硅基SiO2薄膜材料的制备与物理特性研究
论文摘要
本文在综述硅基SiO2薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上,着重研究用热氧化法和等离子体化学汽相沉积法（PECVD）制备硅基SiO2薄膜的工艺,发展了薄膜制备技术,给出了SiO2薄膜物理特性研究结果。本文采用热氧化法在Si基上淀积SiO2薄膜:在青岛赛瑞达MR13程控扩散炉中不同的实验条件下高温处理Si基片,制得了膜厚为618（?）均匀致密的无定形SiO2薄膜。最后利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱XPS、扫描电子显微镜（SEM）和台阶仪等仪器对SiO2膜的结构、形貌、成份及化学配比进行了测试分析。本文同时研究了等离子体化学汽相沉积法（PECVD）的制备工艺,并设计了具体实验方法。通过本论文的研究,取得了一定的成果,但是我们可以看到用热氧化法和PECVD法在硅片上制备SiO2薄膜,仍需在工艺方面作进一步的研究与改进。
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摘要ABSTRACT目录第一章 绪论§1.1 引言§1.2 本文研究的目的和主要内容第二章 二氧化硅薄膜§2.1 二氧化硅薄膜的性质§2.2 二氧化硅薄膜的表征手段和分析方法§2.3 二氧化硅薄膜常用的制备方法第三章 等离子体增强化学汽相沉积法制备二氧化硅薄膜工艺§3.1 概述§3.2 等离子体增强化学汽相沉积法工艺§3.3 实验设计第四章 热氧化法制备二氧化硅薄膜工艺§4.1 概述§4.2 扩散设备与扩散源§4.3 热生长氧化法§4.4 热分解沉积氧化膜法§4.5 其他氧化方法第五章 硅基二氧化硅薄膜物理特性§5.1 硅基二氧化硅薄膜样品§5.2 硅基二氧化硅薄膜的物理特性分析总结致谢参考文献
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