作者许烁烁,陈特超,禹庆荣,刘舟（2019）在《氧化铝钝化膜沉积工艺研究》一文中研究指出：采用平板式等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备,开展氧化铝（Al2O3）薄膜沉积工艺的研究。通过在p型单晶硅片背表面沉积Al2O3和氮化硅（SiNx）薄膜,形成Al2O3/SiNx叠层钝化膜,研究了Al2O3薄膜沉积工艺中加热温度、工艺传送速度、微波功率、三甲基铝（TMA）流量等工艺参数对钝化效果的影响,得到了最佳的工艺参数:加热温度350℃、工艺传送速度240 cm/min、微波功率521 W、TMA流量600 mg/min。在该工艺条件下进行Al2O3/SiNx叠层钝化膜的沉积,测试硅片的平均少子寿命达到335.7μs。在此基础上进行PERC电池生产,电池转换效率达到21.876%。
cai yong ping ban shi deng li zi ti zeng jiang hua xue qi xiang chen ji （PECVD）she bei ,kai zhan yang hua lv （Al2O3）bao mo chen ji gong yi de yan jiu 。tong guo zai pxing chan jing gui pian bei biao mian chen ji Al2O3he dan hua gui （SiNx）bao mo ,xing cheng Al2O3/SiNxdie ceng dun hua mo ,yan jiu le Al2O3bao mo chen ji gong yi zhong jia re wen du 、gong yi chuan song su du 、wei bo gong lv 、san jia ji lv （TMA）liu liang deng gong yi can shu dui dun hua xiao guo de ying xiang ,de dao le zui jia de gong yi can shu :jia re wen du 350℃、gong yi chuan song su du 240 cm/min、wei bo gong lv 521 W、TMAliu liang 600 mg/min。zai gai gong yi tiao jian xia jin hang Al2O3/SiNxdie ceng dun hua mo de chen ji ,ce shi gui pian de ping jun shao zi shou ming da dao 335.7μs。zai ci ji chu shang jin hang PERCdian chi sheng chan ,dian chi zhuai huan xiao lv da dao 21.876%。
论文作者分别是来自电子工业专用设备的许烁烁,陈特超,禹庆荣,刘舟，发表于刊物电子工业专用设备2019年04期论文，是一篇关于光伏装备论文,沉积工艺论文,氧化铝薄膜论文,少子寿命论文,电子工业专用设备2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电子工业专用设备2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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