超结论文

功率UMOSFET器件新结构及其特性研究
论文摘要功率槽栅MOS（UMOSFET）是在VDMOS和VMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,由于功率UMOSFET可以从工艺技术上有效的降低器件的特征导通电阻（RON）...
射频VDMOS器件结构研究
论文摘要VDMOS（垂直导电双扩散场效应晶体管）器件具有高输入阻抗、高开关速度、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点,广泛应用于移动通信、雷达、开关电源、汽车电子、马达驱动、节...