利用化学气相沉积方法（CVD）,在单晶三氧化二铝（Al2O3）基底和氧化铝膜基底上生长CrO2薄膜。重点研究了实验参数对CrO2薄膜质量的影响以及CrO2薄膜的磁性。研究了利用化学气相沉积方法（CVD）在单晶Al2O3基底上Cr2O3薄膜的生长,对其光学性质进行了研究。在CrO2薄膜的制备中,发现基底温度、载气流量以及单晶基底的取向是影响CrO2薄膜质量和结构的主要因素。并且我们首次分别在（012）和（006）面单晶基底上生长出了（101）和（200）取向的外延层薄膜。结果表明我们得到的薄膜表面平整、结构均匀,且生长速率较快。磁性研究发现CrO2薄膜表现出典型的铁磁特性,并且具有明显的面内各向异性和磁晶各向异性。利用阳极氧化法制备了表面具有均匀排布的纳米级凹坑的氧化铝膜基底,研究了利用CVD方法在此基底上生长CrO2薄膜。结果表明在此基底上较易生成多晶的CrO2薄膜,并且生长速率较快。磁性研究表明多晶的CrO2薄膜同样表现出典型的铁磁特性和面内各向异性。研究了利用CVD方法在单晶Al2O3表面生长取向Cr2O3薄膜。利用原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对薄膜表面及截面进行了研究。我们发现用这种方法可以在同构的Al2O3基底上生长出高质量的外延Cr2O3薄膜。利用紫外-可见光透射光谱研究了薄膜的光学性质。
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