杨晓翠：高压下Si4Ge4合金声子谱的演化论文

本文主要研究内容

作者杨晓翠,马宏源,林宏宇（2019）在《高压下Si4Ge4合金声子谱的演化》一文中研究指出：利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究Si4Ge4合金的声子谱随着压力变化的规律,探讨压力对Si4Ge4合金声子谱的作用机制.计算结果显示,外界压力对Si4Ge4合金的声子谱有非常明显的调制作用.随着外界压力的增加,Si4Ge4合金的声子谱表现出3个基本特征:声学支频率范围展宽,光学支频率蓝移,频率禁区变宽.

Abstract

li yong ji yu mi du fan han li lun de di yi xing yuan li ji suan ,yan jiu Si4Ge4ge jin de sheng zi pu sui zhao ya li bian hua de gui lv ,tan tao ya li dui Si4Ge4ge jin sheng zi pu de zuo yong ji zhi .ji suan jie guo xian shi ,wai jie ya li dui Si4Ge4ge jin de sheng zi pu you fei chang ming xian de diao zhi zuo yong .sui zhao wai jie ya li de zeng jia ,Si4Ge4ge jin de sheng zi pu biao xian chu 3ge ji ben te zheng :sheng xue zhi pin lv fan wei zhan kuan ,guang xue zhi pin lv lan yi ,pin lv jin ou bian kuan .

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论文详细介绍

论文作者分别是来自白城师范学院学报的杨晓翠,马宏源,林宏宇，发表于刊物白城师范学院学报2019年06期论文，是一篇关于高压论文,合金论文,声子谱论文,白城师范学院学报2019年06期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自白城师范学院学报2019年06期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。

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