刻蚀论文

论文摘要刻蚀是集成电路制造工艺中极为重要的环节之一,它几乎涉及到每道工序,刻蚀效果直接影响到整个半导体器件的性能和可靠性。刻蚀技术主要包括湿法刻蚀和干法刻蚀两大类。在微电子工业...

论文摘要磁场分布在整个磁控溅射过程中起着至关重要的作用,磁场强度的大小、分布决定了等离子体的特性,从而对成膜质量、靶材刻蚀的均匀程度以及靶材的利用率均有很大的影响。此外磁控靶的...

论文摘要液/固金属间的润湿和界面反应是材料制备加工中的一种常见和重要的物理化学现象,会对材料性能产生重要影响。本论文选择汞滴与硅基底间的润湿行为作为研究对象,主要开展了以下工作...

论文摘要高场强非对称波形离子迁移谱(FAIMS)技术是一种广谱离子分离技术,它利用被测物质的离子迁移率在高低场强下的不同来实现物质的分离与检测,它具有响应速度快、分辨率高、可应...

论文摘要随着超大规模集成电路（ULSI）中器件密度不断提高、特征线宽不断减小,器件密度和连线密度的增加使得器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容增大,导致阻容（RC）耦合的增...

论文摘要本文介绍了半导体芯片的发展史和制造的工艺流程,以及具体介绍刻蚀工艺的特性和控制参数,并对铝的刻蚀进行了详细的介绍。对于铝刻蚀的工艺要求、工艺程式的设定和要求进行了介绍,...

论文摘要场发射阴极在微波管、平板显示和传感器等方面上有着广泛的应用前景,与热阴极相比,其具有抗辐射、响应速度快、功率大、低噪声、体积小、功耗低、适合大规模生产、集成化等优点,所...

论文摘要本文介绍了在0.35微米平台的设备上0.18微米产品通孔刻蚀条件的开发和优化。TEL的IEM机台是200mm硅片0.35微米平台。在实际的半导体集成电路生产中被广泛应用...

论文摘要刻蚀是SiC器件制备过程中的一项关键工艺。由于SiC材料的高硬度及稳定的化学性质,普通的湿法刻蚀无法获得可行的刻蚀速率。目前,常采用的SiC刻蚀方法多为等离子体干法刻蚀...

论文摘要蚀刻在半导体工艺中主要负责图形转换的过程,线宽的变窄对工艺的稳定性提出了相当高的要求。90nm以下的逻辑产品,铜互连成为替代铝连线的标准工艺。但是,铜极易在氧化物中扩散...

论文摘要光波导是利用光在折射率不同的两种介质分界面上发生全反射的原理,将光波限制在微米量级的透明材料中传输的导行结构。光波导是集成光学的基本单元,是光波耦合器、波导调制器、波导...

论文摘要随着超大规模集成技术的发展,芯片尺寸的日益缩小,铜作为连接材料的优越性日益显现。由于铜的反应生成物不具有挥发性,刻蚀很难实现。只有先在硅片上作好双大马士革结构,然后填入...

论文摘要直至目前,微电子器件中最常使用的层间介质仍然是SiO2,其刻蚀主要使用的是碳氟等离子体。对此,国内外研究者已进行了大量的研究。但由于等离子体的复杂性,直到目前,碳氟等离...

论文摘要在MEMS器件及系统的制造中,电感耦合等离子体(ICP)对硅片的刻蚀工艺由于具备操作简单、各向异性性能好、刻蚀速率快、成本低等特点,是目前实现高深宽比结构制造的主流工艺...

论文题目:陈列波导光栅的理论建模与优化设计及其实验研究论文类型:博士论文论文专业:光学工程作者:戴道锌导师:何赛灵关键词:阵列波导光栅,有限差分法,束传播方法,多模,频谱平坦化...

本文主要研究内容作者陈耀燕,赵昕,王哲,董杰,张清华（2019）在《制备条件对MXene形貌、结构与电化学性能的影响》一文中研究指出：以Ti3AlC2为原料,采用LiF+HCl...

本文主要研究内容作者崔旭,赵普,熊需海,张忠宝,王道晟（2019）在《表面处理对TC4钛合金-GF/PEI复合材料电阻焊接强度的影响》一文中研究指出：目的提高钛合金-复合材料电...