关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究
论文摘要
本文首先介绍了功率MOS管的UIS(unclamped inductive switching)测试原理及重要性,通过某公司的实际的案例,解释UIS和产品质量之间相互关系,挖掘影响UIS能力的因素,并通过实际案例解释改善功率MOSFET器件的三种方法,即改善contact工艺,减小RB,改变设计。实际案例中的两种MOSFET器件A,B应用了这三种方法的组合,使功率MOSFET的UIS能力和测试合格率有了非常大的提升。
论文目录
摘要ABSTRACT1 引言2 UIS 工作机理及其在功率MOS 器件中的应用2.1 UIS 的工作机理2.1.1 UIS 的基本原理2.1.2 UIS 电流的模拟示意图2.1.3 单脉冲UIS 测试波形图2.1.4 UIS 失效2.2 MOS 器件中UIS 机理的应用2.2.1 UIS 机理的应用2.2.2 UIS 测试对芯片和组装问题的筛选2.3 UIS 的测试机理3 提升功率MOS 器件UIS 能力的几种方法3.1 改善 contact 工艺3.2 device design 改变3.3 减小RB 的阻值4 改善UIS 能力的实际案例4.1 A 器件的 UIS 能力改进4.2 B 器件的 UIS 能力改进4.3 结论5 总结和期望6 参考文献附录1 功率 MOS 器件的特性参数致谢攻读学位期间发表的学术论文
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本文来源: https://www.lw50.cn/article/cc05b9e4db4b9e2787540876.html