册、操作手册、使用说明等,在GPS中还可以装载地图省却SD卡、SD卡座以节省成本,并提高集成度、可靠性。针对NAND Flash的存储结构和物理特性,先后用两种方法尝试扩展NANDFlash的容量,起初是完全按大页的存储结构2k/page进行操作,后来是保持接口函数不变的前提下把大页当成多个小页来操作,结果发现后者更易实现,稳定性更好。本文先从Jtag烧写着手,逐渐实现bootloader的启动、FMD驱动,经历前后两年时间的稳定性测试验证才得以最终走向行业应用,明显提高产品性价比。开发环境:S3C2440A+WINCE5.0+Evc4.0+VC6.0+ADS1.2。

论文目录

  • 内容提要
  • 第1章 绪论
  • 1.1 NAND Flash为成长最快速的内存
  • 1.2 小型闪存卡应用面广
  • 1.3 NAND Flash走入PC领域取代硬盘之趋势明显
  • 1.4 本文的组织结构
  • 第2章 Flash的分类及比较
  • 2.1 NOR和NAND分类
  • 2.2 MLC与SLC分类
  • 2.3 小页与大页分类
  • 第3章 大小页NAND的物理结构
  • 3.1 小页存储结构和地址周期(以K9F1208为例)
  • 3.2 大页存储结构和地址周期(以K9F1G08为例)
  • 3.3 S3C2440启动过程
  • 3.4 小页改大页的硬件修改
  • 第4章 JTAG烧写启动程序
  • 4.1 Jtag介绍
  • 4.2 边界扫描
  • 4.3 TAP(TEST ACCESS PORT)
  • 4.4 Jtag驱动原理
  • 第5章 Bootloader中Copy stage2部分
  • 5.1 Bootloader的基本概念:
  • 5.2 ARM Bootloader的一般作用
  • 5.3 Bootloader的启动流程
  • 5.4 Bootloader中的NAND操作
  • 5.5 NAND分区禾口Checksum
  • 第6章 Bsp中FMD驱动
  • 6.1 BSP包介绍
  • 6.2 FMD介绍
  • 6.3 NAND参数结构定义
  • 6.4 FMD驱动
  • 第7章 NAND Flash ECC及坏块处理
  • 7.1 ECC校验原理
  • 7.2 ECC算法实现
  • 7.3 Nand spare区域
  • 7.4 S3C2440 ECC Control
  • 7.5 NAND Flash坏块处理
  • 第8章 NAND Flash扩展应用
  • 8.1 剩余NAND Flash区作U盘
  • 8.2 内存分配调整
  • 结论
  • 参考文献
  • 附录A
  • 附录B
  • 附录C
  • 附录D
  • 摘要
  • Abstract
  • 致谢
  • 相关论文文献

    本文来源: https://www.lw50.cn/article/c9ade0a624d19105413a328e.html