曾庆锴：基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展论文

本文主要研究内容

作者曾庆锴,卢健,李彩,张冬冬,张勇（2019）在《基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展》一文中研究指出：Flash存储器因其高存储容量、低功率以及非易失性等特点而被广泛应用于航天系统中。本文对NAND器件中各功能模块的辐射总剂量效应试验结果进行了分析和讨论。结论是浮栅结构是总剂量效应最为敏感的模块。

Abstract

Flashcun chu qi yin ji gao cun chu rong liang 、di gong lv yi ji fei yi shi xing deng te dian er bei an fan ying yong yu hang tian ji tong zhong 。ben wen dui NANDqi jian zhong ge gong neng mo kuai de fu she zong ji liang xiao ying shi yan jie guo jin hang le fen xi he tao lun 。jie lun shi fu shan jie gou shi zong ji liang xiao ying zui wei min gan de mo kuai 。

论文参考文献

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论文详细介绍

论文作者分别是来自环境技术的曾庆锴,卢健,李彩,张冬冬,张勇，发表于刊物环境技术2019年04期论文，是一篇关于总剂量论文,浮栅论文,环境技术2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自环境技术2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。

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